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公开(公告)号：CN119510745B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510090388.7
申请日：2025-01-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N33/53 , G01N33/68 , G01N33/577 , G01N21/3581 , G01N21/59 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹超材料生物传感器技术领域，具体涉及一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法。本发明通过阳极键合‑光刻图形化‑刻蚀‑特异性抗体修饰得到全介质超材料生物传感器，该传感器包括介质层和衬底层，介质层由全介质超材料的开口环结构和棒状结构交替组成阵列，开口环结构的两端对称开口，且开口连线与棒状结构平行，棒状结构与左右两侧开口环结构的距离分别为u和v，且5μm≥|v‑u|≥1μm。本发明传感器的介质层中通过将棒状结构作为明模态，开口环结构作为暗模态，两套阵列相互作用，实现明暗模态耦合，使谐振峰劈裂，增大Q因子和灵敏度，使得传感器在太赫兹波段对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果，且方法稳定可靠。
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公开(公告)号：CN111349890A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811585706.3
申请日：2018-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电复合薄膜及其制备方法。该磁电复合薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaN磁致伸缩层，其中所述FeGaN磁致伸缩层是在用磁控溅射法制备的FeGa材料上采用氮离子注入法形成的。其制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGa薄膜，然后采用氮离子注入法将氮离子注入FeGa薄膜中形成FeGaN薄膜。本发明的磁电复合薄膜是包括FeGaN和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良、且成分均匀可控等优点。采用本发明可制备小型化、兆赫兹条件下磁电耦合系数高、综合性能优异的磁电复合薄膜。
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公开(公告)号：CN112993171A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911313474.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L51/48 , H01L51/46 , C01G23/053 , C01G23/07
Abstract: 本发明公开了一种用于钙钛矿太阳能电池的二氧化钛电子传输层的制备方法，包括以下步骤：(1)以TiO2为靶材，真空度为1×10‑4Pa，在FTO玻璃片上磁控溅射制备TiO2致密层，在溅射过程中补氧；(2)将浓度为37％的浓盐酸、去离子水、纯度≥98％的四异丙醇钛三种液体按比例混合配置反应溶液；(3)将沉积有TiO2致密层的FTO玻璃片放入水热反应釜中，将有TiO2致密层的一面朝下加入反应溶液，在烘箱中保温；待水热反应釜自然冷却后，将FTO玻璃片取出，用酒精和去离子水反复清洗其表面；(4)将FTO玻璃片在管式炉中退火。采用本发明能够显著提高钙钛矿太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN112834479A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011619141.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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公开(公告)号：CN111334766A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811551786.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电复合薄膜材料及其制备方法。该磁电复合薄膜材料包括依次沉积于硅片上的电极层、AlN薄膜和FeGaB薄膜，FeGaB薄膜的化学式为Fe10-x-yGaxBy，其中1.778≤x≤3.0，0＜y≤2.0。其制备方法包括以下步骤：(1)将硅片清洗干净后，在正面沉积电极层薄膜；(2)采用磁控溅射法在电极层薄膜上沉积AlN薄膜；(3)采用磁控溅射共溅法在AlN薄膜上沉积FeGaB薄膜，其中，溅射靶材为Fe1-zGaz的化学计量比的原料通过熔融铸造合成的FeGa靶，0.23≤z≤0.30，以及纯度为99.99％的B靶。本发明的磁电复合薄膜材料具有优良的磁电性能，高频涡流损耗小，可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119774535A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510104206.7
申请日：2025-01-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81B7/04 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/53 , B81B7/00 , B81C3/00 , B81C1/00 , H01Q15/00 , G01N21/3581 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹生物传感器技术领域，具体涉及一种准BIC太赫兹全介质生物传感器及其制备方法和应用。本发明的生物传感器包括介质层和衬底层，介质层由多个全介质超材料的单元结构周期排列组成阵列，单元结构由非对称的四个圆柱结构组成，四个圆柱结构的圆心对称，其中三个圆柱结构直径相同，另一个圆柱结构直径与其他三个不相同，且直径相差不大，同时限定单元结构的周期与圆柱直径和圆柱间距满足一定条件，以实现较强的电磁场增强效果。本发明通过设计对称性的破缺使超材料结构由连续域束缚态退变为准连续域束缚态，实现器件在太赫兹波段条件下的高Q因子，使得传感器在太赫兹波段内对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果。
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公开(公告)号：CN111463265A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010290015.1
申请日：2020-04-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/792 , H01L21/34 , H01L21/443 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法，其中存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、沟道层、控制电极；其中，隧穿层和阻挡层均为氧化铝材料，电荷俘获层为掺杂的氧化铪薄膜，沟道层为二硫化钼材料。本发明采用掺杂的氧化铪材料作为电荷俘获层，可以有效提高电荷俘获效率，有助于在低电压下获得足够大的存储窗口；采用二维材料作为沟道层，能够提高器件性能。
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公开(公告)号：CN110777342A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911004945.X
申请日：2019-10-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁致伸缩薄膜及其制备方法，所述薄膜是沉积在单面抛光单晶硅基片上的FeGaB非晶薄膜，厚度400-800nm；所述制备方法包括：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法通过共溅射沉积FeGaB薄膜。本发明制备的磁致伸缩薄膜具有软磁性能好、饱和场低、磁致伸缩系数高等优点。本发明可用于制备小型化、兆赫兹条件下磁电耦合系数高、综合性能优异的磁电复合薄膜。
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公开(公告)号：CN118501229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410962970.3
申请日：2024-07-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N27/327 , G01N33/574 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种电化学微针生物传感器及其制备方法，所述生物传感器为三电极体系，包括工作电极、对电极和参比电极，三电极的基底材料均为硅基高密度微针阵列；其中工作电极为溅射金层的硅基高密度微针，表面沉积枝晶结构的金纳米颗粒，通过Au‑S键结合了具有高特异性的癌胚抗原(CEA)适配体；本发明提供的电化学微针生物传感器采用高密度硅基微针阵列构建三电极体系检测组织液中的癌胚抗原，工作电极具有枝晶结构的金纳米颗粒，优选的提高活性表面积，三电极一体的贴片式结构操作便捷，能够实现无创快速检测，并且检测灵敏度高、特异性好、检测限低，为癌胚抗原等肿瘤生物标志物的检测提供了简便、快捷的方法。
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公开(公告)号：CN112834479B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011619141.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种砷元素痕量检测方法，包括以下步骤：在硅衬底表面制备SiO2层；在SiO2层的表面组装聚苯乙烯胶体球；将聚苯乙烯胶体球刻蚀；将SiO2层进行刻蚀，形成SiO2纳米结构；将SiO2层和硅衬底进行刻蚀，形成SiO2和Si复合纳米柱；在SiO2和Si复合纳米柱表面制备50nm‑200nm的Fe3O4薄膜；在Fe3O4薄膜表面修饰Ag纳米粒子；修饰方式为：将体积比为(10‑15):(0.01‑0.02)的[Ag(NH3)2]+与葡萄糖溶液混合，得到混合溶液，将制备Fe3O4薄膜后的硅衬底置于混合溶液中反应后洗涤、干燥。本发明能够现场快速检测土壤中砷且灵敏、重复性好。
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