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公开(公告)号:CN119774535A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202510104206.7
申请日:2025-01-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81B7/04 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/53 , B81B7/00 , B81C3/00 , B81C1/00 , H01Q15/00 , G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹生物传感器技术领域,具体涉及一种准BIC太赫兹全介质生物传感器及其制备方法和应用。本发明的生物传感器包括介质层和衬底层,介质层由多个全介质超材料的单元结构周期排列组成阵列,单元结构由非对称的四个圆柱结构组成,四个圆柱结构的圆心对称,其中三个圆柱结构直径相同,另一个圆柱结构直径与其他三个不相同,且直径相差不大,同时限定单元结构的周期与圆柱直径和圆柱间距满足一定条件,以实现较强的电磁场增强效果。本发明通过设计对称性的破缺使超材料结构由连续域束缚态退变为准连续域束缚态,实现器件在太赫兹波段条件下的高Q因子,使得传感器在太赫兹波段内对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果。
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公开(公告)号:CN119061284B
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411558034.2
申请日:2024-11-04
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明属于颗粒增强铝基复合材料制备技术领域,具体涉及一种高塑性含钆铝基复合材料及其制备方法和应用。本发明通过粉末预处理使氧化钆粉末晶型转变、通过球磨使粉末颗粒细化、再结合热等静压成型以及轧制热变形等工艺,在保证热中子屏蔽能力的基础上显著提高了复合材料的延伸率等综合力学性能。通过本发明公开的方法制备得到的高塑性含钆铝基复合材料(Gd2O3/6063Al)的致密度大于99.5%,室温抗拉强度大于200MPa,屈服强度大于140MPa,延伸率10%‑17%,是一种综合性能优异的复合材料,具有较大应用潜力。
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公开(公告)号:CN112742870B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN202011475464.X
申请日:2020-12-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽型镁钽多层复合板的制备方法,所述屏蔽型复合板包括钽或钽合金作为高Z金属相,镁或镁合金作为低Z金属相。本发明公开的镁/钽复合板制备方法包括以下步骤:(1)对钽板和镁板分别进行退火处理;(2)对退火后板材进行表面处理,去除表面的氧化层、杂质和油污;(3)将上一步骤得到的板材进行堆叠,随后放入包套中抽真空、封焊,制成板坯;(4)将组装好的板坯入炉加热保温,送入轧机进行轧制,空冷后去除包套,得到镁/钽双金属多层复合板。本发明通过轧制的方式将镁(镁合金)和钽(钽合金)两种材料进行整体复合,制备方法简单、成本低、易于工业化生产,可以替代传统的抗电子辐射屏蔽材料。
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公开(公告)号:CN114720448A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210180299.8
申请日:2022-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法,包括:首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术,对硅片进行无掩膜刻蚀,获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构;然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜;最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应,还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制,通过二者的协同效应,对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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公开(公告)号:CN109518023B
公开(公告)日:2020-09-29
申请号:CN201811620281.5
申请日:2018-12-28
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于粉末冶金技术领域的一种提高钨铝复合材料使用耐受温度的方法。该方法包括以下步骤:(1)将铝粉与稀土氧化物机械混合,得到预处理铝粉;(2)将步骤(1)所得预处理铝粉与钨粉机械混合,得到复合粉体;(3)步骤(2)所得复合粉体经真空脱气、热挤压成形,制得钨铝复合材料。本发明方法简单、效率高、易于工业化生产;制得的钨铝复合材料能够在更高温度环境下应用,拓宽了钨铝复合材料的应用范围。
