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公开(公告)号：CN109196634A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780032897.8
申请日：2017-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。
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公开(公告)号：CN107109643A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580064621.9
申请日：2015-12-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃莉卡·陈 , 卢多维克·戈代 , 薛君 , 怡利·Y·叶
Abstract: 本文所述实施方式涉及用于形成流动式化学气相沉积(FCVD)膜的方法，该方法适于高深宽比缝隙填充应用。所述多种处理流程包括处理沉积的FCVD膜以改善介电膜密度与材料组成而使用的离子注入工艺。可用多种次序组合来应用离子注入工艺、固化工艺与退火工艺以在器件材料热收支内的温度下形成具有改良密度的介电膜。改善膜质量特性包括与传统FCVD膜形成工艺相比降低的膜应力与减少的膜收缩。
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公开(公告)号：CN101418438B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200810171160.7
申请日：2008-10-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿布海杰特·巴苏·马利克 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 叶怡利
IPC: C23C16/42 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01L21/3105
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/452 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供了一种在基板上沉积含硅和氮的膜的方法。所述方法包括将含硅前体引入到包含基板的沉积室中，其中含硅前体包括至少两个硅原子。所述方法还包括通过远程等离子体系统产生至少一种自由基氮前体，所述远程等离子体系统设置在沉积室外部。而且，所述方法包括将自由基氮前体引入到沉积室中，在所述沉积室中自由基氮和含硅前体反应且在基板上沉积含硅和氮的膜。而且，所述方法包括在蒸汽气氛中退火含硅和氮的膜以形成氧化硅膜，其中蒸汽气氛包括水和酸性蒸汽。
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公开(公告)号：CN1662676A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN03814617.7
申请日：2003-05-08
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 费尔哈德·D·穆加达姆 , 赵军 , 蒂莫西·韦德曼 , 里克·J·罗伯茨 , 夏立群 , 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 , 文·H·朱 , 黄楚范 , 李丽华 , 埃利·Y·易 , 郑毅 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 埃里克·霍拉 , 亦康苏 , 源松文 , 莱斯特·A·德克鲁埃 , 特洛伊·金 , 戴安·苏吉阿托 , 彼得·韦曼·李 , 希沙姆·穆萨德 , 梅利沙·M·塔姆
IPC: C23C16/30 , C23C16/56 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02126 , B05D1/60 , B05D3/068 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3122 , H01L21/3125
Abstract: 一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
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公开(公告)号：CN119856120A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202380064584.6
申请日：2023-09-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴辉雄 , 芒格什·阿肖克·邦阿 , 许志安 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 怡利·Y·叶
IPC: G03F7/38 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本文中描述一种用于执行曝光后烘烤操作的方法及设备。在基板上的光致抗蚀剂曝光之后，在烘烤工艺期间加热基板以促进对抗蚀剂的保护。在真空环境中在次大气压的压力下执行烘烤工艺。在以减少的压力进行烘烤之后，使基板冷却。在次大气压的压力下执行冷却工艺。在环境压力下执行抗蚀剂的进一步显影。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115087759B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202080096397.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 陈秀·克里斯·莹 , 叶怡利 , 埃莉卡·陈 , 尼廷·托马斯·亚历克斯
IPC: C23C16/505 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/26
Abstract: 一种用于在基板上沉积碳化合物的方法和设备包括：使用具有腔室主体、盖、内部空间、泵设备和气体传输系统的电感耦合等离子体(ICP)腔室和用于支撑设置于ICP腔室的内部空间内的基板的基座，基座具有从氮化铝形成的具有上部表面的上部部分和具有从氮化铝形成的管状结构的下部部分，上部部分被构造成用以支撑基板和以嵌入的加热元件加热基板，下部部分被构造成用以支撑上部部分且装载用于给上部部分的嵌入的加热元件供应功率的电极，并且基座被构造成用以在碳化合物膜的沉积期间加热基板。
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公开(公告)号：CN116998001A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280022399.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 芒格什·阿肖克·邦阿 , 高塔姆·皮莎罗蒂 , 兰斯洛特·黄 , 艾伦·L·曹 , 小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 , 戴辉雄 , 德米特里·卢博米尔斯基 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 克里斯托弗·S·恩盖
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开内容的实施方式一般涉及用于验证和再利用处理流体的设备和方法。设备通常包括用于执行光刻的工具及耦接至工具的再循环路径。再循环路径通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集单元、及在第一端耦接至收集单元的第二端的探针，探针用于确定从工具流出的流体的一个或多个特性。设备的再循环路径通常进一步包括在第一端处耦接至收集单元的第三端的净化单元，此净化单元在第二端处进一步耦接至探针的第二端，此净化单元用于改变流体的特性。
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公开(公告)号：CN109196634B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780032897.8
申请日：2017-05-22
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。
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公开(公告)号：CN110603631B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201880029402.0
申请日：2018-03-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 梁奇伟 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼 , 阿迪卜·汗 , 文卡塔·拉维尚卡·卡西布特拉 , 苏坦·马立克 , 肖恩·S·康 , 基思·塔特森·王
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种用于处理基板的高压处理系统，包括：第一腔室；基座，定位在第一腔室内，以支撑基板；第二腔室，邻近第一腔室；真空处理系统，配置成将第二腔室内的压力降低到接近真空；阀组件，位于第一腔室和第二腔室之间，以将第一腔室内的压力与第二腔室内的压力隔离；和气体输送系统，配置成将处理气体引入第一腔室，并当处理气体在第一腔室中时且当第一腔室与第二腔室隔离时，增加第一腔室内的压力到至少10个大气压。
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公开(公告)号：CN115104176A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180015194.0
申请日：2021-01-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 马克西米利安·克莱蒙斯 , 尼古劳斯·贝基亚里斯 , 斯里尼瓦斯·D·内曼尼
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 大体而言，本文描述的示例涉及用于在同一处理腔室中在沉积在基板上的可流动间隙填充膜上实行多个处理的方法和处理系统。在一示例中，半导体处理系统包括处理腔室和系统控制器。系统控制器包括处理器和存储器。存储器储存指令，所述指令在由处理器执行时使系统控制器：控制在处理腔室中的第一处理，所述第一处理在基板上实行，所述基板上具有通过可流动处理沉积的膜，以及控制在处理腔室中的第二处理，所述第二处理在其上具有所述膜的基板上实行。第一处理包括稳定膜中的键以形成经稳定的膜。第二处理包括致密化经稳定的膜。
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