-
公开(公告)号：CN117049864A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311314493.1
申请日：2023-10-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/16 , C04B35/622 , C03C3/091 , H05K1/03
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种低温共烧陶瓷生瓷带、制备方法、陶瓷、陶瓷电路和应用。本发明选用细钙钠硼硅玻璃粉和球形氧化铝作为生瓷带中的无机粉，选用混合溶剂、混合粘结剂和相应的增塑剂和分散剂作为有机成分，有效的解决了传统LTCC生瓷带烧结收缩的各向异性问题。本发明制备的低温共烧陶瓷生瓷带的表面平整光滑，X、Y、Z烧结收缩率均为15%±0.5%，能在850℃左右实现与金浆共烧。采用本发明所述的低温共烧陶瓷生瓷带制备得到的陶瓷为低阶低温共烧陶瓷，具有优良的介电性能，其在8GHz下的介电常数为7~8、介电损耗小于3×10‑3。
-
公开(公告)号：CN113218811B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110488059.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
-
公开(公告)号：CN113218811A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110488059.X
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种有效检测TaSi2纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测TaSi2纯度的方法。本发明的TaSi2试样经硝酸与氢氟酸处理使游离Si、SiO2、游离Ta、生成四氟化硅气体与[TaF7]2‑配离子，再加入KOH溶液中和多余的酸以及与未反应的离子反应，抽滤后测定残留物量即为TaSi2的含量。本发明所检测结果TaSi2物相的纯度基本均稳定在99％左右，所测结果数值稳定，表明本发明具有很高的检测稳定性和可靠性。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出TaSi2物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于TaSi2纯度检测领域。
-
公开(公告)号：CN114538457B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
-
公开(公告)号：CN114538450A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011366770.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109942195B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201711389364.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO‑ySrO‑zPbO‑wTiO2‑vSiO2‑tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
-
公开(公告)号：CN113092306A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110483063.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种有效检测四硼化硅及六硼化硅纯度的方法，它涉及材料领域，本发明提供一种有效检测B4Si及B6Si纯度的方法。本发明将试样去除水分后，采用不同浓度的氢氟酸处理后，再与KOH反应，砂芯漏斗抽滤，清洗后，进行计算。本发明与目前仪器手段表征相比优势在于可准确检测出B4Si及B6Si物相的含量，再通过简单计算就可得到物相纯度。本发明应用于B4Si及B6Si材料领域。
-
公开(公告)号：CN117865655A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410042543.3
申请日：2024-01-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C04B35/10 , G01N27/00 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明属于高温陶瓷共烧(HTCC)领域，具体涉及一种高收缩氧化铝绝缘陶瓷膜及其制备方法和应用。本方法首先将粒度D50为30nm‑100nm且形貌为球形的γ‑Al2O3粉体与有机溶剂、表面活性剂混合后超声分散，配制成γ‑Al2O3混合液；接着，将所述γ‑Al2O3混合液与粒度D50为500nm‑2μm且形貌为高导热角型的α‑Al2O3粉体、以及助烧剂、有机溶剂、表面活性剂、粘结剂、增塑剂混合球磨，得到Al2O3复合浆料；最后，将所述Al2O3复合浆料通过流延成型的方法制备成氧化铝生瓷带，然后烧结，得到所述高收缩氧化铝绝缘陶瓷膜。本发明所述的氧化铝生瓷带用于氧或氮氧传感器中，能够有效解决与固体电解质YSZ材料共烧不匹配出现的开裂、翘曲等问题。
-
公开(公告)号：CN114538450B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366770.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
-
公开(公告)号：CN113135576B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110488057.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 齐齐哈尔大学 , 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 一种B4Si及B6Si的提纯方法，它涉及材料领域，本发明要解决B4Si及B6Si的提纯工艺复杂，提纯纯度不高的问题，本发明从经济与易于实施的角度出发，提出如下的提纯处理工艺思路：即先对粉体进行氧化处理，将部分单质如B和Si转化为相应的氧化物，然后在加热条件下用浓KOH处理，将相应的杂质转化为易溶于水的物质，经过一系列的处理达到提纯的效果。本发明应用于粉体材料提纯领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.023 seconds)
