公开(公告)号：CN102931089A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201110228658.4

申请日：2011-08-10

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  林峰 ,  马春霞 ,  黄枫 ,  任刚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明实施例公开了一种LDMOS器件及其制造方法。所述LDMOS器件制造方法包括：提供基底；在所述基底上依次形成第一氧化硅层和第一氮化硅层；在所述基底上形成漂移区场氧化层；去除所述第一氮化硅层和第一氧化硅层；在所述基底上依次形成第二氧化硅层和第二氮化硅层；采用沟槽隔离工艺在所述基底上形成隔离区氧化层。本发明所提供的LDMOS器件制造方法，不仅可实现与0.18μm的工艺兼容，而且还能提高LDMOS器件耐压的均匀性。

公开(公告)号：CN102087998A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910188619.9

申请日：2009-12-04

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 吴孝嘉 ,  罗泽煌 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L27/04

Abstract: 本发明涉及一种双多晶结构器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成阱和有源区，并热生长场氧层；热氧化生长第一栅氧层；淀积第一多晶硅层；采用等离子注入形成多晶硅电阻；通过等离子注入形成多晶硅电容下极板和第一栅极，并蚀刻掉多余的第一多晶硅层；对所述双多晶结构器件进行热处理；热氧化生长第二栅氧层，并生长绝缘介质；阈值调整注入；淀积第二多晶硅层；通过等离子注入形成多晶硅电容上极板和第二栅极，并蚀刻掉多余的第二多晶硅层。采用本发明方法制造的双多晶结构器件，利用两层不同的多晶硅分别作为高、低压器件的栅极，将其热处理、栅氧化层生长等工艺分离，使得高低压器件的参数特性可以独立调整，互不影响。

公开(公告)号：CN106992171A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610042080.6

申请日：2016-01-21

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 汪广羊 ,  顾力晖 ,  孙贵鹏

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0266

Abstract: 本发明提供了一种ESD版图结构及静电保护电路。所述ESD版图结构，包括：半导体衬底；若干栅极结构，位于所述半导体衬底上，所述栅极结构的第一端具有第一类型掺杂，所述栅极结构的第二端具有第二类型掺杂，若干源极和若干漏极，位于所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中，具有第一类型掺杂；其中，所述半导体衬底、所述源极和所述栅极结构的第二端均连接至接地端，所述漏极连接至输入端。本发明的优点是：在静电防护方面具有广泛的应用；可以降低触发电压；不增加制造成本。

公开(公告)号：CN106816468A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201510864548.5

申请日：2015-11-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 祁树坤 ,  孙贵鹏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有RESURF结构的横向扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，栅极，源极，漏极，体区，源极和漏极之间的场氧区，以及衬底上的第一、第二阱区，所述栅极下方的第二阱区内设有多个栅极掺杂区，所述栅极的多晶硅栅为多段式结构，各段之间相互分离，各个所述栅极掺杂区设于各段多晶硅栅之间的空隙下方，每个所述栅极掺杂区均与其两侧的两段多晶硅栅中靠源极方向的一段电性连接。本发明沟道电子的数量得到了增加，且电子在从源极流向漏极的过程中被多次加速，相当于提高了沟道电场和沟道电流，因此沟道电阻得到降低，从而降低了导通电阻。

公开(公告)号：CN105990242A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510048123.7

申请日：2015-01-29

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙贵鹏 ,  王琼 ,  韩广涛

IPC: H01L21/8246 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11266 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/66492

Abstract: 本发明公开了一种平板型ROM器件的制备方法，包括步骤：提供衬底，在衬底上形成P阱；在P阱上形成光刻掩膜层并进行光刻形成的注入窗口；在形成的注入窗口进行P型离子的注入形成P型区；在形成的注入窗口进行N型离子的注入从而在P型区上形成N型区；形成栅氧化层以及多晶硅栅完成器件的制备。上述平板型ROM器件的制备方法，利用同一光刻掩膜层进行P型区以及N型区的制备，从而在原来器件中的N型区与P阱的界面处形成浓度高于P阱的P型区，增加了PN结势垒高度，进而减小了器件的源漏极漏电，缓解了穿通现象，提高了器件耐压。并且，制备过程中无需增加额外的隔离掩膜版就可以有效提高器件的耐击穿特性，节省了生产成本。

公开(公告)号：CN105990139A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510051574.6

申请日：2015-01-30

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266

CPC classification number: H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一掺杂类型的漂移区；通过光刻版进行光刻，形成注入窗口；通过所述注入窗口注入第二掺杂类型离子形成体区，及注入第一掺杂类型离子形成源极区，控制注入角度和注入能量使所述体区的结深大于所述源极区的结深，宽度大于所述源极区的宽度；形成栅氧化层；淀积并蚀刻多晶硅，形成栅极。本发明制成的LDMOS，沟道长度更短，沟道电阻减小的同时，总尺寸更小，使总的Rdson更低，比传统的LDMOS Rdson可以低10％至30％。LDMOS与低压MOS能够共用同一层POLY，工艺更加简单，节省一道光刻流程，能够降低成本。

公开(公告)号：CN104377244A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310358585.X

申请日：2013-08-15

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 黄枫 ,  孙贵鹏 ,  韩广涛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7801

Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区为指状结构，其包括数条沿源区到所述漏区方向延伸的条状场区，所述条状场区之间由有源区隔离；条状场区上有从栅极延伸过来的条状栅极延伸区。根据本发明制作的半导体器件，利用条状场区上的条状栅极，使整个漂移区耗尽，实现较高的关态击穿电压，而一条条有源区的出现又使整个漂移区的杂质浓度提高，减小导通电阻。

公开(公告)号：CN104377243A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310351199.8

申请日：2013-08-13

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 韩广涛 ,  孙贵鹏 ,  黄枫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底内的体区；位于所述半导体衬底内的漂移区；位于所述体区内与所述漂移区相隔开的源区和体引出区；位于所述漂移区内的场区和漏区；以及位于所述半导体衬底表面上部分覆盖所述体区、所述漂移区和所述场区的栅极；其中，所述场区和所述漏区之间具有一定距离。根据本发明制作的半导体器件，在保持原有漂移区尺寸不变的前提下，将漂移区靠近漏端的场区尺寸缩短，使原有全部为场区的漂移区，变为一段场区和一段有源区，以降低LDMOS导通电阻，同时提高开状态崩溃电压。

公开(公告)号：CN103296082A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201210045076.7

申请日：2012-02-27

Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司

Inventor： 孙贵鹏 ,  张森 ,  吴孝嘉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/43

Abstract: 本发明提供一种金属氧化层半导体场效应晶体管，其包括第一导电性材料基板，形成在第一导电性材料基板上的第二导电性材料层，在第一导电性材料基板与第二导电性材料层的接面形成空乏区，其特征在于，所述第二导电性材料层上敷设有金属层以形成肖特基接面，所述金属层上敷设有绝缘层。本发明所述金属氧化层半导体场效应晶体管器件，与常规金属氧化层半导体场效应晶体管器件具有相同崩溃电压的情况下，可具有更低的导通电阻。