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公开(公告)号：CN114068615A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111324977.5
申请日：2021-11-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器3D阵列架构及其制备方法，属于忆阻器阵列架构技术领域。忆阻器3D阵列架构包括电极和阻变单元，电极包括顶电极和底电极，顶电极所在的水平面置于底电极所在的水平面的上方，阻变单元的一端与顶电极连接、另一端与底电极连接，第n个阵列与第n‑1个阵列在竖直方向上错位连接，同时，第n个阵列所在的水平面置于第n‑1个阵列所在的水平面的上方或下方，第n个阵列与第n‑1个阵列通过同一电极连接，其中n为不小于2的整数。本发明提出的忆阻器3D阵列架构，通过将忆阻器阵列展开成平面形式，以定点测试单个忆阻器；同时，新的结构有良好的散热效果，可以进行长时间、海量的多比特数据的交换。
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公开(公告)号：CN110473580B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910771732.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器芯片的可编程电路最小单元及其操作方法，可编程电路最小单元包括：阻变元件、MOS管、和地址寄存器；对最小单元中的相同功能区域的部分进行统一划分，并用使能端wl通过连接珊极进行统一控制，不同的功能区域忆阻器和MOS(1T1R)，可以设置多个对应的{wl}进行使能控制打开；通过设置时钟周期clk和ctrol_information，以及Vs、Vd、wl的工作特点，实现了忆阻芯片中的忆阻器的定向编程、和格式化操作，有效提高忆阻器电路和芯片中忆阻器编码的可控性和效率。
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公开(公告)号：CN109257547A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811107225.1
申请日：2018-09-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04N5/278 , H04N21/439 , G10L21/0208 , G10L15/22 , G10L15/04
Abstract: 本发明揭示了一种中文在线音视频的字幕生成方法，包括如下步骤：S1、音频数据提取步骤，服务器接收音视频文件、提取音频数据并转化为标准格式；S2、降噪步骤，对音频数据进行降噪处理，得到音频文件；S3、数据切分步骤，对音频文件进行端点切分，得到音频样本；S4、片段识别步骤，对所得到的音频样本进行进一步切分，得到语音片段，再对语音片段进行识别，整理得到全部音频数据的识别结果；S5、字幕生成步骤，整合分析出文本及对应的时间轴，得到字幕文件，按照生成的字幕文件将字幕与音频数据进行匹配。本发明的方法可以自动完成音视频信息的语音识别和字幕生成工作，有效地弥补了传统的人工速记在字幕生成工作中转换效率上的不足。
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公开(公告)号：CN116094881B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202211088772.6
申请日：2022-09-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L27/00
Abstract: 本发明公开了一种基于CI‑DCSK的去参考调制解调器及调制解调方法，所述调制解调器包括调制器和解调器，通过调制解调器实现去参考的调制解调方法，所述调制解调方法包括：得到当前符号周期内的DCSK信息信号，完成极性调制，生成DCSK极性调制信号；随后完成载波索引调制，将所获DCSK极性调制信号和DCSK信息信号发送至解调器；完成载波索引解调，分别恢复出带有1路DCSK信息信号的N路离散序列和带有1路DCSK极性调制信号的N路离散序列，完成译码输出。通过本发明的技术方案能够消除系统对于不携带任何信息的参考信号的依赖，提高系统的能量效率和比特误码率性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118474203A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410653664.1
申请日：2024-05-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L69/00 , H04L41/0803
Abstract: 本发明公开了一种多维标识网络协议基础底座，包括协议定义模块、分布式配置模块和开放接口模块，当多维标识网络中的通信双方A和B开始建立通信时，通信双方向开放接口模块发送调用请求，之后分布式配置模块根据当前网络状态以及服务类型与协议定义模块进行交互，并确定此次A和B通信采用的多维标识数据包传输协议。智能化定制开发方法，实现多维标识网络协议基础底座，协议定义模块通过引入超时机制判断通信双方的连接状态，支持多种序列化算法，实现数据的封装与解封装；分布式配置模块制定协议的执行策略，提供分布式管理能力；开放接口模块支持同步和异步两种调用方式。本发明提高了网络的灵活性、适应性、通用性和扩展性。
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公开(公告)号：CN117279486A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310844778.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种通过双层结构改善异质结忆阻器性能的方法，包括，在异质结忆阻器的底电极上旋涂选聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯撑乙烯撑]MEH‑PPV，形成MEH‑PPV层；在MEH‑PPV层上真空蒸镀全氟酞菁铜F16CuPc，形成F16CuPc层；MEH‑PPV层和F16CuPc层组成异质结忆阻器的功能层。本发明采用真空蒸镀在MEH‑PPV层上制备纳米尺度的F16CuPc薄膜，通过质子和空穴共同的转移作用，两者协同提高器件的传输性能，降低单层器件的开启电压与电流，节约率功率消耗。
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公开(公告)号：CN116709790A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310781543.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于有机电子与信息技术领域，具体涉及一种有机场效应晶体管、制备方法及应用。有机场效应晶体管，包括栅极层；位于栅极层表面的栅绝缘层；位于栅绝缘层表面的功能层；功能层为聚苯乙烯和聚[2,6′]‑4,8‑二(5‑乙基己基噻吩)苯并[1,2‑b；3,3‑b]二噻吩]{3‑氟‑2[(2‑乙基己基)羰基]噻吩[3,4‑b]噻吩二基}的共混膜；位于功能层表面的有机半导体层；位于有机半导体层表面的源电极和漏电极。本发明提供的有机场效应晶体管能够同时实现存储器和光电突触晶体管功能，在构建类脑计算系统中中具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN116471848A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310434614.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器，包括自上而下依次设置的源漏电极层，有机半导体层，电荷俘获储层，界面修饰层，栅绝缘层以及作为衬底的栅极层，界面修饰层修饰在栅绝缘层表面，栅绝缘层位于栅电极层上面。本发明还公开一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器制备方法。本发明提供的一种基于蒸镀F4‑TCNQ改善聚苯乙烯有机场效应晶体管存储器及其制备方法，能够提高器件载流子迁移率，以及提高改善读写擦和维持方面开关比。
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公开(公告)号：CN116249163A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211695956.9
申请日：2022-12-28
Applicant: 国网江苏省电力有限公司 , 国网江苏省电力有限公司南京供电分公司 , 南京南瑞信息通信科技有限公司 , 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于智能反射面辅助的物理层安全传输方法及系统，方法包括：获取能量收集阶段基站到合法用户的安全传输速率，作为第一安全传输速率；获取信息反射阶段基站到合法用户的安全传输速率，作为第二安全传输速率；根据第一安全传输速率和第二安全传输速率，构建系统安全传输速率最大化模型；基于系统安全传输速率最大化模型，求解得到第二安全传输速率最大化时的最优值；基于第二安全传输速率最大化时的最优值，求解得到第一安全传输速率最大化时的最优值。本发明能够明显提升智能电网传输系统的安全传输速率。
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