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公开(公告)号:CN216869584U
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202122935046.0
申请日:2021-11-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C25/00
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电陀螺仪和电子系统。一种微机电陀螺仪,其特征在于,包括:支撑结构;感测质量块,其以沿驱动方向以及感测方向的自由度耦合到支撑结构,驱动方向与感测方向彼此垂直;校准结构,其面向感测质量块、并且通过具有平均宽度的间隙与感测质量块间隔开,校准结构相对于感测质量块可移动,使得校准结构的位移引起间隙的平均宽度的变化;以及校准致动器,其被配置为控制校准结构相对于感测质量块的相对位置和间隙的平均宽度。本公开的实施例有利地抵消或在任何情况下显著降低零率输出的温度漂移。
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公开(公告)号:CN212658265U
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:CN202021139739.8
申请日:2020-06-18
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/56 , G01C19/5776 , G01C25/00
Abstract: 本公开涉及MEMS陀螺仪、电子处理单元和角速度感测系统。MEMS陀螺仪有由支撑结构承载以在彼此垂直的驱动方向和第一感测方向上移动的移动质量块。驱动结构以驱动频率管控移动质量块在驱动方向上的移动。移动感测结构耦合到移动质量块,并且检测移动质量块在感测方向上的移动。正交注入结构耦合到移动质量块,并且使移动质量块分别在第一和第二校准半周期中在感测方向上进行第一移动和第二移动。移动感测结构供应幅度在第一值和第二值之间切换的感测信号,该第一值和第二值取决于由于外部角速度以及第一和第二正交移动而导致的移动质量块的移动。感测信号的第一值和第二值彼此相减,并且与储存的差值进行比较,以供应比例因子的变化信息。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN221826184U
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202322918081.0
申请日:2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5649 , G01C19/5663
Abstract: 本公开涉及微机电陀螺仪和电子器件。微机电陀螺仪具有检测结构,该检测结构具有可移动结构,该可移动结构悬置在衬底上方,以便根据围绕竖直轴线的角速度来执行沿第一水平轴线的感测移动。该可移动结构具有至少一个驱动质量块,该驱动质量块在内部限定窗口,该窗口在锚定区域处通过弹性锚定元件弹性地耦合到转子锚;至少一个桥元件,该桥元件是刚性的并且由导电材料制成,悬臂式悬置并且在该窗口内沿着该第一水平轴线延伸,弹性地耦合到该驱动质量块上;可移动电极,由具有沿着第二水平轴线的延伸部的桥元件整体地承载。利用本公开的实施例有利地导致零速率水平(ZRL)和比例因子(SF)的稳定性增加。
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公开(公告)号:CN219603256U
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202223188759.6
申请日:2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 提供MEMS快门和包括MEMS快门的设备。MEMS快门包括:由主要孔径穿过的半导体材料的衬底,和形成固定到衬底的支撑结构的第一半导体层和第二半导体层;多个可变形结构;多个致动器;以及多个屏蔽结构,多个屏蔽结构中的每个屏蔽结构由第一半导体层与第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成,屏蔽结构被布置为成角度地围绕底层主要孔径以便提供对主要孔径的屏蔽,每个屏蔽结构经由对应可变形结构进一步耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制以便引起对应屏蔽结构在相应第一位置与相应第二位置之间的旋转,从而改变对主要孔径的屏蔽。屏蔽结构的第一和第二位置使得在MEMS快门的至少一种操作条件下相邻屏蔽结构对至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号:CN205873893U
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201620241631.7
申请日:2016-03-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81B7/0048 , B81C1/00325 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L2924/16251 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012
Abstract: 本申请涉及半导体材料的密封器件。提供一种半导体材料的密封器件,其中半导体材料的芯片(56)通过至少一个柱元件(60)固定至封装本体(51)的基础元件(52),柱元件具有比芯片大的弹性和可变形性,例如低于300MPa的杨氏模量。在一个实例中,四个柱元件(60)固定为与芯片的固定表面(56A)的角部邻近并且操作为非耦合结构,这防止将基础元件的应力和变形传递至芯片。从而提供对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件。
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公开(公告)号:CN218600576U
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN202221983503.1
申请日:2022-07-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5649 , G01C19/5656 , G01C19/5663
Abstract: 本公开涉及用于抑制正交误差的设备。该设备包括MEMS陀螺仪。该MEMS陀螺仪由衬底、第一质量块和第二质量块形成,其中第一质量块和第二质量块悬置于衬底上方,并且在静止状态下在限定第一方向和横向于第一方向的第二方向的延伸平面中延伸。该MEMS陀螺仪还具有:驱动结构,被耦合至第一质量块,并且被配置为在使用中使第一质量块在第一方向上移动;以及弹性耦合结构,在第一质量块与第二质量块之间延伸,并且被配置为将第一质量块在第一方向上的移动与第二质量块在第二方向上的移动耦合。弹性耦合结构具有第一部分和第二部分,第一部分具有第一刚度,第二部分具有大于第一刚度的第二刚度。
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公开(公告)号:CN217808766U
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202221267883.9
申请日:2022-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造电子器件的方法以及对应的电子器件。微机电器件,其特征在于,包括:衬底;第一结构层,在衬底上;第二结构层,在第一结构层上;感测质量块,在第一结构层中;多个第一弹性连接件,耦合至感测质量块和衬底,感测质量块经由多个第一弹性连接件在垂直于衬底的感测方向上具有最大位移距离;锚,耦合到衬底;限制板,在第二结构层中面向感测质量块;间隙,在感测质量块与限制板之间,间隙具有的宽度小于感测质量的最大位移距离;以及至少一个第二弹性连接件,耦合到限制板和锚。利用本公开的实施例有利地防止力的集中并能够吸收冲击,而不会受到或造成损坏。
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公开(公告)号:CN206348355U
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201621085736.4
申请日:2016-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0072 , G01C19/5755 , G01P1/00 , G01P2015/0814
Abstract: 本实用新型涉及MEMS传感器器件。一种提供有感测结构的MEMS传感器器件,包括:具有在水平面中延伸的上表面的衬底;悬置在衬底的上方的惯性质量;弹性耦合元件,弹性耦合元件弹性地连接到惯性质量,以便使得它们相对于衬底的惯性移动作为沿着属于水平面的感测轴的待检测量的函数;和感测电极,感测电极电容耦合到惯性质量,以便形成至少一个感测电容器,其电容值指示待检测量。微机电感测结构包括悬置结构,感测电极被刚性地耦合到悬置结构,并且惯性质量通过弹性耦合元件弹性地耦合到悬置结构;悬置结构通过弹性悬置元件被连接到相对于衬底固定的锚固结构。
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