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公开(公告)号：CN116482051A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310701364.1
申请日：2023-06-14
申请人： 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC分类号： G01N21/3577 , G01N21/35
摘要： 本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种红外频段生化传感器及其制备方法和应用。该传感器结构包括：衬底，以及设置在衬底上面的若干个呈周期性排布的圆柱状介质。制备方法包括以下步骤：将衬底表面制备介质层；在介质层表面涂正胶，光刻，图形化，后烘坚膜；对介质层刻蚀；去胶，浸泡，轰击清洗，去除表面残胶。该传感器可用于检测包括例如蛋白质溶液、无机盐溶液、小分子有机物溶液等生化样品。本发明提供的传感器损耗低、Q值高、降低成本、介电常数变化敏感。
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公开(公告)号：CN114381701A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111536130.3
申请日：2021-12-15
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/06 , C23C14/02 , H01L41/316
摘要： 本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法。所述步骤包括：将Al靶、具有不同Sc含量的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶装入磁控溅射设备，通入工作气体，调节溅射气压、气体比例和溅射功率；按Al靶、Sc含量由高到低的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶的顺序，依次在衬底上进行溅射；结束沉积过程后，降温即得到Sc含量与目标AlSc靶金属元素原子百分比一致的高C轴取向AlScN薄膜。本发明采用的方法能够在制备高Sc含量AlScN薄膜时，改善AlScN形核生长初期晶格畸变造成的取向紊乱，进一步增强AlScN薄膜的C轴择优取向，提高其压电性能。
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公开(公告)号：CN111349890A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201811585706.3
申请日：2018-12-24
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁电复合薄膜及其制备方法。该磁电复合薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaN磁致伸缩层，其中所述FeGaN磁致伸缩层是在用磁控溅射法制备的FeGa材料上采用氮离子注入法形成的。其制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGa薄膜，然后采用氮离子注入法将氮离子注入FeGa薄膜中形成FeGaN薄膜。本发明的磁电复合薄膜是包括FeGaN和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良、且成分均匀可控等优点。采用本发明可制备小型化、兆赫兹条件下磁电耦合系数高、综合性能优异的磁电复合薄膜。
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公开(公告)号：CN111293122A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010101304.2
申请日：2020-02-19
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11565 , H01L27/11568
摘要： 本发明提供了一种电荷俘获型存储器，包括硅衬底、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层、电极以及形成于衬底上的源极和漏极。存储器的制备方法包括以下步骤：在硅衬底上形成源极和漏极；于载流子沟道顶部生长隧穿层；在隧穿层顶部沉积电荷俘获层；在电荷俘获层上沉积Al2O3作为阻挡层；在阻挡层顶部覆盖电极。本发明通过引入原子掺杂形成多元氧化物电荷存储层，获得了大的存储窗口，同时，器件其他方面的性能没有被牺牲，利于广泛应用。
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公开(公告)号：CN112877657A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110032642.X
申请日：2021-01-12
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N2混合气，通过改变两种气体比例进而调控AlN薄膜取向。该方法制得的AlN薄膜(100)择优取向生长，且薄膜质量优良，提高了AlN薄膜制备效率，同时节约了成本。
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公开(公告)号：CN112176315A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010834538.8
申请日：2020-08-19
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/02
摘要： 本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，所述薄膜中，稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1％～5％，稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。其制备方法包括：衬底预处理、薄膜的沉积、薄膜的退火处理。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜；本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造，成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好。
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公开(公告)号：CN116448713A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310701371.1
申请日：2023-06-14
申请人： 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC分类号： G01N21/3586 , G01N27/22
摘要： 本发明涉及传感器领域，具体涉及一种基于Mie谐振效应的太赫兹生物传感器及其制备方法和应用。传感器结构包括：底层，设置在底层上面的圆柱阵列，所述圆柱阵列包括多个均匀分布的呈圆柱状的介电材料，所述底层为硼硅酸盐玻璃或石英玻璃。制备方法包括：介电材料晶圆片与硼硅酸盐玻璃或石英玻璃进行阳极键合，在介电材料表面涂胶、曝光，刻蚀，形成圆柱阵列，采用H2SO4、H2O2溶液的混合液清洗，然后氧等离子体处理，使用3‑氨丙基三乙氧基硅烷溶液浸泡，用碳二亚胺、N‑羟基硫代琥珀酰亚胺溶液和待测生物样品对应的抗体溶液混合浸泡。本发明基于Mie谐振原理制备了新结构的生物传感器，有较高灵敏度。
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公开(公告)号：CN114395751A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111534071.6
申请日：2021-12-15
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种低应力氮化铝薄膜的制备方法。所述方法将靶材和衬底装入磁控溅射设备，调节磁控溅射靶材法线方向与基片台法线方向的夹角X，靶基距为Y，在工作气体气氛下调节气体流量、溅射功率和溅射气压Z，稳定后进行氮化铝薄膜沉积，结束沉积后，降温获得低应力的C轴取向氮化铝薄膜；确保Z＝5.5e(‑Y‑X/2)/43‑0.03，其中，0≤X≤30°；120mm≤Y≤200mm。本发明采用的方法在使溅射粒子保持较高的能量的同时，还使其在基片台能够充分扩散，制备的氮化铝薄膜具有C轴择优取向的同时具备低应力，有利于提高氮化铝器件的可靠性，且操作流程简单，适用于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN112993171A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911313474.0
申请日：2019-12-18
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L51/48 , H01L51/46 , C01G23/053 , C01G23/07
摘要： 本发明公开了一种用于钙钛矿太阳能电池的二氧化钛电子传输层的制备方法，包括以下步骤：(1)以TiO2为靶材，真空度为1×10‑4Pa，在FTO玻璃片上磁控溅射制备TiO2致密层，在溅射过程中补氧；(2)将浓度为37％的浓盐酸、去离子水、纯度≥98％的四异丙醇钛三种液体按比例混合配置反应溶液；(3)将沉积有TiO2致密层的FTO玻璃片放入水热反应釜中，将有TiO2致密层的一面朝下加入反应溶液，在烘箱中保温；待水热反应釜自然冷却后，将FTO玻璃片取出，用酒精和去离子水反复清洗其表面；(4)将FTO玻璃片在管式炉中退火。采用本发明能够显著提高钙钛矿太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN111334766A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811551786.0
申请日：2018-12-18
申请人： 有研工程技术研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种磁电复合薄膜材料及其制备方法。该磁电复合薄膜材料包括依次沉积于硅片上的电极层、AlN薄膜和FeGaB薄膜，FeGaB薄膜的化学式为Fe10-x-yGaxBy，其中1.778≤x≤3.0，0＜y≤2.0。其制备方法包括以下步骤：(1)将硅片清洗干净后，在正面沉积电极层薄膜；(2)采用磁控溅射法在电极层薄膜上沉积AlN薄膜；(3)采用磁控溅射共溅法在AlN薄膜上沉积FeGaB薄膜，其中，溅射靶材为Fe1-zGaz的化学计量比的原料通过熔融铸造合成的FeGa靶，0.23≤z≤0.30，以及纯度为99.99％的B靶。本发明的磁电复合薄膜材料具有优良的磁电性能，高频涡流损耗小，可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。
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