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公开(公告)号：CN104425706B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201310687504.0
申请日：2013-12-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成电路器件，包括：衬底和磁性隧道结（MTJ）。MTJ至少包括钉扎层、阻挡层和自由层。在衬底的表面上方形成MTJ。在钉扎层、阻挡层和自由层中，自由层最先形成并且最接近表面。这使得在蚀刻自由层之前能够在自由层的周边区的上方形成间隔件。通过间隔件，由蚀刻或其他自由层边缘限定工艺导致的对自由层的任何损害远离磁性隧道结。本发明还提供了一种制造集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN104347631B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310471353.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L45/00 , H01L21/76
Abstract: 一种存储单元及其形成方法。该存储单元包括：形成于第一介电层中的开口中的第一电极，第一介电层形成于包括金属层的衬底上，开口被配置为允许第一电极与金属层之间的物理接触，第一电极具有第一宽度W1并延伸超过开口限定的区域一段距离；形成于第一电极上并具有与第一宽度W1基本相同的宽度的电阻层；具有小于第一宽度W1的第二宽度W2并形成于电阻层上的覆盖层；形成于覆盖层上并具有与第二宽度W2基本相同的宽度的第二电极；在第一宽度W1与第二宽度W2之间形成于电阻层上并具有至少两个不同的介电层的第一组合间隔区；以及连接到第二电极的通孔。本发明还公开了使用组合间隔件的RPAM结构和工艺。
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公开(公告)号：CN106252273A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510793769.8
申请日：2015-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L27/10
Abstract: 存储器件包括第一电极、第二电极、存储元件、间隔件和阻挡结构。第二电极与第一电极相对。存储元件设置在第一电极和第二电极之间。间隔件形成在第二电极的侧壁上，并且间隔件具有设置在间隔件的顶面上的凹口。阻挡结构嵌入在间隔件的侧部中，并且阻挡结构具有越过凹口的底向上延伸的顶。此外，还公开了制造存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN106057812A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510738904.9
申请日：2015-11-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L27/1157 , H01L29/42344 , H01L29/66484 , H01L29/665 , H01L29/66833 , H01L29/7831 , H01L27/115
Abstract: 本发明实施例涉及一种自对准分裂栅极存储单元和相关的方法。自对准分裂栅极存储单元具有存储栅极，存储栅极具有平坦的顶面。存储栅极间隔件直接布置在存储栅极之上，存储栅极间隔件的横向尺寸小于存储栅极的横向尺寸。存储栅极间隔件具有沿着电荷捕获层的上部设置的内侧壁和相对于存储栅极的外侧壁横向地向回凹进的外侧壁。在一些实施例中，介电衬垫连续地内衬于存储栅极的外侧壁、在未被存储栅极间隔件覆盖的存储栅极的顶面的部分上延伸以及沿着存储栅极间隔件的外侧壁向上延伸。
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公开(公告)号：CN105720011A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201510324161.0
申请日：2015-06-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L21/76229 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L27/11517
Abstract: 本发明涉及一种形成集成电路的方法。在一些实施例中，通过下列步骤来执行该方法：在衬底上方图案化第一掩蔽层，以在存储器单元区域处具有多个第一开口，并且在边界区域处具有多个第二开口。在多个第一开口内形成多个第一介电体，并且在多个第二开口内形成多个第二介电体。在第一掩蔽层以及多个第一介电体和多个第二介电体上方形成第二掩蔽层。去除位于存储器单元区域处的第一和第二掩蔽层，并且形成第一导电层，以填充多个第一介电体之间的凹槽。平坦化工艺降低了第一导电层的高度，并且去除了边界区域上方的第一导电层。本发明涉及用于防止存储器件的氧化物损害和残留物污染的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105390498A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510514942.6
申请日：2015-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/42344 , H01L27/11573 , H01L29/665 , H01L29/6659 , H01L29/66833 , H01L29/7833 , H01L29/792
Abstract: 本发明的一些实施例提供了用于嵌入式闪存单元的集成电路(IC)。IC包括具有存储单元栅极的闪存单元。硅化物接触衬垫布置在存储单元栅极的凹槽中。硅化物接触衬垫的顶面相对于存储单元栅极的顶面是凹进的。电介质侧壁间隔件沿着凹槽的侧壁从存储单元栅极的顶面延伸至硅化物接触衬垫的顶面。本发明还提供了一种制造嵌入式闪存器件的方法。
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公开(公告)号：CN104183629A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310456169.3
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/823878
Abstract: 提供了一种半导体布置及其形成方法。半导体布置包括设置在保护区的第一侧的有源区。有源区包括有源器件。半导体布置的保护区包括有源区的残留物。还提供了形成半导体布置的方法。
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公开(公告)号：CN102446930B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110054069.9
申请日：2011-03-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及其制作方法与图像感测元件。图像感测元件包括：一像素，位于一基板中；一第一微透镜，内埋于位于基板上的一膜层中，第一微透镜的一第一上表面具有一角状的顶端；一彩色滤光片，位于膜层上；以及一第二微透镜，位于彩色滤光片上，第二微透镜的一第二上表面具有一接近圆形的轮廓；其中像素、第一微透镜、彩色滤光片、以及第二微透镜皆至少部分彼此对齐。本发明的半导体元件的制作工艺相当快速且便宜，而且光聚焦性能较佳。
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公开(公告)号：CN103378287A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210520868.5
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L43/12
Abstract: 本发明涉及制造带有多个磁性隧道结(MTJ)单元的磁阻式随机存取存储器(MRAM)的方法。该方法包括形成底部导电层，形成抗铁磁性层，和在底部导电层和抗铁磁性层上方形成隧道层。该方法进一步包括在隧道层上方形成自由磁层，该自由磁层具有磁矩，该磁矩与可通过施加电磁场进行调节的方向对准，以及在自由磁层上方形成顶部导电层。该方法进一步包括实施至少一种光刻工艺去除抗铁磁性层、隧道层、自由磁层和顶部导电层未被光刻胶层覆盖的部分，直到底部导电层暴露以及去除MTJ单元的至少一个侧壁的一部分。本发明还提供一种磁阻式随机存取存储器。
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公开(公告)号：CN102956816A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210025536.X
申请日：2012-02-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及制造方法，诸如，MTJ器件及制造MTJ器件的方法。该MTJ器件可以包括底部电极、MTJ堆叠件以及顶部电极，其中，使用孔洞填充技术形成该顶部电极。该顶部电极可以具有倾斜的侧壁。可以通过沉积对应的MTJ层来形成该MTJ堆叠件。可以在MTJ层上方形成并且图案化经过图案化的掩模，从而形成限定出顶部电极的开口。利用导电材料填充该开口，从而形成顶部电极。然后，将该顶部电极用作掩模来图案化MTJ层，从而形成MTJ堆叠件。本发明还提供了一种孔洞在先的硬掩模限定。
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