公开(公告)号：CN1925722B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200610128074.9

申请日：2006-09-01

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 浦岛和浩 ,  由利伸治 ,  佐藤学 ,  大塚淳

IPC: H05K1/18 ,  H05K1/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L23/32 ,  H01L23/12

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01G2/06 ,  H01G4/38 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/642 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0231 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/10522 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10712 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种布线板包括基板内层板、陶瓷电容器和组合层。该基板内层板在其中具有在内层板主表面开口的外壳开口部分。该陶瓷电容器被容纳在该外壳开口部分中并定向，以便该内层板主表面和每个电容器的电容器主表面面对相同的方向。组合层包括在其表面上的各个位置的半导体集成电路元件安装区。在基板内层板中，每个陶瓷电容器分别被布置在对应于每个半导体集成电路元件安装区的区域中。

公开(公告)号：CN1446768A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN02158806.6

申请日：2002-12-25

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 墨泰志 ,  铃村真司 ,  境努 ,  水谷秀俊 ,  佐藤学

IPC: C03C3/089 ,  C03C3/091 ,  H01B3/08 ,  H04B1/50

CPC classification number: C03C8/14 ,  C03C14/004 ,  C03C2214/04 ,  C03C2214/30 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/162 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4676 ,  Y10T428/24926 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种介电材料，包括：由包括Si、B和碱金属元素的玻璃构成的玻璃粉末，该玻璃在1050℃或者更低的温度下在烧结中是非晶的；包括SiO2、Al2O3和3Al2O3·2SiO2中至少一种物质和碱金属的陶瓷填料，其中当包含在玻璃中的所有换算为SiO2的Si、换算为B2O3的B和换算为A2O的碱金属元素的总和为100摩尔％时，包含在玻璃中的换算为A2O的碱金属元素的含量为0.5摩尔％或者更低，其中A代表碱金属元素；当包含在陶瓷填料中的所有SiO2、Al2O3和3Al2O3·2SiO2中的至少一种物质和换算为A2O的碱金属元素的总和为100摩尔％时，换算为A2O的碱金属元素的含量为0.5摩尔％或者更低。

公开(公告)号：CN1392571A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02122616.4

申请日：2002-06-19

Applicant: 日本特殊陶业株式会社

Inventor： 山际胜也 ,  大塚淳 ,  笠岛崇 ,  佐藤学 ,  板仓一久 ,  大场高志 ,  松宫正彦

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C01G19/006 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/495 ,  H01B3/12

Abstract: 本发明提供了一种不含贵金属钽的介电瓷组合物，其中将介电常数εf约为30，无负荷质量系数Q值大以及谐振频率的温度系数τf的绝对值比较小的BMN系统材料作为基底材料。本发明还涉及一种主结晶相为复合钙钛矿型晶体结构氧化物的介电材料，其中，向BaO－MgO－Nb2O5系统材料(BMN系统材料)中加入预定量的KNbO3。通过用Sb部分取代Nb晶格点，以及用Sn部分取代钙钛矿型晶体结构的Ba晶格点，能够进一步改进高频率特性。