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公开(公告)号：CN109360595A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811008575.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，包括：烧断指令器；四根熔丝；四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第一电阻、第二MOS管的漏极接第二电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第五电阻、第四MOS管的漏极接第六电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极。
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公开(公告)号：CN115494770B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202211162241.7
申请日：2022-09-23
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G05B19/042 , G01F23/26 , G01R27/26
Abstract: 本发明公开了基于电容液位开关的抗结污及污水排放控制方法与系统，涉及电容液位开关领域，其通过在控制板靠近电容液位开关检测头的一端设置成间隔布置的第一电极引脚与第二电极引脚，利用第一电极引脚与第二电极引脚检测出初始环境电容值，通过初始环境电容值设置结污状态下的电容值；在污水箱的使用过程中，获取第一电极引脚与第二电极引脚之间的实时互电容，并在实时互电容升高至结污状态下的电容值时，通过MCU处理器控制预警提示电路输出预警信号；在设置的第一电极引脚与第二电极引脚的基础上，通过MCU处理器关闭第二电极引脚的输出以控制污水的排放，本发明基于第一电极引脚与第二电极引脚同时实现了污水排放控制与电容液位开关的结污检测。
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公开(公告)号：CN118858737B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411349801.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种异形母排电流传感器及其电流测试方法，包括母排本体、内凹切口槽以及差分磁敏感芯片，内凹切口槽包括第一内切口和第二内切口，第二内切口沿母排本体的宽度方向对母排本体做减薄处理。本发明在内凹切口槽形成与磁敏感芯片相对应的阶梯结构，可以适应母排本体电流流通时电流分布高低频不同所产生的影响，解决带宽减少的问题，本发明还具有较好的通流能力和较小的位置误差，以增强电流检测的效果。
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公开(公告)号：CN119110671A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411569966.7
申请日：2024-11-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种化合物霍尔集成芯片及其制备方法，其中制备方法为在器件制造工序完成后的硅基信号调理芯片的晶圆表面通过黄光和蚀刻形成凹槽，在凹槽内分别沉积介质薄膜和有机粘接胶，然后将化合物霍尔元件装配至凹槽的内部，再使用介质层填充凹槽，最后利用CONTACT、VIA、互连线实现化合物霍尔元件与硅基信号调理芯片的调理电路之间的信号连接，最终得到化合物霍尔集成芯片。本发明通过异质集成将化合物霍尔元件和硅基信号调理芯片集合在一起形成一个单独的化合物霍尔集成芯片，相比于单芯片硅基霍尔来说具有灵敏度和温漂特性等性能优势。
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公开(公告)号：CN118434265A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410890900.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法，其中单芯片集成3D霍尔器件设置有：STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极，其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极，在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流，当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时，沿另一个垂直方向会产生感应电势，集中在第二N型电极，从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成，其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm～50μm范围内，因此其尺寸非常小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116884942A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310841945.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种引线框架单元及多排引线框架,包括:框架本体；架边框，沿所述框架本体的周向设置；所述框架本体沿框架边框的长度方向布置若干芯片；流道，设置于所述框架边框；用于引线框架单元的注塑成型工序，同时采用多段流道设计，有效减少框架边框与注塑成形的粘接面积；中筋，设置于相邻芯片中间以避免芯片引脚变形；边筋，设置芯片与框架边框之间以避免芯片引脚变形。该发明可以满足高端产品、车规级以及工业级的使用需求。
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公开(公告)号：CN109360595B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201811008575.2
申请日：2018-08-31
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种基于熔丝技术的芯片参数多次编程电路，包括：烧断指令器；四根熔丝；四个MOS管，每个MOS管的栅极与烧断指令器连接，接收烧断指令；第一MOS管的漏极与第二MOS管的漏极之间连接第一熔丝，第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间连接第二熔丝，第一MOS管的漏极接第二电阻、第二MOS管的漏极接第一电阻，第一MOS管的源极接第三电阻、第二MOS管的源极接第四电阻合并接入比较器的正极；第三MOS管的漏极与第四MOS管的漏极之间连接第三熔丝，第三MOS管的源极与第四MOS管的源极之间连接第四熔丝，第三MOS管的漏极接第六电阻、第四MOS管的漏极接第五电阻，第三MOS管的源极接第七电阻、第二MOS管的源极接第八电阻合并接入比较器的负极。
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公开(公告)号：CN111948438A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010833304.1
申请日：2020-08-18
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种低成本电流传感器，涉及电流检测技术领域，用以解决双铁芯或三铁芯磁通门成本较高，而单铁芯磁通门激励磁场噪声大，二次谐波难以提取的问题，本电流传感器包括：单铁芯组件和控制电路；所述控制电路由微处理器实现，包括激励回路、互感器回路、补偿模块以及反馈回路；所述激励回路、互感器回路以及反馈回路均和单铁芯组件连接；所述互感器回路通过补偿模块和反馈回路连接。本电流传感器利用互感器原理提取磁通门二次谐波信号，并且采用单环铁芯，成本较低。
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公开(公告)号：CN111238673A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010009982.6
申请日：2020-01-06
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01K7/21
Abstract: 本发明提出了一种薄膜温度传感器的测量电路，涉及薄膜温度传感器技术领域，包括：第一运算放大器的反相输入端和输出端均连接到薄膜电阻的第一端；薄膜电阻的第二端连接到一恒流源；第一电阻的第一端与第一运算放大器的输出端相连，第二端与第一运算放大器的同相输入端相连；第一电阻的第二端通过第二电阻接地；第二运算放大器的输出端连接到电位器的第一端；电位器的第二端分别连接到所述恒流源和第二运算放大器的同相输入端；第三电阻的第一端与第二运算放大器的输出端相连，第二端与第二运算放大器的反相输入端相连；第三电阻的第二端通过第四电阻接地；电位器的第二端的电压值为输出信号。该测量电路可满足不同传感器的互换性使用要求。
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公开(公告)号：CN110146832B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910555343.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R33/06
Abstract: 本发明提供了一种微型磁通门传感器，涉及磁场检测传感器技术领域，用以解决目前磁通门传感器体积尺寸大、批量生产成本高，装配误差较大，电路复杂，小型化难度大的问题，本微型磁通门传感器包括双铁芯组件、自振荡模块、电流叠加与放大模块以及电压采集模块；所述双铁芯组件包括第一铁芯和第二铁芯，所述第一铁芯上有第一绕组线圈，第二铁芯上有第二绕组线圈，所述第一绕组线圈和第二绕组线圈分别和自振荡模块的输入端连接，自振荡模块的输出端分别和电流叠加与放大模块以及电压采集模块连接。本磁通门传感器处理电路简单，不需要人为调试，容易集成化。
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