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公开(公告)号：CN119510745B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510090388.7
申请日：2025-01-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N33/53 , G01N33/68 , G01N33/577 , G01N21/3581 , G01N21/59 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹超材料生物传感器技术领域，具体涉及一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法。本发明通过阳极键合‑光刻图形化‑刻蚀‑特异性抗体修饰得到全介质超材料生物传感器，该传感器包括介质层和衬底层，介质层由全介质超材料的开口环结构和棒状结构交替组成阵列，开口环结构的两端对称开口，且开口连线与棒状结构平行，棒状结构与左右两侧开口环结构的距离分别为u和v，且5μm≥|v‑u|≥1μm。本发明传感器的介质层中通过将棒状结构作为明模态，开口环结构作为暗模态，两套阵列相互作用，实现明暗模态耦合，使谐振峰劈裂，增大Q因子和灵敏度，使得传感器在太赫兹波段对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果，且方法稳定可靠。
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公开(公告)号：CN111307911B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN116482051A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310701364.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N21/3577 , G01N21/35
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，具体涉及一种红外频段生化传感器及其制备方法和应用。该传感器结构包括：衬底，以及设置在衬底上面的若干个呈周期性排布的圆柱状介质。制备方法包括以下步骤：将衬底表面制备介质层；在介质层表面涂正胶，光刻，图形化，后烘坚膜；对介质层刻蚀；去胶，浸泡，轰击清洗，去除表面残胶。该传感器可用于检测包括例如蛋白质溶液、无机盐溶液、小分子有机物溶液等生化样品。本发明提供的传感器损耗低、Q值高、降低成本、介电常数变化敏感。
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公开(公告)号：CN109920908B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201711334271.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有超薄转变功能层的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器具有类似三明治结构，包括底电极、给氧牺牲氧化层、顶电极以及位于给氧牺牲氧化层和顶电极之间的转变功能层，该转变功能层通过活性金属薄层的自然氧化形成。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；(3)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积给氧牺牲氧化层；(4)利用物理气相沉积技术在给氧牺牲氧化层上面沉积活性金属薄层；(5)利用物理气相沉积技术在活性金属层上沉积惰性金属顶电极。本发明利用自然氧化界面层作为阻变存储器的转变功能层来进行阻变数据的存储，避免了界面氧化层对阻变存储器件性能的影响，可靠性高。
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公开(公告)号：CN118299931B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410721303.6
申请日：2024-06-05
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体紫外点光源激光器的制备方法，属于半导体光电子技术领域。该制备方法包括如下步骤：（1）采用原子层沉积方法在GaN薄膜表面制备MgO薄膜；（2）采用热分解方式在MgO薄膜表面制备ZnO籽晶，反应源为醋酸锌；（3）采用水热合成方法生长ZnO纳米线，反应源为醋酸锌和六次甲基四胺等比例混合；（4）采用化学浴沉积方法在ZnO纳米线表面制备ZnS量子点；（5）采用热蒸发方式制备电极材料。本发明在传统ZnO‑MgO‑GaN结构基础上，将ZnO层纳米结构化；进一步在ZnO纳米线表面引入ZnS量子点壳层，增强ZnO表面及侧壁的反射能力，保证光子由ZnO‑MgO界面处出射，最终形成点光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118299931A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410721303.6
申请日：2024-06-05
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体紫外点光源激光器的制备方法，属于半导体光电子技术领域。该制备方法包括如下步骤：（1）采用原子层沉积方法在GaN薄膜表面制备MgO薄膜；（2）采用热分解方式在MgO薄膜表面制备ZnO籽晶，反应源为醋酸锌；（3）采用水热合成方法生长ZnO纳米线，反应源为醋酸锌和六次甲基四胺等比例混合；（4）采用化学浴沉积方法在ZnO纳米线表面制备ZnS量子点；（5）采用热蒸发方式制备电极材料。本发明在传统ZnO‑MgO‑GaN结构基础上，将ZnO层纳米结构化；进一步在ZnO纳米线表面引入ZnS量子点壳层，增强ZnO表面及侧壁的反射能力，保证光子由ZnO‑MgO界面处出射，最终形成点光源。
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公开(公告)号：CN116448713A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310701371.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N21/3586 , G01N27/22
Abstract: 本发明涉及传感器领域，具体涉及一种基于Mie谐振效应的太赫兹生物传感器及其制备方法和应用。传感器结构包括：底层，设置在底层上面的圆柱阵列，所述圆柱阵列包括多个均匀分布的呈圆柱状的介电材料，所述底层为硼硅酸盐玻璃或石英玻璃。制备方法包括：介电材料晶圆片与硼硅酸盐玻璃或石英玻璃进行阳极键合，在介电材料表面涂胶、曝光，刻蚀，形成圆柱阵列，采用H2SO4、H2O2溶液的混合液清洗，然后氧等离子体处理，使用3‑氨丙基三乙氧基硅烷溶液浸泡，用碳二亚胺、N‑羟基硫代琥珀酰亚胺溶液和待测生物样品对应的抗体溶液混合浸泡。本发明基于Mie谐振原理制备了新结构的生物传感器，有较高灵敏度。
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公开(公告)号：CN111307911A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN118501229B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202410962970.3
申请日：2024-07-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N27/327 , G01N33/574 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种电化学微针生物传感器及其制备方法，所述生物传感器为三电极体系，包括工作电极、对电极和参比电极，三电极的基底材料均为硅基高密度微针阵列；其中工作电极为溅射金层的硅基高密度微针，表面沉积枝晶结构的金纳米颗粒，通过Au‑S键结合了具有高特异性的癌胚抗原(CEA)适配体；本发明提供的电化学微针生物传感器采用高密度硅基微针阵列构建三电极体系检测组织液中的癌胚抗原，工作电极具有枝晶结构的金纳米颗粒，优选的提高活性表面积，三电极一体的贴片式结构操作便捷，能够实现无创快速检测，并且检测灵敏度高、特异性好、检测限低，为癌胚抗原等肿瘤生物标志物的检测提供了简便、快捷的方法。
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公开(公告)号：CN113921652B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202110966566.X
申请日：2021-08-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352
Abstract: 一种III‑V族半导体超晶格量子点的制备方法，包括：(1)通过分子束外延法(MBE)在衬底表面外延生长缓冲层，在所述缓冲层表面生长至少一层的超晶格外延层；(2)在超晶格外延层表面沉积III族金属液滴，通过升高衬底温度，实现金属液滴向下刻蚀；(3)通入V族分子束流后，冷却至室温，获得超晶格量子点。本发明方式灵活、简单，通过控制金属液滴尺寸可实现对量子点尺寸分布的控制，且改变金属液滴种类及所刻蚀的超晶格材料体系，可获得不同种类的超晶格量子点材料。
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