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公开(公告)号：CN111066134A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880058055.4
申请日：2018-09-11
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿迪卜·汗 , 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 托宾·卡芙曼·奥斯本
IPC: H01L21/67
Abstract: 本文提供一种用于输送气体至半导体处理系统的方法和设备。在一些实施方式中，该设备包含：气体入口管线，该气体入口管线具有入口阀；气体出口管线，该气体出口管线具有出口阀；气体流量控制器，该气体流量控制器经布置以控制通过该入口阀的流量；孔口，该孔口被包含在该气体出口管线、该出口阀、化学安瓿出口阀或出口隔离阀的至少一个内；化学安瓿，该化学安瓿流体耦接至该气体入口管线和该气体出口管线中的至少一个；和处理腔室。在一些实施方式中，该设备进一步包含：止回阀、一个或多个孔口和/或加热的转向管线。
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公开(公告)号：CN110603631A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201880029402.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN104641457A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048676.1
申请日：2013-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32449 , B05B1/005 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45582 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J2237/002 , H01L21/67069 , H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。
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公开(公告)号：CN118284857A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280076921.9
申请日：2022-10-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 金贤埈 , 艾伦·L·曹 , 谢卡尔·阿塔尼 , 梁奇伟 , 怡利·Y·叶
IPC: G03F7/38 , H01L21/687 , H01J37/32
Abstract: 本文描述了用于执行暴露后烘烤冷却操作的方法和设备。所述方法通过暴露后烘烤设置在处理腔室中的经加热基板支撑件上的基板来开始，所述处理腔室具有喷头。经加热基板支撑件经移动以增加经加热基板支撑件与喷头的冷却板之间的距离。使用基板升降装置将基板与经加热基板支撑件分离。基板被移动至冷却喷头附近。基板被冷却，直至基板低于约70摄氏度。使用基板升降装置将基板与冷却喷头间隔开，以及将基板与处理腔室的基板传送通道对准，以便由机械手移除。
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公开(公告)号：CN117198935A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311176344.3
申请日：2015-04-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/54 , C23C16/56
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110828346B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201911127078.9
申请日：2015-04-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/56
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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公开(公告)号：CN113994456A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080045314.7
申请日：2020-06-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687 , G03F7/38
Abstract: 本文描述的实施方式涉及用于曝光后处理的方法及设备。更特定而言，本文描述的实施方式涉及场引导的曝光后烘烤(iFGPEB)腔室及处理。在一个实施方式中，将基板传送至曝光后处理腔室中，且接着通过多个升降销将基板抬升至预处理位置。基板支撑件接着被抬升以与基板接合，且在iFGPEB处理之前真空吸附基板于其上。
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公开(公告)号：CN107799379B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201711262383.X
申请日：2013-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , B05B1/00 , B05B1/18 , C23C16/452 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及基板处理腔室和半导体处理系统。描述了气体分配组合件，包括环形主体、上板材及下板材。该上板材可以界定第一多个孔，并且该下板材可以界定第二和第三多个孔。该上板材和该下板材可以彼此耦接并与该环形主体耦接，使得该第一和第二孔形成通过该气体分配组合件的通道，并且该上板材和该下板材之间界定一容积。
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公开(公告)号：CN106463362B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201580025098.9
申请日：2015-04-21
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 本公开的实施例总体上涉及适于在一个时间同时固化多个基板的批量处理腔室。批量处理腔室包括各自独立地温度受控制的多个处理子区域。批量处理腔室可包括第一与第二子处理区域，第一与第二子处理区域各自由在批量处理腔室外的基板传送装置服务。此外，安装于批量固化腔室的装载开口上的槽形盖部减少周围空气在装载与卸载期间进入腔室的效果。
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