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公开(公告)号：CN109742209A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910110844.4
申请日：2019-02-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一半导体芯片及其制造方法，其中所述半导体芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。
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公开(公告)号：CN109638135A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910006183.0
申请日：2019-01-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/382 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一发光芯片及其制造方法和电流扩展方法，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。
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公开(公告)号：CN109244209A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810885637.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN109216161A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810893959.0
申请日：2018-08-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一倒装芯片的制造方法和反射层溅射方法，其中所述反射层溅射方法包括如下步骤：在一外延单元的一P型半导体层形成至少一反射层图形；以一射频电源向一电场形成部供电的方式藉由所述电场形成部形成电场于一靶材和所述P型半导体层之间；以及当惰性气体在等离子体状态下于形成在所述靶材和所述P型半导体层之间的一溅射空间轰击所述靶材的表面时，自所述靶材脱落的原子或原子团在所述反射层图形的区域在电场的作用下沉积至所述P型半导体层，以形成层叠于所述P型半导体层的一反射层。
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公开(公告)号：CN108807629A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810939754.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732876A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810478963.0
申请日：2018-05-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/38 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一光阻烘烤方法和在半导体基底上形成光阻层的方法，其中所述光阻烘烤方法包括步骤：首先以一半导体基底的下部产生热量的方式烘烤被施涂于一半导体基底的一光阻材料层；其次，在所述光阻材料层的周围环境产生热量的方式烘烤所述光阻材料层，通过这样的方式，所述光阻材料层能够形成层叠于所述半导体基底的一光阻层，并保证所述光阻层的各个部分的溶剂含量一致，从而有利于保证后续的光刻工艺的稳定性。
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公开(公告)号：CN106169531A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610557381.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/005 , H01L33/02
Abstract: 本发明公开了一种ODR结构的倒装发光二极管及制备方法、倒装高压LED，包括衬底上依次设置N型层、有源层和P型层，经刻蚀形成台阶裸露出部分N型层，P型层和裸露出的N型层上形成电流扩展层，电流扩展层上形成DBR层，DBR层刻蚀裸露出部分电流扩展层，DBR层和裸露出的部分电流扩展层上形成Ag反射层，Ag反射层经剥离分别形成和P型层与N型层上的电流扩展层欧姆接触的P接触金属层和N接触金属层。本发明提高了芯片的亮度，不需要额外蒸镀金属与N‑GaN形成欧姆接触，节省了工艺步骤和材料，成本低。另外，对于倒装高压LED，该Ag反射层既可以作为形成ODR结构的高反射金属，又可以作为原胞之间的互联金属，节省了工艺步骤，提高了芯片的亮度。
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公开(公告)号：CN106129219A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557364.9
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种增强光取出效率的LED芯片结构，包括衬底、N‑GaN层、有源层、P‑GaN层、低折射率填充料、P电极和N电极，衬底上依次形成N‑GaN层、有源层和P‑GaN层，有源层和P‑GaN层经蚀刻形成台阶沟道裸露出部分N‑GaN层，台阶沟道内填充低折射率填充料，裸露出的部分N‑GaN层和N电极连接，P型层和P电极连接。本发明大大增加了LED芯片侧向光的正向取出效率，增加了LED芯片的正向光强度。
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公开(公告)号：CN106129214A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610557040.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/48 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的P电极结构、LED芯片结构及其制造方法，P电极由多层金属构成，其中最底层为Al，LED芯片结构包括衬底、N型层、有源层、P型层、ITO透明导电层、P电极和N电极，衬底上依次形成N型层、有源层和P型层，N型层和N电极连接，P型层上形成ITO透明导电层，ITO透明导电层上形成P电极，其中P电极的最底层为金属Al,Al经加热渗透进ITO透明导电层，使ITO透明导电层和P型层形成肖特基接触。本发明提升了电极的光反射率，提高了LED芯片的亮度，并且使得LED芯片的制作工艺更简单。
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公开(公告)号：CN106129192A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610567049.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075
Abstract: 本发明公开的一种发光二极管制备工艺，本发明的通过角度互补的方式制作具有等腰梯形截面的发光二极管，先通过光阻层和DBR阻挡层配合塑性，确定等腰梯形截面的倾斜角度，去掉光阻层后在DBR阻挡层之间的间隙中生长第二N‑GaN层、有源层以及P‑GaN，因此形成的发光二极管的角度由光阻层的角度决定，所以只需对光阻层角度进行控制就能够控制发光二极管的角度，而这个角度需要结合预先设定的LED灯高度、宽度等参数来控制。本发明根据发光二极管的宽度、高度来准确地控制反射光的出射角度，实现不同角度的出光结构，以避免光损失，提高出光量。
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