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公开(公告)号:CN112516976A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN201910880533.6
申请日:2019-09-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B01J20/283 , B01J20/30 , B01D15/22
Abstract: 本发明提供一种制备功能柱层析硅胶的方法。该方法包括以下步骤:(1)使用浓度为2‑4M的盐酸和普通硅胶按照1∶1‑3∶1混合,至少反应12h后,将活化硅胶烘干;(2)向活化硅胶中加入0.5‑1当量交联剂和1当量修饰剂,使用有机溶剂溶解,加热回流后烘干;(3)柱层析装柱,使用淋洗溶剂将柱子压实,并持续保持淋洗液流动10min,将未反应的氨基和修饰剂冲洗干净。该方法在手性物质分离、高极性物质纯化和具有羟基反应活性物质纯化等传统柱层析无法应用的领域有很强的潜力和价值,大大改善材料提纯效果。
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公开(公告)号:CN112516976B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN201910880533.6
申请日:2019-09-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B01J20/283 , B01J20/30 , B01D15/22
Abstract: 本发明提供一种制备功能柱层析硅胶的方法。该方法包括以下步骤:(1)使用浓度为2‑4M的盐酸和普通硅胶按照1∶1‑3∶1混合,至少反应12h后,将活化硅胶烘干;(2)向活化硅胶中加入0.5‑1当量交联剂和1当量修饰剂,使用有机溶剂溶解,加热回流后烘干;(3)柱层析装柱,使用淋洗溶剂将柱子压实,并持续保持淋洗液流动10min,将未反应的氨基和修饰剂冲洗干净。该方法在手性物质分离、高极性物质纯化和具有羟基反应活性物质纯化等传统柱层析无法应用的领域有很强的潜力和价值,大大改善材料提纯效果。
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公开(公告)号:CN112986305A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN201911293862.7
申请日:2019-12-16
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种新型核磁管及其应用,属于分析测试仪器技术领域。新型核磁管主要由核磁管管体、管帽和氘代试剂密封管组成,氘代试剂密封管设置于核磁管管体内部,氘代试剂密封管固定在核磁管管体底部,氘代试剂密封管与核磁管管体中心同轴,氘代试剂密封管内装有氘代试剂。将氘代试剂直接密封在氘代试剂密封管内,管体和密封管之间的腔体直接滴加溶液后可直接进行核磁共振测试,该核磁管结构使易水解、易与氘代试剂反应的活泼物质可以进行高质量核磁共振测试。本发明结构简单,易于制作,应用广泛。
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公开(公告)号:CN112964680A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN201911274118.2
申请日:2019-12-12
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种柔性单分子膜检测器及其制备方法,属于功能器件设计和制备领域。该柔性单分子膜检测器,从上至下依次由功能分子传感层、金属氧化物附着层和高分子柔性衬底构成,功能分子传感层由功能分子组成,功能分子为C长度为5‑10的烷基链两端分别连接铆钉基团和荧光基团,其中铆钉基团包括三氯硅烷、磷酸、甲基二氯硅烷、二甲基氯硅烷等,荧光基团包括芘、苝和9,10‑二苯基蒽。该传感器使用高灵敏性的单分子作为传感层,高分衬底获得良好的柔性,使得器件在低浓度爆炸物检测和高性能可穿戴器件制备方面有巨大的应用潜力和价值。
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公开(公告)号:CN112176315A
公开(公告)日:2021-01-05
申请号:CN202010834538.8
申请日:2020-08-19
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法,所述薄膜中,稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1%~5%,稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。其制备方法包括:衬底预处理、薄膜的沉积、薄膜的退火处理。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜;本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造,成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好。
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公开(公告)号:CN110660913A
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201910948299.6
申请日:2019-10-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种取向有机晶体阵列及器件阵列及其制备方法,包括以下步骤:将熔融拉膜法或碾膜法获得的高度取向的高分子薄膜覆盖于硅衬底上作为介电层;将功能有机半导体材料涂敷在取向高分子薄膜表面;通过溶液退火法获得高度取向的有机半导体晶体阵列。本发明的方法,能够提高有机半导体器件响应。
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公开(公告)号:CN110438570A
公开(公告)日:2019-11-12
申请号:CN201910683634.4
申请日:2019-07-26
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了有机半导体材料加工技术领域的一种有机半导体材料溶剂退火炉。所述退火炉由溶剂退火炉密封盖和溶剂退火炉主体两部分组成。其中,溶剂退火炉密封盖包括上、下连接的容器密封层和容器固定层,容器固定层底侧设置基底固定凹槽,用于固定样品基底,溶剂退火炉主体为四个侧板和一个底板围成的立方体,四个侧板中的一个或多个的外表面标有溶剂体积刻度。本发明可以对使用旋涂法沉积在基底表面的有机半导体分子在溶剂气氛下退火,进行分子构象和排布方面的优化,并精确控制退火条件获得更加优异的半导体性能。本发明操作简单、安全,尤其在有机半导体材料实验室研发和工业化生产等方面具有较大商业价值。
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公开(公告)号:CN112964680B
公开(公告)日:2022-12-02
申请号:CN201911274118.2
申请日:2019-12-12
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种柔性单分子膜检测器及其制备方法,属于功能器件设计和制备领域。该柔性单分子膜检测器,从上至下依次由功能分子传感层、金属氧化物附着层和高分子柔性衬底构成,功能分子传感层由功能分子组成,功能分子为C长度为5‑10的烷基链两端分别连接铆钉基团和荧光基团,其中铆钉基团包括三氯硅烷、磷酸、甲基二氯硅烷、二甲基氯硅烷等,荧光基团包括芘、苝和9,10‑二苯基蒽。该传感器使用高灵敏性的单分子作为传感层,高分衬底获得良好的柔性,使得器件在低浓度爆炸物检测和高性能可穿戴器件制备方面有巨大的应用潜力和价值。
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公开(公告)号:CN110590845A
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201910948252.X
申请日:2019-10-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C07F9/6561 , C09K19/34
Abstract: 本发明属于半导体设计技术领域,尤其涉及一种基于烷基链调整热力学性能的有机半导体设计、分析和筛选方法,其包括以下步骤,在有机半导体材料结构中修饰不同长度的烷基链结构,随后对材料进行热力学性能分析,并根据热力学性能对材料进行筛选。本发明的方法,为材料设计、性能优化以及高性能半导体材料筛选提供依据。
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公开(公告)号:CN112961178A
公开(公告)日:2021-06-15
申请号:CN201911274117.8
申请日:2019-12-12
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种固相结晶性能有机半导体材料及其制备方法,属于新型有机半导体材料和器件研究领域。该具有固相结晶性能有机半导体材料,由具有固相结晶性能的功能分子制成,将功能分子的溶液旋涂在基底表面,室温放置,晶体从薄膜中长出,得到有机晶体;所述的功能分子为5,5‑二苯基‑二苯并噻咯,包含共轭基团和功能基团,其中共轭基团是二苯并噻咯,功能基团是苯基。在保证有机半导体材料电子学性能的同时,有效避免了目前硅电子器件制备工艺中大量使用的有机溶剂与有机材料接触会改变分子排布从而影响性能的问题,为有机半导体材料与无定型硅材料生产工艺的结合提供契机。
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