-
公开(公告)号：CN111316165A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071449.3
申请日：2018-08-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/027 , C08G73/10 , G03F7/20 , H01L21/312
Abstract: 提供作为树脂组合物的可获得介电常数、介质损耗角正切被进一步降低了的固化体的感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物制造固化浮雕图案的方法、以及具备该固化浮雕图案的半导体装置。一种负型感光性树脂组合物，其包含：(A)具有特定的单元结构的聚酰亚胺前体100质量份；以及(B)自由基型光聚合引发剂0.1质量份～20质量份。
-
公开(公告)号：CN109843852A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201780062564.X
申请日：2017-10-03
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C07C233/43 , C07C233/54 , C07C235/16 , C07C317/40 , C08G59/52 , G03F7/11 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供能够获得特别是在KrF工艺中发挥充分的防反射功能、高耐溶剂性和干蚀刻速度的抗蚀剂下层膜、并可以形成良好的截面形状的光致抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含共聚物，所述共聚物包含：来源于二环氧化合物的结构单元(A)；以及来源于下述式(1)所示的化合物的结构单元(B)，(式中，A表示苯环、或环己烷环，X表示氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的烷氧基、或碳原子数2～11的烷氧基羰基，所述碳原子数1～10的烷基和碳原子数1～10的烷氧基可以具有卤素取代基，Y表示-COOH、或-L-NHCO-Z-COOH，Z表示可以被氧原子、硫原子或氮原子中断的碳原子数3～10的亚烷基，L表示单键、或间隔基)。
-
公开(公告)号：CN109313389A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780021847.X
申请日：2017-03-29
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08K5/3445 , C08L63/00 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 提供抗蚀剂下层膜形成组合物以及使用该组合物的抗蚀剂下层膜和半导体装置的制造方法，在半导体装置制造的光刻工艺中，利用具有甘脲骨架的化合物添加剂增强防止形成在基板上的抗蚀剂图案的图案倒塌的功能。使用下面的式(1-1)的抗蚀剂下层膜形成组合物用添加剂：(式(1-1)中，R1～R4各自是由选自由有机基团组成的组中的至少一个基团取代氢原子后的C2～10烷基或C2～10烯基，所述有机基团包含羟基、硫醇基、羧基、C1～5烷氧基乙基、C1～5烷基磺酰基和酯键，能够全部相同也能够不同，R5和R6各自表示选自氢原子、C1～10烷基和苯基中的基团)。
-
公开(公告)号：CN109073978A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780026762.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/306
Abstract: 本发明的课题是提供对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。作为解决手段是一种对碱性过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：1分子中具有2个以上选自缩水甘油基、末端环氧基、环氧环戊基、环氧环己基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基、异氰酸酯基和封闭异氰酸酯基中的至少1种基团的交联剂，侧链或末端具有下述式(1)所示的基团且重均分子量为800以上的化合物，以及有机溶剂。(式中，X1表示与上述交联剂反应的取代基，R0表示直接结合或碳原子数1或2的亚烷基，X2表示碳原子数1或2的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或氟基，a表示0～2的整数，b表示1～3的整数，c表示0～4的整数，b与c满足1≤(b+c)≤5的关系式。)。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113646352B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202080027542.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n (1)
-
公开(公告)号：CN112513738B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
-
公开(公告)号：CN113631765B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080012817.4
申请日：2020-01-16
Abstract: 本发明的课题是提供将表面具有金属层的基材使用具有特定的组成的感光性纤维进行了加工的金属图案的制造方法、金属图案的制造方法、用于制造该感光性纤维的组合物，优选提供便宜且柔软的透明配线图案。解决手段是本发明的感光性纤维为包含正型感光性材料的感光性纤维。正型感光性材料可以包含酚醛清漆树脂等。本发明的金属图案的制造方法包含下述工序：在表面具有金属层的基材上形成由感光性纤维构成的纤维层的第1工序；将该纤维层经由掩模进行曝光的第2工序；将该纤维层通过显影液进行显影，形成感光性纤维图案的第3工序；以及将该金属层利用蚀刻液进行蚀刻，进一步将感光性纤维除去，从而形成网眼状金属图案的第4工序。
-
公开(公告)号：CN117178231A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202280027313.9
申请日：2022-04-25
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 在半导体装置制造工序中，在具有高低差的金属基板中，通过制成氧化金属(例如，氧化铜)与抗蚀剂下层膜的叠层结构来减少从基板的曝光反射率，从而减少抗蚀剂图案的驻波(由反射引起的不良状况)，在基板上获得良好的矩形的抗蚀剂图案。一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其包含下述工序：对表面包含金属的基板进行氧化处理，在基板表面形成金属氧化膜的工序；在上述金属氧化膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被上述金属氧化膜和上述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；以及将曝光后的上述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序。
-
公开(公告)号：CN109952631B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201780056169.0
申请日：2017-09-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/306 , C08G59/62 , C08G65/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物。解决手段是一种针对过氧化氢水溶液的保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1a)所示的化合物、式(1b)所示的化合物、具有下述式(2)所示的取代基的分子量为300以上且小于800的化合物、或具有下述式(2)所示的取代基的重均分子量为300以上且小于800的化合物；以及溶剂，相对于除去该溶剂后的固体成分，含有上述式(1a)或式(1b)所示的化合物0.1质量％～60质量％，或含有具有上述式(2)所示的取代基的化合物10质量％～100质量％。(式中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基或亚烯基、或直接结合，k表示0或1，m表示1～3的整数，n表示2～4的整数。)
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.029 seconds)
