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公开(公告)号:CN114852950A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210070727.1
申请日:2022-01-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了属于微纳加工、表界面调控及电化学合成交叉技术领域的一种浸润性多级纳米阵列结构SERS衬底的制备方法,包括以下步骤:首先采用气液界面自组装方法在氧化硅硅片上结合反应离子刻蚀工艺获得规则且非密排PS小球掩膜版;然后依次对氧化硅和硅进行刻蚀,获得大面积硅柱结构;并在所获得的硅柱结构表面包覆金属膜,将该基底浸泡在含巯基分子溶液中进行疏水性调控;最后采用电化学沉积技术在上述疏水性硅衬底上制备得到了松枝状的Au纳米阵列结构,获得纳米阵列结构间隙灵活可调、大面积低成本高重复性、具有大量活性热富集高灵敏度的SERS衬底。
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公开(公告)号:CN114720448B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202210180299.8
申请日:2022-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法,包括:首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术,对硅片进行无掩膜刻蚀,获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构;然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜;最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应,还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制,通过二者的协同效应,对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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公开(公告)号:CN112834479A
公开(公告)日:2021-05-25
申请号:CN202011619141.3
申请日:2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法,包括以下步骤:在硅衬底表面制备SiO2层;在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球;将聚苯乙烯胶体球刻蚀;将SiO2层进行刻蚀,形成SiO2纳米结构;将SiO2层和硅衬底进行刻蚀,形成SiO2和Si复合纳米柱;在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜;在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子;修饰方式为:将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合,得到混合溶液,将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号:CN112834479B
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202011619141.3
申请日:2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法,包括以下步骤:在硅衬底表面制备SiO2层;在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球;将聚苯乙烯胶体球刻蚀;将SiO2层进行刻蚀,形成SiO2纳米结构;将SiO2层和硅衬底进行刻蚀,形成SiO2和Si复合纳米柱;在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜;在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子;修饰方式为:将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合,得到混合溶液,将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号:CN114720448A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202210180299.8
申请日:2022-02-25
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法,包括:首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术,对硅片进行无掩膜刻蚀,获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构;然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜;最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应,还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制,通过二者的协同效应,对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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