-
公开(公告)号：CN110828302A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910355749.0
申请日：2019-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 半导体系统与方法提供于此。在一实施例中，成膜方法包括接收基板，配送底材于基板上，以及施加有机金属光致抗蚀剂溶液于基板上的底材上，以形成有机金属光致抗蚀剂层于底材上。底材含水。
-
公开(公告)号：CN110824858A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910748727.0
申请日：2019-08-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种微影的方法、集成电路的制造方法及清洗溶液，提供在现有技术能达到高图案结构整合度的光刻胶清洗溶液及相应的微影技术。示范的微影方法包含在工作件上形成光刻胶层，将光刻胶层对辐射进行曝光，使用显影剂对曝光的光刻胶层进行显影，以移除曝光的光刻胶层的未曝光部分，借此形成图案化的光刻胶层，以及使用清洗溶液以清洗图案化的光刻胶层。显影剂为有机溶液，且清洗溶液包含水。
-
公开(公告)号：CN110716394A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910272919.9
申请日：2019-04-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供多种半导体系统、设备及方法。在一实施例中，极紫外光光刻系统包括：基板台，配置以将基板固定在第一垂直高度，其中基板上沉积有光刻胶层；至少一电极，位于第一垂直高度上方的第二垂直高度；以及电源，配置以在前述至少一电极与基板台上施加电场，包括当基板固定在基板台上时电场跨越光刻胶层的厚度。
-
公开(公告)号：CN106226998B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610770956.9
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种光刻方法，包括：在基板上形成第一图案化阻剂层，上述第一图案化阻剂层包括至少一个开口；在上述第一图案化阻剂层及上述基板上形成一水溶性聚合物层，藉以在上述第一图案化阻剂层及上述水溶性聚合物层的界面发生反应；以及在上述基板上形成第二图案化阻剂层，其中上述第二图案化阻剂层的至少一部分设置于上述第一图案化阻剂层的至少一个开口内或邻接上述第一图案化阻剂层的至少一部分。然后使用上述第一图案化阻剂层与第二图案化阻剂层作为掩模，并蚀刻上述基板。本发明形成出具有整体强化的抗蚀刻性的阻剂图案，可用于形成次微米半导体装置所需的细粒度图形。使用这些材料导致图案化的阻剂层较不倾向于顶部损失、圆角、以及阻剂图案损伤。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110609443A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910120215.X
申请日：2019-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004
Abstract: 光阻化合物包含光阻材料，光阻材料包含多个金属氧化纳米颗粒与配位基，以及一种酸，这种酸的酸度系数pKa介于-15到4之间，或是一种碱，这种碱的pKa介于9到40。
-
公开(公告)号：CN110189986A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810596821.4
申请日：2018-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/311
Abstract: 一种半导体装置结构的形成方法，此方法包括在基底上提供层状结构，层状结构包括在基底上形成的底层，在底层上形成的硬掩膜层，在硬掩膜层上形成的材料层及在材料层上形成的光阻层；使光阻层曝光于辐射源；将光阻层显影，其中显影步骤于单一步骤中，移除部分的光阻层和材料层，而大抵上不移除部分的硬掩膜层；以及使用光阻层作为蚀刻掩膜，蚀刻硬掩膜层。材料层可包含酸性成分和/或产酸分子。材料层也可包含感光基团和交联剂。
-
公开(公告)号：CN109801839A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811268522.4
申请日：2018-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体结构的形成方法。此方法包括：形成材料层于基底上方，以及形成辅助层于材料层上方。此辅助层包含：聚合物主链(backbone)、与聚合物主链键合的酸不稳定基团(acid labile group，ALG)、以及与聚合物主链键合的浮动基团(floating group)。此浮动基团包含氟化碳(CxFy)。此方法也包括形成阻抗层于辅助层上方，以及图案化阻抗层。
-
公开(公告)号：CN109427557A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810621209.8
申请日：2018-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/0273 , H01L21/0274
Abstract: 提供进行光刻制程的方法，进行光刻制程的方法包含在基底上方形成光刻胶层，并将光刻胶层的一部分曝光，以在未曝光部分之间形成曝光部分。进行光刻制程的方法还包含将光刻胶层显影以移除光刻胶层的曝光部分，使得开口形成于未曝光部分之间，并在开口中和光刻胶层的未曝光部分上方形成后处理涂布材料。进行光刻制程的方法还包含通过进行后处理制程，光刻胶层的未曝光部分的一部分与后处理涂布材料反应，以及移除后处理涂布材料。
-
公开(公告)号：CN105895509B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610054467.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
Abstract: 在衬底上方形成可图案化层。在可图案化层上方形成光敏层。光敏层包含添加剂。添加剂至少包含浮动控制化学成分和容量控制化学成分。对光敏层实施旋转干燥和/或烘烤工艺。浮动控制化学成分使添加剂在旋转干燥或烘烤期间上升。此后，作为远紫外(EUV)光刻工艺的部分，曝光光敏层。在曝光期间在光敏层内部生成一种或多种脱气化学物质。容量控制化学成分足够大量和致密以将脱气化学物质捕获在光敏层内部。本发明的实施例还涉及用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
312
records
(took 0.049 seconds)
