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公开(公告)号：CN101859878A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010184678.1
申请日：2010-05-20
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种提高光输出耦合效率的有机电致发光器件及其制备方法，它是在其器件的ITO玻璃衬底的玻璃面上制备一层厚度50nm～90nm的ZnS棒状纳米薄膜。其制备步骤：将有机电致发光器件的ITO玻璃衬底的玻璃面向下固定在衬底支架上；使衬底支架的法线方向与蒸发粒子流入射方向的夹角为85度，通过锁栓将电机支架与真空电机固定；将纯度99～99.9％的ZnS置于蒸发源中；对真空腔抽真空度2～8×10-6帕；加热ITO玻璃衬底到210～300℃；通过真空电机使ITO玻璃衬底的旋转速度为1～3转/分；给蒸发源加热，使蒸发速率为0.1～0.2纳米/秒。本发明提高了有机电致发光器件的光输出耦合效率。
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公开(公告)号：CN101824306A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010131608.X
申请日：2010-03-23
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种微胶囊包覆的多相变材料的制备方法，涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤：按石蜡∶苯乙烯的质量比为2∶5取料；按石蜡和苯乙烯总质量的5％称甲基丙烯酸，0.5％～2％十二硫醇，2％～5％十二烷基苯磺酸钠，2％～10％过硫酸钾；将苯乙烯、甲基丙烯酸、十二硫醇加入到去离子水中，搅拌得到溶液；将石蜡融化加入上述溶液中；溶解十二烷基苯磺酸钠加热至50℃，加入到上述混合溶液中，超声乳化后，加入四口容器；通氮0.5h，水浴至70℃，搅拌，再加入过硫酸钾溶液，聚合；冷却、真空抽滤、干燥得到样品。解决了包覆材料种类单一问题，增强了相变微胶囊的实用性，相变温度范围得到扩展，扩大了相变微胶囊的应用范围。
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公开(公告)号：CN101765031A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910243040.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 一种大容量光纤光栅传感监测系统，属于光纤传感领域。包括宽带光源、可调谐滤波器、信号处理系统、光电探测器、1×2耦合器、1×8光开关、八个光分路器、三十二根光纤延迟线，三十二路串联的光纤布拉格光栅传感器。通过采用不同中心波长的光纤光栅传感器串联和多路传感器并行布设传感网络，通过光纤延迟线的延时，不同路的反射信号在时序上得到了分离，因此，信号处理系统可以根据接收时间的不同结合已存于内存中的编号信息区分信号的来源，实现了时分复用和波分复用的结合，测量点数是单纯使用波分复用技术的4倍，由延时光纤的长度差异、脉冲宽度及占空比决定，因此测量点数多，测量范围大，可以进行多点分布式大容量监测。
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公开(公告)号：CN100468662C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700-900℃下，高温处理20-40分钟，再在400-500℃下，氧等离子体处理20-40分钟；步骤2，在400-500℃下，生长厚度为1-4nm的MgO柔性层；步骤3，在700-800℃下，退火处理10-30分钟；步骤4，在350-450℃下，生长厚度为10-30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700-900℃下，氧等离子体气氛下退火10-30分钟；步骤6，在600-700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN101316464A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810116161.1
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明公开了一种同步光泵浦的有机薄膜晶体管，涉及一种有机薄膜晶体管。该晶体管是在有机薄膜晶体管的上方增设同步泵浦光源(6)。同步泵浦光源(6)的电压与有机薄膜晶体管栅极电压同步控制。该晶体管可用于光电子器件的驱动电路或开关电路。本发明可提高薄膜晶体管的开关电流比和增加输出电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101055843A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099110.8
申请日：2007-05-11
