公开(公告)号：CN102007578B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN200980113209.6

申请日：2009-04-10

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  长谷部类 ,  宫下雅之

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/02054 ,  H01L21/0206 ,  Y10S438/906

Abstract: 在半导体基板等的清洗中，需要进行至少由5个工序构成的清洗。本发明提供一种清洗方法，其包括：利用含有臭氧的超纯水进行清洗的第一工序、利用含有表面活性剂的超纯水进行清洗的第二工序、以及利用含有超纯水和2-丙醇的清洗液除去来源于表面活性剂的有机物的第三工序。第三工序后，照射氪气等稀有气体的等离子体，将来源于表面活性剂的有机物进一步除去。

公开(公告)号：CN102792449A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180011856.3

申请日：2011-03-02

Applicant: 先进动力设备技术研究协会 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 神林宏 ,  上野胜典 ,  野村刚彦 ,  佐藤义浩 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28264 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4488 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02277 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。

公开(公告)号：CN101490849B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200780026588.6

申请日：2007-07-12

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  黑田理人

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种积累型晶体管，沟道区半导体层的杂质浓度高于2×1017cm-3，从而能够承受更大的栅极电压摆幅。

公开(公告)号：CN1981368B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580021970.9

申请日：2005-07-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  斯特拉化工公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  菊山裕久 ,  二井启一 ,  山本雅士

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体表面的原子洗脱少、能够制成清洁且平坦的半导体表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。本发明使用含有醇类或酮类中的至少一种的水溶液，由此能够得到实现从半导体表面的洗脱少的处理及清洁且平坦的表面的处理液、处理方法及半导体制造装置。

公开(公告)号：CN101233795B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200680024226.9

申请日：2006-08-18

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0254

Abstract: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备，该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜，由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特性的劣化，所以能够显著提高组件或印刷基板等多层电路基板的信号传输特性等性能。多层电路基板(10)包括在基材上具有多个布线层和位于上述多个布线层间的多个绝缘层，上述多个绝缘层内的至少一部分由多孔质绝缘层(1)和非多孔质绝缘层(2)构成，该多孔质绝缘层(1)包含选自由多孔质体、气凝胶、多孔质二氧化硅、多孔性聚合物、中空二氧化硅、中空聚合物组成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，该非多孔质绝缘层(2)为上述多孔质绝缘层(1)的至少一面不包含上述多孔质材料组。电子设备使用该多层电路基板。

公开(公告)号：CN102057483A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200980121220.7

申请日：2009-05-22

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  今井纮 ,  寺本章伸

IPC: H01L23/12 ,  H01P3/08 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0218 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6616 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/025 ,  H05K1/0265 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0352 ,  H05K2201/0715 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09727 ,  H05K2201/09972 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有：第一配线区域(101)，其中配线(103a)和绝缘层(104a，104b)交替地层叠；以及第二配线区域(102)，其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1，绝缘层(104)的厚度H2是2倍以上，并且相对于配线宽度W1，配线(103b)的宽度W2为2倍以上。第一配线区域(101)和第二配线区域(102)被一体地形成在同一基板上。

公开(公告)号：CN101903562A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200880122240.1

申请日：2008-12-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  田中宏治

IPC: C23C16/511 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L31/028 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1816 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。

公开(公告)号：CN101897012A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120041.7

申请日：2008-10-07

Applicant: 株式会社新川 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 前田徹 ,  歌野哲弥 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/7865 ,  H01L2224/78744 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/00

Abstract: 在焊接装置(10)中，包括：内部保持惰性气体气氛的室(12)；第一等离子枪(20)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射置于室(12)内的衬底(41)和半导体芯片(42)，进行焊接点和电极的表面处理；第二等离子枪(30)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射位于室(12)内的毛细管(17)前端的初始球(19)或引线(18)，进行初始球(19)或引线(18)的表面处理；焊接处理部(100)，在室(12)内将经表面处理的初始球(19)、引线(18)焊接在经表面处理的焊接点及电极上。由此，有效地进行电极、焊接点及引线双方的表面清洁。

公开(公告)号：CN100559567C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200580033312.1

申请日：2005-09-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北川淳一 ,  尾崎成则 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。

公开(公告)号：CN101512774A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200780031903.4

申请日：2007-06-21

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  程炜涛

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。