公开(公告)号：CN112176315A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202010834538.8

申请日：2020-08-19

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 门阔 ,  魏峰 ,  沈宇鑫 ,  连紫薇 ,  王国治 ,  金庆喜

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，所述薄膜中，稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1％～5％，稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。其制备方法包括：衬底预处理、薄膜的沉积、薄膜的退火处理。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜；本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造，成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好。

公开(公告)号：CN111463265A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010290015.1

申请日：2020-04-14

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 门阔 ,  魏峰 ,  沈宇鑫 ,  连紫薇

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/792 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法，其中存储器包括：自下而上依次设置的硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、沟道层、控制电极；其中，隧穿层和阻挡层均为氧化铝材料，电荷俘获层为掺杂的氧化铪薄膜，沟道层为二硫化钼材料。本发明采用掺杂的氧化铪材料作为电荷俘获层，可以有效提高电荷俘获效率，有助于在低电压下获得足够大的存储窗口；采用二维材料作为沟道层，能够提高器件性能。

公开(公告)号：CN111293122A

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN202010101304.2

申请日：2020-02-19

Applicant: 有研工程技术研究院有限公司

Inventor： 沈宇鑫 ,  门阔 ,  魏峰

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种电荷俘获型存储器，包括硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、电极以及形成于衬底上的源极和漏极。存储器的制备方法包括以下步骤：在硅衬底上形成源极和漏极；于载流子沟道顶部生长隧穿层；在隧穿层顶部沉积电荷俘获层；在电荷俘获层上沉积Al2O3作为阻挡层；在阻挡层顶部覆盖电极。本发明通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，获得了大的存储窗口，同时，器件其他方面的性能没有被牺牲，利于广泛应用。