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在SiO2衬底上生长ZnO薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域，特别是在SiO2(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为：步骤1，将清洗过的SiO2衬底传入MBE生长系统，在700－900℃下，高温处理20－40分钟，再在400－500℃下，氧等离子体处理20－40分钟；步骤2，在400－500℃下，生长厚度为1－4nm的MgO柔性层；步骤3，在700－800℃下，退火处理10－30分钟；步骤4，在350－450℃下，生长厚度为10－30nm的ZnO过渡层；步骤5，在700－900℃下，氧等离子体气氛下退火10－30分钟；步骤6，在600－700℃下，进行外延生长ZnO薄膜。用SiO2代替蓝宝石和硅等衬底生长高质量ZnO薄膜的方法，通过MgO柔性层和ZnO过渡层制备出高质量的ZnO薄膜。SiO2衬底的优点是制备工艺简单、成本低，有利于在光电子器件方面的应用。
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公开(公告)号：CN100337341C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03156237.X
申请日：2003-09-02
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法。先对光刻好的ITO玻璃基片，进行类似加盖印章式的简单处理，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上；形成绝缘隔离柱，备蒸发完各个有机层后蒸发背电极。其步骤：设计背电极的条纹图案；选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作条纹图案的图章；利用该图章，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上，方向与ITO垂直，厚度约为1-5微米；烘干冷却后，形成与ITO条纹垂直的的沟道-隔离柱；蒸镀其他层；蒸镀背电极材料。该方法的优点是既省略了光刻的复杂工艺，又克服了掩膜法分辨率低，对板(模具)困难的缺点。
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公开(公告)号：CN101005121A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610011204.0
申请日：2006-01-17
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 利用光子晶体异质结提高有机电致发光器件色纯度的方法，在有机电致发光器件的输出光路上ITO层中设置一个光子晶体异质结区，该异质结由n个利用自组装技术制备的SiO2纳米微球光子晶体多层膜组成，n为自然数且2≤n≤5；异质结中每个多层膜光子禁带的位置可以通过选择不同直径的纳米微球的方法来调节；通过调节这些光子晶体多层膜反射光的频率范围使它们都能允许处于所需频率范围内的光通过，而反射处在该频率范围之外的出射光就可以提高有机电致发光器件的色纯度；和现用的添加滤光片、利用微腔结构和制备分布式布拉格反射器提高发光器件色纯度方法相比，它工艺简单，成本较低，减少了因光吸收和平面光波导效应所带来的光能浪费。
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公开(公告)号：CN114694975A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111429456.6
申请日：2021-11-29
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明涉及一种Fe‑Co‑Ni‑OH/rGO复合材料及其制备方法，同时公开了相应的二元金属氢氧化物及其制备方法，属于超级电容器电极材料制备领域。以MIL‑88A为前驱体材料，加入六水硝酸镍、六水硝酸钴和尿素，以乙醇和水为溶剂，通过溶剂热法得到Fe‑Co‑Ni‑OH，其中Fe‑Ni‑OH及Fe‑Co‑OH分别通过在反应过程中仅添加六水硝酸镍和六水硝酸钴制得。将制得的Fe‑Co‑Ni‑OH分散于氧化石墨烯水溶液中，以抗坏血酸为还原剂进行水热反应，得到Fe‑Co‑Ni‑OH/rGO复合材料。该制备方法科学合理，简单实用，成本低，不需要复杂的设备以及高温高压等严苛的实验条件，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN112881509A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110002364.3
申请日：2021-01-04
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 本发明属于飞秒激光光谱学技术领域，涉及一种纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法，包括：基频脉冲光入射到半导体薄膜异质结样品；激发半导体薄膜异质结，产生层间空间电场；层间空间电场诱导产生场致二次谐波；探测半导体薄膜异质结的场致二次谐波，实现了飞秒‑纳秒时间尺度内载流子输运过程的探测。具有及时响应的特性和极高的时间分辨率，同时不需要镀电极，且具有非接触的特点，保留了材料自身的固有性质，并实现纳米级的空间分辨率和可定位的特性。首次实现了利用光信号去探测电信号，同时具有极高的时间分辨率和空间分辨率。
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