公开(公告)号：CN113267956B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。

公开(公告)号：CN113253563B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110081395.2

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/48 ,  G03F1/56

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底，设置在衬底之上的反射多层，设置在反射多层之上的帽盖层，设置在帽盖层之上的中间层，设置在中间层之上的吸收体层，以及设置在吸收体层之上的覆盖层。中间层包括氢扩散率比帽盖层的材料更低的材料。

公开(公告)号：CN115524921B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202210434807.0

申请日：2022-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/66

Abstract: 一种倍缩光罩外壳及其处置方法，倍缩光罩外壳包括：包括一第一表面的一基座；一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩；及一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。

公开(公告)号：CN118276392A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311039920.X

申请日：2023-08-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭家彤 ,  许倍诚 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/62 ,  G03F1/64

Abstract: 一种用于极紫外线反射型光罩的薄膜及其制造方法，用于极紫外线(extreme ultraviolet,EUV)反射型光罩的薄膜包括附接至框架的膜。此膜包括多个纳米管束，各纳米管束包括多个由第一纳米管材料制成并结合在一起的多壁纳米管，以及在多个纳米管束上的第二纳米管材料的多个包裹层，第二纳米管材料不同于第一纳米管材料。此薄膜有利地具有良好的EUV透光率，增加了在EUV曝光环境下的强度，从而延长了寿命。

公开(公告)号：CN112305856B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202010751636.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  杨淳復 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: 本揭露描述一种极紫外光微影光罩与图案化半导体晶圆的方法。此方法包括接收极紫外光微影光罩，其包括具有低温膨胀材料的基材，位在基材上的反射多层膜，位在反射多层膜上的覆盖层及位于覆盖层上的吸收层。此方法还包括图案化吸收层，以在极紫外光微影光罩上形成沟渠，其中沟渠具有在目标宽度以上的第一宽度。此方法还包括使用氧电浆处理极紫外光微影光罩，以将沟渠减少到第二宽度，第二宽度小于目标宽度。此方法亦包括使用氮电浆处理极紫外光微影光罩，以保护覆盖层，其中使用氮电浆处理极紫外光微影光罩扩大沟渠至在目标宽度的第三宽度。

公开(公告)号：CN115903372A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202210767783.0

申请日：2022-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李伟豪 ,  许倍诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林进祥

IPC: G03F1/48

Abstract: 本公开涉及具有涂层的光学组件和使用方法。经涂覆的纳米管和纳米管束被形成为用于EUV光刻系统中的光学组件的膜。这些光学组件可用于对半导体衬底上的材料进行图案化的方法。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件，如薄膜组件的涂覆层。穿过涂覆层的UV辐射穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵。穿过单个纳米管的矩阵或纳米管束的矩阵的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处接收。

公开(公告)号：CN115877649A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210859358.4

申请日：2022-07-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  李伟豪 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  余青芳

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。

公开(公告)号：CN115220296A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210628062.1

申请日：2022-06-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈建诚 ,  李环陵 ,  连大成 ,  陈嘉仁 ,  李信昌

IPC: G03F1/30

Abstract: 本公开涉及光刻掩模和方法。提供了一种光刻掩模，包括衬底、位于衬底上的相移层和蚀刻停止层。相移层被图案化并且衬底被蚀刻停止层保护免受蚀刻。蚀刻停止层可以是对光刻工艺中使用的光半透射的材料，或者可以是对光刻工艺中使用的光透射的材料。

公开(公告)号：CN115016226A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110820401.1

申请日：2021-07-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  陈立锐 ,  高蔡胜 ,  林进祥

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/22

Abstract: 一种薄膜组件和倍缩光罩组件的形成方法以及薄膜膜状物，形成薄膜组件的方法包括减少一或多个初始膜状物的厚度以获得薄膜膜状物。接着将薄膜膜状物固定至安装框架以获得薄膜组件。可施加压缩压力以减少初始膜状物的厚度。可替代的是，通过拉伸初始膜状物来减少厚度以获得经延伸膜状物。接着将安装框架固定至经延伸膜状物的一部分。接着将安装框架及经延伸膜状物的此部分与经延伸膜状物的其余部分分离，以获得薄膜组件。所得薄膜组件包括附接至安装框架的薄膜膜状物。薄膜膜状物可由纳米管形成且具有高透射率、低偏转及小微孔尺寸的组合。

公开(公告)号：CN114647156A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210126552.1

申请日：2022-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开提供了带涂覆层的光学组件及使用方法。在EUV光刻系统中，经涂覆的纳米管和纳米管束被形成在光学组件中有用的膜中。这些光学组件在用于在半导体衬底上图案化材料的方法中有用。这样的方法涉及在UV光刻系统中产生UV辐射。UV辐射穿过光学组件(例如，薄膜组件)的涂覆层。已穿过涂覆层的UV辐射穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体。穿过个体纳米管的基体或纳米管束的基体的UV辐射从掩模反射并在半导体衬底处被接收。