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公开(公告)号:CN118360530A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410242000.6
申请日:2024-03-04
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 一种高慢化效果的镁基中子屏蔽材料,其快中子慢化组元为氢元素,含0.4~2.8%,热中子吸收组元为钆元素,含3~13.5%,基体为镁钆合金或镁铝钆合金;其制法为:首先通过氢化法制备球形氢化钛粉,然后采用粉末冶金法‑热等静压工艺制备镁基中子屏蔽材料;该材料致密度大于99%,具备良好的快中子慢化效果,钆元素热中子吸收截面非常高,以镁钆合金形式添加到材料中能实现良好的热中子吸收效果还能提升镁合金基体的强度,从而实现镁基中子屏蔽材料的结构/功能一体化。
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公开(公告)号:CN114525451B
公开(公告)日:2023-04-14
申请号:CN202210117653.2
申请日:2022-02-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/44 , C22C38/54 , C22C38/56 , C22C38/58 , C22C1/03 , C22C30/00 , C22C33/06
Abstract: 本发明提出一种屏蔽型非等原子比高熵合金钢及其制备方法,以铁为基体,以高含量的钨、硼元素作为抗射线、中子辐射功能组元,并添加能够提高材料综合结构性能的过渡金属元素(镍、铬、钼、锰)、小原子半径元素(硅、碳)以及稀土元素(钆、钇)。该材料兼具优异的射线、中子屏蔽性能以及较好的力学性能、耐腐蚀性能,可满足核用抗辐射功能‑结构一体化需求,可采用常规熔炼法制备,无需变形加工及热处理,制造工艺简单、成本低,适于批量化工业生产。
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公开(公告)号:CN114381623A
公开(公告)日:2022-04-22
申请号:CN202111539066.4
申请日:2021-12-15
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种含硼高比重钨基合金的制备方法,该方法通过金属硼化物烧结助剂部分或全部替代原有粘结相的方式实现硼元素的引入。本发明中含硼高比重钨基合金制备方法包括以下步骤:(1)按照重量百分比计,称取钨粉、金属硼化物烧结助剂以及纯金属粉;(2)将所称取混合粉末进行充分机械混合,使混合粉末得到均匀分散;(3)采用冷等静压将均匀分散的混合粉末压制成初坯;(4)将初坯在氢气炉进行两步法液相烧结,即得到含硼高比重钨基合金。本发明制备方法简单、成本低、易于工业化生产;制得的含硼高比重钨基合金硼含量可调且范围较宽,能够满足反应堆混合辐射场的射线‑中子综合屏蔽需求。
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公开(公告)号:CN109402477B
公开(公告)日:2021-06-01
申请号:CN201811591037.0
申请日:2018-12-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C22C27/04 , C22C29/00 , C22C29/08 , C22C32/00 , C22C29/14 , C22C1/05 , C22C1/04 , C22C1/10 , G21F1/08
Abstract: 本发明公开了属于复合屏蔽材料技术领域的一种屏蔽高剂量γ射线和热中子的铝基复合材料及制备方法。以质量百分比计,所述铝基复合材料包括75%~90%钨元素、0.5%~3%硼元素、余量的铝或铝合金;钨元素原料选自钨、碳化钨、氧化钨、硼化钨中的一种或多种;硼元素原料选自碳化硼和/或硼化钨;具体通过在惰性气体保护下混合原料粉末,然后经冷等静压、热等静压成型处理制得铝基复合材料;本发明提供的铝基复合材料致密度达到99%以上,具备良好的屏蔽性能、力学性能、耐热性能和加工性能,应用于核反应堆中对高剂量γ射线和热中子的屏蔽,特别适用于对核反应堆中高剂量γ射线泄漏区域的屏蔽。
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公开(公告)号:CN112779455A
公开(公告)日:2021-05-11
申请号:CN201911080196.9
申请日:2019-11-07
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高密度含硼复合材料制备方法,属于屏蔽材料技术领域。该复合材料的组成为:钨的质量分数为30%~85%,硼化物质量分数为0.8~10%,其余为铁或钢基体。钨粉经酒精湿磨分散处理并干燥,将钨粉和硼化物与一定比例金属粉末混合分散;经过冷等静压、真空除气、热等静压烧结以及机加工等工序,即可制备得到高密度含硼复合屏蔽材料。本发明的工艺,避免了铸造过程中硼元素与铁元素生成聚集在晶界处连续分布的网状硼化物的过程,硼化物仍然呈现均匀颗粒状分布,改善了材料的力学性能。添加钨颗粒,进一步提高复合材料密度和γ射线屏蔽性能,是一种兼具优异中子、γ射线屏蔽性能和力学性能的新型结构功能一体化复合屏蔽材料。
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