-
公开(公告)号：CN104946152A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510148818.2
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/683 , H01L21/78
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力-应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。
-
公开(公告)号：CN104946150A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510145569.1
申请日：2015-03-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/04 , H01L21/683
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 芯片接合膜、带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供即使在芯片接合膜与半导体芯片之间、芯片接合膜与被粘物之间产生空隙，也能够降低空隙的影响的芯片接合膜。一种芯片接合膜，其特征在于，加热处理前在150℃下的储存弹性模量E’1为0.1MPa～10MPa，所述E’1与在150℃下加热1小时后在150℃下的储存弹性模量E’2之差即E’2-E’1为5MPa以下。
-
公开(公告)号：CN101855710B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880115089.9
申请日：2008-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/14 , H01L21/52
CPC classification number: C09J133/08 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C09J163/00 , C09J175/16 , C09J2201/606 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/3025 , Y10T428/1462 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供即使在工件为薄型的情况下将工件切割时的保持力与将通过切割得到的芯片状工件和该芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该粘合剂层上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有包含作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯含量在10～30摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体含量在70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物而构成的聚合物，所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成。
-
公开(公告)号：CN102002323A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010270782.2
申请日：2010-08-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/83856 , H01L2224/85001 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2225/06575 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/3025 , Y10T156/10 , Y10T428/1476 , Y10T428/2848 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜及其制造方法，所述带有切割片的胶粘薄膜在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有以可剥离的方式设置的胶粘薄膜，即使在半导体晶片为薄型的情况下也无损将其进行切割时的保持力，并且将通过切割得到的半导体芯片与该胶粘薄膜一体剥离时的剥离性优良。本发明的带有切割片的胶粘薄膜，在基材上依次层压有粘合剂层和胶粘剂层，其中，所述粘合剂层中，与所述胶粘剂层的粘贴面的至少一部分区域的Si-Kα射线强度为0.01～100kcps。
-
公开(公告)号：CN101740353A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910224844.3
申请日：2009-11-26
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/304 , B28D5/00 , C09J133/08 , B32B7/12
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B3/08 , B32B5/18 , B32B7/12 , B32B15/04 , B32B23/04 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/08 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/22 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B29/002 , B32B2255/205 , B32B2307/21 , B32B2307/306 , B32B2307/3065 , B32B2307/516 , B32B2307/518 , B32B2307/54 , B32B2457/14 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , Y10T428/249971 , Y10T428/249984 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的方法。本发明涉及切割模片接合膜，其包括：具有设置于基材上的压敏粘合剂层的切割膜；和设置于所述压敏粘合剂层上的模片接合膜，其中所述切割膜的压敏粘合剂层为包含发泡剂的活性能量射线固化型热膨胀性压敏粘合剂层，和其中所述模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种用于生产半导体器件的方法，其包括使用上述切割模片接合膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101645426A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910161128.5
申请日：2009-08-04
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L21/50 , C09J133/04
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L33/08 , C08L2205/02 , C08L2666/04 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/3025 , Y10T428/31511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
Abstract: 提供一种切割/芯片接合薄膜，即使工件为薄型的情况下，工件切割时的保持力和将通过切割得到的芯片状工件与芯片接合薄膜一体地剥离时的剥离性的平衡特性也优良。一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类聚合物形成，所述丙烯酸类聚合物由CH 2 ＝CHCOOR 1 表示的丙烯酸酯A、CH 2 ＝CHCOOR 2 表示的丙烯酸酯B、含羟基单体、和分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，上述式中，R 1 为碳原子数6～10的烷基，R 2 为碳原子数11以上的烷基，所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相对于丙烯酸酯A 60～90摩尔％，丙烯酸酯B为40～10摩尔％，所述含羟基单体的配合比例是：相对于所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的总量100摩尔％在10～30摩尔％的范围内，所述异氰酸酯化合物的配合比例是：相对于所述含羟基单体100摩尔％在70～90摩尔％的范围内，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。
-
公开(公告)号：CN101515564A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910006428.6
申请日：2009-02-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/78 , C09J133/08
CPC classification number: H01L24/29 , C09J7/20 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/61 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/01049
Abstract: 本发明提供一种切割/芯片焊接膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割膜和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，且即使在室温下产品的保存稳定性也优异。本发明的切割/芯片焊接膜具备：在基材上具有放射线固化型粘合剂层的切割膜、和设置于该粘合剂层上的芯片焊接膜，其特征在于，所述粘合剂层中的粘合剂含有丙烯酸类聚合物而构成，所述丙烯酸类聚合物的酸值为0.01～1，碘值在5～10的范围内。
-
公开(公告)号：CN1289580C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310114282.X
申请日：2003-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01M2/1653 , H01M2/022 , H01M2/1673 , H01M2/168 , H01M4/043 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明公开了一种电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜，该多孔膜在生产电池中，可作为电极/隔片叠层物而有效地生产电池，上述电极/隔片叠层物中电极与隔片暂时地相互粘接，从而在电极和隔片间不产生相互滑移，且在电池生产后该多孔膜自身起到隔片的作用，该隔片即使在高温下也具有较小的热收缩系数；本发明还公开了一种使用该负载有部分交联的粘合剂的多孔膜生产电池的方法。该电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜包括其上负载有部分交联的粘合剂的多孔膜基质，所述部分交联的粘合剂的部分交联是通过制备一个在分子中具有官能团、且可以与多官能化合物反应而交联的反应性聚合物，上述多官能化合物与前述官能团具有反应性，然后使反应性聚合物与多官能化合物反应。
-
公开(公告)号：CN1500823A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114282.X
申请日：2003-11-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01M2/1653 , H01M2/022 , H01M2/1673 , H01M2/168 , H01M4/043 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , Y10T29/49108
Abstract: 本发明公开了一种电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜，该多孔膜在生产电池中，可作为电极/隔片叠层物而有效地生产电池，上述电极/隔片叠层物中电极与隔片暂时地相互粘接，从而在电极和隔片间不产生相互滑移，且在电池生产后该多孔膜自身起到隔片的作用，该隔片即使在高温下也具有较小的热收缩系数；本发明还公开了一种使用该负载有部分交联的粘合剂的多孔膜生产电池的方法。该电池隔片用、负载有部分交联的粘合剂的多孔膜包括其上负载有部分交联的粘合剂的多孔膜基质，所述部分交联的粘合剂的部分交联是通过制备一个在分子中具有官能团、且可以与多官能化合物反应而交联的反应性聚合物，上述多官能化合物与前述官能团具有反应性，然后使反应性聚合物与多官能化合物反应。
-
公开(公告)号：CN104946152B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201510148818.2
申请日：2015-03-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力‑应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.068 seconds)
