公开(公告)号：CN111063730A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910978671.8

申请日：2019-10-15

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 西原祯孝 ,  龟井宏二

IPC: H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20

Abstract: 提供一种在SiC外延晶片的制造中难以破裂的SiC基板。本发明的SiC基板(1)具备：第1主面(1a)、配置于第1主面(1a)的相反侧的第2主面(1b)及连结于第1主面(1a)和第2主面(1b)的外周(1c)，存在于SiC基板的周端部(1A)的、由中空部和从该中空部延伸的位错线连结而成的复合缺陷的密度为0.01个/cm2以上且10个/cm2以下。

公开(公告)号：CN110062953A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201780076148.5

申请日：2017-12-07

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L21/66 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的SiC晶片的缺陷测定方法包括：装置管理步骤，针对由发光强度不会因激励光的反复照射而变化的材料形成、并且在表面具有由凹部和/或凸部构成的图案的标准样品，在测定SiC晶片的缺陷之前，以与测定SiC晶片的缺陷时相同的照射条件照射所述激励光，从所述图案的反射像计测所述图案的S/N比，由此进行缺陷测定装置的装置管理。

公开(公告)号：CN109642342A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780051959.X

申请日：2017-08-21

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 郭玲 ,  龟井宏二

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  G01N21/956 ,  H01L21/205

Abstract: 本SiC外延晶片是在具有偏离角、且基板碳夹杂物密度为0.1～2.5个/cm2的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层所含的、由基板碳夹杂物引起的大凹坑缺陷和三角缺陷的合计密度为0.6个/cm2以下。

公开(公告)号：CN107407007A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011723.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明 ,  龟井宏二 ,  武藤大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/205 ,  H01L21/2053

Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11-20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。

公开(公告)号：CN101699637A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910178209.6

申请日：2006-11-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。

公开(公告)号：CN101310392A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680042644.0

申请日：2006-11-14

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有低驱动电压和高发光输出的氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有正电极，所述正电极包括与p型半导体层形成直接接触的透明导电层。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括依次形成在衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中每一层包括氮化镓基化合物半导体，所述发光器件具有分别设置在所述n型半导体层上和所述p型半导体层上的负电极和正电极，所述正电极至少部分地由透明导电膜形成，所述透明导电膜至少部分地与所述p型半导体层接触，在所述透明导电膜的半导体侧表面上存在包含III族金属成分的半导体金属混合层，并且所述半导体金属混合层的厚度为0.1至10nm。

公开(公告)号：CN1973379A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200580020771.6

申请日：2005-06-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有高反射性正电极的氮化镓基半导体化合物半导体发光器件，其中该高反射性正电极具有高反向电压和对p型氮化镓基化合物半导体层具有低接触电阻的优良可靠性。本发明的用于半导体发光器件的反射性正电极包括邻接p型半导体层的接触金属层，以及在所述接触金属层上的反射层，其中所述接触金属层由铂族金属或者包含铂族金属的合金形成，并且所述反射层由选自Ag、Al以及包含Ag和Al的至少一者的合金中的至少一种金属形成。

公开(公告)号：CN1918719A

公开(公告)日：2007-02-21

申请号：CN200580004938.X

申请日：2005-02-22

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 龟井宏二

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种具有正电极的氮化镓化合物半导体发光器件，其呈现与p型氮化镓化合物半导体层的低接触电阻并且可以高生产率制造。所述发明的氮化镓化合物半导体发光器件包括衬底、n型半导体层、发光层、p型半导体层、被设置为与所述n型半导体层接触的负电极，以及被设置为与所述p型半导体层接触的正电极，这些层以此顺序依次设置在所述衬底的上方并由氮化镓化合物半导体形成，其中所述正电极包括至少接触金属层，所述接触金属层与所述p型半导体层接触，所述接触金属层包括至少一种选自Pt、Ir、Rh、Pd、Ru、Re和Os的金属或者包含所述至少一种金属的合金；以及在所述正电极侧上的所述p型半导体层的表面部分包括包含正电极金属的层，所述包含正电极金属的层包含至少一种选自Pt、Ir、Rh、Pd、Ru、Re和Os的金属。