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公开(公告)号：CN114144540B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202080052387.9
申请日：2020-07-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 亚历山大·N·勒纳 , 罗伊·沙维夫 , 萨蒂什·拉德哈基什南
Abstract: 本文所述的一个或多个实施方式一般涉及在半导体处理中用于在基板上形成膜的方法和系统。在本文所述的多个实施方式中，提供一种处理腔室，包括盖板，具有形成于盖板中的多个冷却通道；基座，具有形成于基座中的多个冷却通道；和喷淋头，其中喷淋头包含多个区段，并且各个区段至少部分被屏蔽物环绕。
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公开(公告)号：CN108695244B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810331694.5
申请日：2014-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 罗伊·沙维夫 , 梅于尔·奈克
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 一种用于在工件上产生互连的方法，所述方法包括获得具有特征结构的工件基板，在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构，如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构，施加铜覆盖物，热处理所述工件，以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。
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公开(公告)号：CN114269967A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080057610.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本公开案的实施方式一般关于有机气相沉积系统和与有机气相沉积系统相关的基板处理方法。在一个实施方式中，一种处理系统包括盖组件和多个材料输送系统。盖组件包括盖板及喷头组件，所述盖板具有第一表面和与第一表面相对设置的第二表面，所述喷头组件耦接至第一表面。喷头组件包括多个喷头。多个材料输送系统中的单独材料输送系统流体地连接至多个喷头中的一个或多个喷头，并设置在盖板的第二表面上。材料输送系统中的每个包括输送管线、输送管线阀、旁通管线及旁通阀，输送管线阀设置在输送管线上，旁通管线在输送管线阀和喷头之间设置的一点处流体地耦接至输送管线，旁通阀设置在旁通管线上。
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公开(公告)号：CN112899735A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110150776.1
申请日：2015-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , C25D7/12 , C23C18/16 , H01L21/288 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1‑50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105274595B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201510290730.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 迪米特里奥斯·阿吉里斯 , 塞尔达·阿克苏
IPC: C25D5/10
Abstract: 根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约‑1V至约‑6V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约6至约11的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层，所述阻挡层包含第一金属，所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势，以及所述种晶层包含第二金属，所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。
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公开(公告)号：CN110233099A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910263027.2
申请日：2015-03-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/288 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L23/532 , C23C18/16 , C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , C25D7/12
Abstract: 用于将导电膜施加至具有种晶层的基板上的电化学工艺包含把基板放入以与含钴或镍的电化学电镀浴接触，且电镀浴的pH为4.0至9.0。引导电流通过浴而至基板。浴中的钴或镍离子沉积至种晶层上。电镀浴可含氯化钴和甘氨酸。电流可为1-50毫安/平方厘米的范围。完成电化学工艺后，可以将基板移出电镀浴、清洗并干燥，接着以200℃至400℃的温度退火，以改善材料性质及减少接缝线缺陷。可通过多次循环来执行电镀及退火工艺。
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公开(公告)号：CN106057730A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610237028.6
申请日：2016-04-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: C21D1/26 , C21D9/0062 , C22F1/10 , C23C18/1653 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D7/123 , C25D17/005 , H01L21/2885 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/52 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L21/76879 , H01L2221/1068
Abstract: 一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，所述方法包括：在工件上的特征中形成种晶层，其中种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；在种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的电镀电解液；和在沉积第一金属化层之后热处理工件。
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公开(公告)号：CN105575798A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510597048.X
申请日：2015-09-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 伊斯梅尔·T·埃迈什
IPC: H01L21/3205 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/76843 , C25D5/34 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02068 , H01L21/6723 , H01L21/76862 , H01L21/76864 , H01L21/76873 , H01L21/32051 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种用于从种晶层表面去除污染的系统和方法。在本公开内容的一个实施方式中，一种用于在工件上电化学沉积的方法包括：(a)获得工件，所述工件包括特征结构；(b)将第一导电层沉积在所述特征结构中；(c)将所述工件移动至集成式电化学沉积镀覆工具，所述集成式电化学沉积镀覆工具配置用于氢自由基H*表面处理和电化学沉积；(d)在所述镀覆工具的处理腔室中，使用氢自由基H*表面处理来处理所述第一导电层，从而产生经处理的第一导电层；以及(e)将所述工件保持在相同镀覆工具中，并且在所述镀覆工具的电化学沉积腔室中，将第二导电层沉积于所述特征结构中的所述经处理的第一导电层上。
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公开(公告)号：CN105280614A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510290709.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 罗伊·沙维夫 , 伊斯梅尔·T·埃迈什 , 迪米特里奥斯·阿吉里斯 , 塞尔达·阿克苏
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 根据本公开案的一个实施方式，提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法，所述方法包含：使用电镀电解液以及施加在约-0.5V至约-4V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约1至约6的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层，所述阻挡层包含第一金属，所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势，以及所述种晶层包含第二金属，所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。
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