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公开(公告)号：CN114538450B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366770.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
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公开(公告)号：CN114538457A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114538457B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202011366680.0
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B35/02
Abstract: 本发明公开了一种高纯四硼化硅粉末及其制备方法。该高纯四硼化硅粉末采用结晶度在40％‑60％之间的硼粉，选择硼粉和硅粉以3.2∶1‑4∶1的硼硅摩尔比例在气氛炉中高温反应合成，具体包括以下步骤：(1)将硅粉和硼粉按比例称重；(2)将硅粉和硼粉放入混料机中混合均匀；(3)将混合均匀的粉末装入刚玉坩埚中，并将坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1280‑1350℃，保温2‑3h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯四硼化硅粉末经XRD测定全部物相为SiB4相，且除Si和B外其他杂质含量小于1％。
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公开(公告)号：CN114538450A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011366770.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01B33/06
Abstract: 本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
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公开(公告)号：CN118373597A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410271883.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高频低损耗LTCC材料及其制备方法和应用，包括玻璃粉、溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂，所述玻璃粉质量分数为40‑60％，溶剂质量分数为30‑50％，分散剂质量分数为0.3‑1％，粘结剂质量分数为3.7‑7％，增塑剂质量分数为2‑6％。所述玻璃粉由30～58wt％高熔点玻璃粉、40～68wt％低熔点玻璃粉和2wt％添加物组成；本发明中通过多种玻璃材料的复合提高了材料烧结致密度和力学性能，烧结析出介电性能优异的CaSiO3和CaB2O4晶相，获得了高频低损耗的LTCC材料。
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公开(公告)号：CN116262653A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111519262.5
申请日：2021-12-13
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有高透光率低介电损耗的锂铝硅系微晶玻璃及其制备方法。按质量百分比计，玻璃组成为：54％≤SiO2≤62％，16％≤Al2O3≤24％，3％≤Li2O≤7％，2％≤ZrO2≤3％，1.2％≤TiO2≤1.6％，0.5≤Sb2O3≤2％，0.5≤ZnO≤2％，1％≤Na2O≤4％，1％≤CaO≤4％，1％≤MgO≤5％，1％≤K2O≤4％，0.5％≤MgF2≤1.5％。其制备方法包括以下步骤：(1)按照所设计的玻璃组成准确称量各种原料，将原料充分混合均匀后放入铂金坩埚中在1520℃熔制3h，浇注成块后在550℃退火处理30min，然后随炉冷却至室温；(2)将所得玻璃在580～610℃进行核化处理，核化时间为4h，然后在670～700℃进行晶化处理，晶化时间为1h；结晶处理后的样品随炉冷却至室温。本发明制备的锂铝硅系微晶玻璃具备高透光率、低介电损耗和良好的力学性能。
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公开(公告)号：CN214635600U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202022778809.0
申请日：2020-11-26
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了属于玻璃粉制作领域的一种用于混合氧化硼和二氧化硅粉体的恒温搅拌设备；其中恒温控制箱顶部安装有热源平台和温度计安装架，热源平台上方安装有水浴池，烧杯放置于水浴池中，烧杯和水浴池围成一个圆环形的水容纳空间，竖直安装于温度计安装架上的温度监测计伸入水容纳空间中；热源平台与安装于恒温控制箱上的温度调节控制器相连；恒温控制箱的一侧放置有电机底座，电机底座上方固接有连接杆，连接杆的中部安装有用于夹持烧杯的夹具。本实用新型对原料进行混料时，既可以保证浆料在混合过程中均匀受热，又可以对烧杯内粉体进行充分混合，避免密度较大的粉体沉淀至底层造成混料不均。
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