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公开(公告)号：CN105304764A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510763780.X
申请日：2015-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/1892 , H01L31/02366
Abstract: 本发明公开一种倒置结构太阳能电池制作方法，包括以下步骤：在外延衬底上自下而上依次生长多层子电池，该多层子电池由下至上带隙依次减小；在带隙最小的子电池表面掩膜、光刻、ICP蚀刻形成网格状凹槽结构；在刻蚀后的外延片上蒸镀金属形成栅格层，在导电衬底表面蒸镀金属，并采用键合技术将二者紧密连接；采用化学腐蚀法将外延衬底去除，露出带隙最大的子电池表面；在带隙最大的子电池表面形成金属纳米岛，采用掩膜、光刻、蚀刻出栅线位，并蒸镀金属形成电极；在带隙最大的子电池表面蒸镀介质膜，覆盖电极与金属纳米岛，形成减反射膜。本发明可以降低电池表面对光线的反射率，增加光线在电池内部的传播距离，增强光线吸收，提高转化效率。
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公开(公告)号：CN105118908A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510570377.5
申请日：2015-09-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/46
CPC classification number: H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明公开一种可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法，包括以下步骤：外延衬底上分别外延形成缓冲层、第一型导电层、有源层、第二型导电层和电极布拉格反射层；在焊台电极制作区域内保留电极布拉格反射层及经过掩膜并腐蚀形成复数个圆柱状孔洞；在所述电极布拉格反射层上及孔洞内形成图形制作层；在所述图形制作层表面的焊台电极制作区域形成复数个圆弧台型立体反射器；在焊台电极制作区域形成焊台电极；在所述外延衬底下方形成背面电极，裂片得到发光二极管芯片。本发明能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。
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公开(公告)号：CN104409465A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104377219A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104362215A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410477359.8
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1896 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/074 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法，提供外延衬底；在外延衬底上生长外延结构；在外延结构上生长欧姆接触层，在欧姆接触层上生长外延保护层；将外延保护层粘接至刚性支撑模板上；采用外延衬底减薄工艺将外延衬底减薄；在减薄后的外延衬底上蒸镀背电极，并键合在柔性薄膜衬底上；去除刚性支撑模板及外延保护层；在欧姆接触层上蒸镀正面栅线电极，并通过选择性腐蚀工艺去除吸光部分的欧姆接触层，在腐蚀区域蒸镀减反射膜，裂片处理即得。本发明制造的太阳能电池转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241480A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410457188.2
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/641 , H01L33/0062 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管制作方法，包括以下步骤：一，提供外延发光结构，在外延发光结构上生长外延保护层；二，采用微波化学气相沉积法，在低温的条件下，在外延保护层表面沉积金刚石薄膜，形成高热导介质层；三，采用化学气相沉积法，在低温的条件下，沉积碳化钛在金刚石薄膜表面，形成过渡层；四，在过渡层表面形成金属反射镜，金属反射镜通过导电通道与外延发光结构连接导通；五，在金属反射镜表面键合具有导电功能的基板；六，在外延发光结构上形成第一电极，在基板上形成第二电极。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104201277A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410457030.5
申请日：2014-09-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/642 , H01L33/0095 , H01L33/647 , H01L2933/0075
Abstract: 本发明公开一种大功率红外发光二极管，包括外延发光结构、基板及高热导介质层；外延发光结构一侧设置高热导介质层，高热导介质层上设置基板，高热导介质层位于外延发光结构与基板之间将高热导介质层产生的热量导向基板。本发明使得红外发光二极管散热效果较好，提高发光效率，且结构较为稳定而不容易被剥离。
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公开(公告)号：CN104201268A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410433711.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/38
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/005 , H01L33/405
Abstract: 本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，在外延衬底上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层；在第二型电流扩展层上蒸镀形成金属反射镜层；将金属反射层键合在基板上；去除外延衬底、腐蚀截止层，露出粗化层；在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽，沟槽深度至露出欧姆接触层；在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极；在粗化层表面制作焊盘电极，且焊盘电极与扩展电极连接相通；在基板背面蒸镀背电极，去除焊盘电极、扩展电极的保护层，裂片后得到。本发明可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104167478A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410391491.7
申请日：2014-08-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007 , H01L33/10
Abstract: 本发明公开一种具有多粗化层的红外发光二极管的粗化方法，在基板上形成发光结构，在发光结构上形成N层粗化层，在粗化层上形成第一电极，在基板另一面形成第二电极；采用干法蚀刻在最外层粗化层表面形成粗化界面，蚀刻深度至第二粗化层接触表面；用粗化液蚀刻最外层粗化层及第二粗化层露出部分表面及侧面，形成粗化界面；用ICP在露出第二粗化层表面形成面积较最外层粗化层小的粗化界面，蚀刻深度至第三粗化层接触表面；用粗化液蚀刻第二粗化层及第三粗化层露出的部分表面及侧面，形成粗化界面；重复操作步骤四及步骤五，至露出N层粗化层表面及侧面，形成粗化界面。本发明增加二极管表面出光面积，提高红外发光二极管的外量子效率。
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公开(公告)号：CN107482090B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710719752.7
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。
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