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发明公开
纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法无效

公开(公告)号：CN112881509A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110002364.3

申请日：2021-01-04

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 何大伟 , 姚鹏 , 王永生

IPC: G01N27/64

Abstract: 本发明属于飞秒激光光谱学技术领域，涉及一种纳米厚度半导体薄膜异质结层间电荷转移的光学探测方法，包括：基频脉冲光入射到半导体薄膜异质结样品；激发半导体薄膜异质结，产生层间空间电场；层间空间电场诱导产生场致二次谐波；探测半导体薄膜异质结的场致二次谐波，实现了飞秒‑纳秒时间尺度内载流子输运过程的探测。具有及时响应的特性和极高的时间分辨率，同时不需要镀电极，且具有非接触的特点，保留了材料自身的固有性质，并实现纳米级的空间分辨率和可定位的特性。首次实现了利用光信号去探测电信号，同时具有极高的时间分辨率和空间分辨率。

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