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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111307876B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201811514190.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于检测二氧化氮的气体传感器及其制备方法。该传感器具有多层膜结构，包括硅基基底、绝缘层、电极层、气体敏感层，其中气体敏感层有石墨烯及复合在石墨烯表面的单层MoS2薄膜构成。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗硅晶圆衬底；(2)热氧化硅晶圆生成氧化硅绝缘层；(3)利用光刻工艺在氧化硅绝缘层上形成电极图形层；(4)在电极层上形成石墨烯层；(5)在石墨烯层上形成单层MoS2材料。本发明的气体传感器对NO2气体具有低的检测限，高灵敏度和低的响应时间等优点。本发明的气体传感器具有结构简单，与现有硅基电子器件制备技术兼容，能够进行低温、低成本制备等特点。
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公开(公告)号：CN111307876A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811514190.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种用于检测二氧化氮的气体传感器及其制备方法。该传感器具有多层膜结构，包括硅基基底、绝缘层、电极层、气体敏感层，其中气体敏感层有石墨烯及复合在石墨烯表面的单层MoS2薄膜构成。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗硅晶圆衬底；(2)热氧化硅晶圆生成氧化硅绝缘层；(3)利用光刻工艺在氧化硅绝缘层上形成电极图形层；(4)在电极层上形成石墨烯层；(5)在石墨烯层上形成单层MoS2材料。本发明的气体传感器对NO2气体具有低的检测限，高灵敏度和低的响应时间等优点。本发明的气体传感器具有结构简单，与现有硅基电子器件制备技术兼容，能够进行低温、低成本制备等特点。
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公开(公告)号：CN111307911B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN109920908B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201711334271.0
申请日：2017-12-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有超薄转变功能层的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器具有类似三明治结构，包括底电极、给氧牺牲氧化层、顶电极以及位于给氧牺牲氧化层和顶电极之间的转变功能层，该转变功能层通过活性金属薄层的自然氧化形成。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；(3)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积给氧牺牲氧化层；(4)利用物理气相沉积技术在给氧牺牲氧化层上面沉积活性金属薄层；(5)利用物理气相沉积技术在活性金属层上沉积惰性金属顶电极。本发明利用自然氧化界面层作为阻变存储器的转变功能层来进行阻变数据的存储，避免了界面氧化层对阻变存储器件性能的影响，可靠性高。
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公开(公告)号：CN111307911A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811514391.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/414 , H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种pH传感器及其制备方法。该pH传感器包括绝缘衬底材料、沉积在该绝缘衬底材料上的MoS2薄膜、源电极、漏电极以及电介质材料；其中，源电极、漏电极与电介质材料形成在MoS2薄膜周围构成封闭的传感器槽。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底，在衬底上涂一层光刻胶；(2)在光刻胶上曝光形成MoS2薄膜沉积区域；(3)使用化学气相沉积技术在该区域沉积MoS2，形成MoS2薄膜；(4)去除光刻胶保留MoS2薄膜图形，然后在MoS2薄膜图形的外侧形成源电极和漏电极；(5)沉积电介质材料形成传感器槽，得到pH传感器的器件单元。本发明构建的pH传感器电学信号优越，灵敏度高，且具有良好的稳定性。
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