公开(公告)号：CN102646587A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210037725.9

申请日：2012-02-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/02 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D10/02

CPC classification number: C11D11/0047 ,  C11D7/5013 ,  C11D7/5022 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂，所述方法包括：形成化合物半导体叠层结构；除去化合物半导体叠层结构的一部分，以便形成凹形部分；使用洗涤剂清洁凹形部分的内部，其中所述洗涤剂包含与凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂和溶剂。

公开(公告)号：CN102610557A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210024955.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76829 ,  C09D129/04 ,  C09D129/14 ,  C09D139/06 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  C08L25/18 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种表面覆盖方法，其以覆盖层叠体的至少绝缘膜表面的方式涂布表面覆盖材料，从而在所述绝缘膜表面形成覆膜，其中，所述表面覆盖材料含有水溶性树脂、有机溶剂和水，所述层叠体具有在表面上露出的绝缘膜和在表面上露出的被图案化的金属布线。

公开(公告)号：CN101251996A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200810009431.9

申请日：2008-02-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 犬饲和明 ,  今纯一

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B5/3163 ,  G11B5/1278

Abstract: 本发明涉及制造磁记录头的方法，该方法包括：抗蚀剂图案形成步骤，用于形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层由热塑性树脂制成，并且其中以磁记录头的主磁极的形状形成有孔；硬化处理步骤，用于使所述抗蚀剂层的表面硬化；烘烤步骤，用于在所述硬化处理步骤之后热烘烤所述抗蚀剂层，以暂时使所述抗蚀剂层流动化；以及主磁极形成步骤，用于通过使用主磁极的材料填充所述抗蚀剂层中的所述孔，来形成主磁极。

公开(公告)号：CN1279405C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN03147412.8

申请日：2003-07-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  野崎耕司 ,  矢野映

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/117 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122

Abstract: 一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。还公开了一种使用它的图案化方法。

公开(公告)号：CN1802606A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN02802632.2

申请日：2002-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和 ,  并木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。