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公开(公告)号：CN1802728A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200480015692.1
申请日：2004-07-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/28 , H01L33/00 , H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/40 , Y10T29/53178
Abstract: 本发明提供了一种适于n型III族氮化物半导体的n型欧姆电极的结构，及其用于提供低的接触电阻率的形成方法。提供的n型欧姆电极在与n型III族氮化物半导体的结界面处包括铝和镧的合金或包括镧。所述方法包括在300℃或更低温度下形成镧铝合金层，以在所述结界面处形成富镧的n型欧姆电极。
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公开(公告)号：CN1711650A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200380103515.4
申请日：2003-11-17
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/30 , H01L33/12 , H01L33/18 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种磷化硼系半导体发光元件，其具备异种接合结构的发光部，该发光部是在导电性或者高电阻的单晶体基板的表面上依次具备由n型化合物半导体构成的n型下部包层、由n型的III族氮化物半导体构成的n型发光层、以及由设置在该发光层上的p型的磷化硼系半导体构成的p型上部包层而构成，且该磷化硼系半导体发光元件形成有与该p型上部包层接触的p型电极而构成，其特征在于，由磷化硼系半导体构成的非晶态层设置在p型上部包层和n型发光层中间。该磷化硼系半导体发光元件，正向电压或者阀值低，逆向电压优良。
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公开(公告)号：CN1541420A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02815677.3
申请日：2002-08-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供了一种利用具有能够避免连接麻烦的结构的蓝色LED制作多色发光灯的技术。特别地，本发明提供了使用能够发出高强度的合成绿色光异质结型GaP基LED结构制作多色发光灯的技术。同样，例如，通过蓝色LED和黄色LED来制作多色发光灯过程中，本发明提供了利用没有连接麻烦的蓝色LED和具有高发光强度的异质结型GaAs1－zPz基LED制作多色发光灯的技术。
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公开(公告)号：CN1460296A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02801861.3
申请日：2002-05-23
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L29/201 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/30 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02455 , H01L21/02461 , H01L21/02538 , H01L21/02543 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L31/03046 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 本发明通过汽相法制备半导体器件，并且提供一种半导体层，该半导体层由磷化硼(BP)或一种BP基混合晶体组成，上述磷化硼(BP)在室温下具有不少于2.8eV和不多于3.4eV的带隙，而BP基混合晶体含有磷化硼(BP)并用下面分子式表示：BαAlβGaγIn1－α－β－γPδAsεN1－δ－ε(其中0＜α＝1，0＝β＜1，0＝γ＜1，0＜α+β+γ＝1，0＜δ＝1，0＝ε＜1，0＜δ+ε＝1)。
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公开(公告)号：CN101828276B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880112206.6
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件，其具有基板(1)和设置于该基板的表面上的具有由III族氮化物半导体形成的势垒层(11b、12b)和由含铟的III族氮化物半导体形成的阱层(11a、12a)的多量子阱结构的发光层(10)，其中，该发光层是将多个重层部(11、12)层叠而构成的，所述重层部(11、12)是具有1个由阱层和势垒层构成的单元重层部分(11m)而构成的，或者是使2个以上的该单元重层部分(12m)层叠而构成的，在重层部(12)的单元重层部分(12m)为2个以上的情况下，其阱层彼此以及势垒层彼此的层厚和组成分别相同，重层部(11、12)彼此的单元重层部分的势垒层(11b、12b)的层厚相互不同，由此采用单独构成的唯一的发光层，能够在简单的构成下简便地射出多波长光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101809763B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880108858.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种III族氮化物半导体发光元件，具有基板(1)和在该基板的表面上设置的具有由含有镓的III族氮化物半导体材料形成的势垒层(5a)和阱层(5b)的多量子阱结构的发光层(5)，其中，形成所述多量子阱结构的各阱层由添加有受主杂质且层厚相互不同的呈与势垒层相同的传导类型的III族氮化物半导体层构成，不需要进行荧光体的微妙的组成调整等，能够以简单的结构简易地形成光度高且现色性也高的III族氮化物半导体白色系发光元件。
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公开(公告)号：CN1934717B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200580008071.5
申请日：2005-03-14
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/30
Abstract: 一种化合物半导体发光二极管，包括由III-V族化合物半导体构成的发光层以及设置在所述发光层上并由III-V族化合物半导体构成的电流扩散层，其特征在于，所述电流扩散层由导电的基于磷化硼的半导体构成，并且所述电流扩散层的室温带隙宽于所述发光层的室温带隙。
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公开(公告)号：CN100524625C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200580021454.6
申请日：2005-05-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 一种氮化镓基半导体层叠结构，包括低温沉积缓冲层和有源层。所述低温沉积缓冲层由III族氮化物材料构成，其已在低温下生长并以生长状态包括单晶层，所述单晶层存在于与蓝宝石衬底的(0001)(c)面接触的结区域的附近。所述有源层由设置在所述低温沉积缓冲层上的氮化镓(GaN)基半导体层构成。所述单晶层由包含相对于镓占多数的铝的六方AlXGaYN(0.5＜X≤1，X+Y＝1)晶体构成，以便AlXGaYN晶体的[2.-1.-1.0.]方向沿着所述蓝宝石衬底的(0001)底面的[2.-1.-1.0.]方向取向。
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公开(公告)号：CN100413104C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200580009941.0
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供了一种pn结化合物半导体发光器件，包括：包括由n型或p型磷化铝镓铟构成的发光层的层叠结构；以及用于支撑所述层叠结构的透光衬底，而且所述层叠结构和所述透光衬底接合在一起，其中所述层叠结构中包括n型或p型导电层，所述导电层和所述衬底接合在一起，以及所述导电层由含硼Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成。
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公开(公告)号：CN1989595A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200580021454.6
申请日：2005-05-25
Applicant: 昭和电工株式会社
Inventor： 宇田川隆
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/02609 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 一种氮化镓基半导体层叠结构，包括低温沉积缓冲层和有源层。所述低温沉积缓冲层由III族氮化物材料构成，其已在低温下生长并以生长状态包括单晶层，所述单晶层存在于与蓝宝石衬底的(0001)(c)面接触的结区域的附近。所述有源层由设置在所述低温沉积缓冲层上的氮化镓(GaN)基半导体层构成。所述单晶层由包含相对于镓占多数的铝的六方AlXGaYN(0.5＜X≤1，X+Y＝1)晶体构成，以便AlXGaYN晶体的[2.－1.－1.0.]方向沿着所述蓝宝石衬底的(0001)底面的[2.－1.－1.0.]方向取向。
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