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公开(公告)号：CN100511752C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710118279.3
申请日：2007-07-04
申请人： 北京交通大学
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 双面透光的全有机场效应光敏晶体管及其制备方法，即在透明衬底上蒸镀导电电极作为栅极，然后将有机介电绝缘材料制备到透明导电栅极上，再将导电源极蒸镀到有机介电绝缘层上，再蒸镀有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极完成全有机场效应光敏晶体管器件的制备。该有机场效应光敏晶体管中的介电绝缘层和功能层都是用有机材料，且该光敏晶体管使用垂直结构，所以制作简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄而可大大提高场效应光敏晶体管器件的“开/关”电流比。该光敏晶体管上下两面都可以吸收光照，利于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN101075662A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710100157.1
申请日：2007-06-05
申请人： 北京交通大学
摘要： 底端为源极的垂直构型场效应发光管及其制备方法，在刚性或柔性衬底上制备源极，将半导体材料蒸镀到源极上，在半导体薄膜层上蒸镀导电电极作为栅极，接着蒸镀半导体层以及有机发光复合功能薄膜层，最后蒸镀导电电极作为漏极完成场效应发光管器件的制备。除了导电电极之外，由于场效应发光管使用了垂直结构，所以其制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺，沟道长度可以作得很薄，可大大提高发光管器件的“开/关”电流比。对于质轻、价廉及可与柔性衬底相兼容的有机材料，更有利于提高有机膜的有序性和场效应迁移率。本发明利用有机和无机材料、垂直构型场效应晶体管各自的优点组合后，制备出工作电压低、响应速度快、性能优良的垂直构型场效应发光管。
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公开(公告)号：CN100337341C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN03156237.X
申请日：2003-09-02
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： H01L51/56
摘要： 本发明涉及一种电致发光器件制备工艺中制备背电极的方法。先对光刻好的ITO玻璃基片，进行类似加盖印章式的简单处理，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上；形成绝缘隔离柱，备蒸发完各个有机层后蒸发背电极。其步骤：设计背电极的条纹图案；选择高分子材料—聚二甲基硅氧烷，制作条纹图案的图章；利用该图章，将聚亚胺酯材料印制到已经光刻好的ITO玻璃基片上，方向与ITO垂直，厚度约为1-5微米；烘干冷却后，形成与ITO条纹垂直的的沟道-隔离柱；蒸镀其他层；蒸镀背电极材料。该方法的优点是既省略了光刻的复杂工艺，又克服了掩膜法分辨率低，对板(模具)困难的缺点。
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公开(公告)号：CN105070839B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510404590.9
申请日：2015-07-10
申请人： 北京交通大学
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 本发明提供一种聚合物太阳能电池，所述聚合物太阳能电池包括自下而上依次叠加的玻璃衬底、阳极层、阳极修饰层、活性层和阴极层，其特征在于，所述活性层与阴极层之间的界面呈互补的峰谷状微纳结构，所述峰谷状微纳结构的峰宽为300～400μm、峰高为20～30nm，并且所述活性层包含聚3‑己基噻吩(P3HT):[6.6]‑C60‑苯基丁酸甲酯(PCBM)和丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)。本发明还提供一种制备聚合物太阳能电池的简单方法。所述微纳结构扩大了阴极与活性层材料的接触界面，提高了电极对电荷的收集效率，改善了聚合物太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN101101972B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200710118280.6
申请日：2007-07-04
申请人： 北京交通大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在p型硅衬底的一面上蒸镀导电电极形成欧姆接触，并与硅衬底一起作为栅极，然后将无机介电绝缘材料蒸镀到p型硅衬底的另一面上，再将导电源极蒸镀到无机介电绝缘层上，再蒸镀并五苯有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极从而完成场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管由于使用了垂直结构，制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄因而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。有机材料选用并五苯，有利于光的吸收，易得到高性能的场效应光电晶体管。
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公开(公告)号：CN100589258C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200710100155.2
申请日：2007-06-05
申请人： 北京交通大学
摘要： 垂直构型有机/无机场效应发光管及其制备方法，即在刚性或柔性衬底上蒸镀导电电极作为栅极，然后将无机介电绝缘材料通过电子束蒸发或磁控溅射等方法蒸镀到栅极上，再将导电源极通过掩模板的方法蒸镀到无机介电绝缘层上，再用热蒸发等办法蒸镀有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极完成场效应发光管器件的制备。该有机/无机场效应发光管由于使用了垂直结构，制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄因而可大大提高发光管器件的“开/关”电流比。对于质轻、价廉及可与柔性衬底相兼容的有机材料，更有利于提高有机膜的有序性和场效应迁移率，工作电压低、响应速度快。
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公开(公告)号：CN101101971A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710118279.3
申请日：2007-07-04
申请人： 北京交通大学
CPC分类号： Y02E10/549
摘要： 双面透光的全有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在透明衬底上蒸镀导电电极作为栅极，然后将有机介电绝缘材料制备到透明导电栅极上，再将导电源极蒸镀到有机介电绝缘层上，再蒸镀有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极完成全有机场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管中的介电绝缘层和功能层都是用有机材料，且该光电晶体管使用垂直结构，所以制作简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。该光电晶体管上下两面都可以吸收光照，利于提高器件性能。
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公开(公告)号：CN1867214A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610011861.5
申请日：2006-05-09
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： H05B33/10
摘要： 本发明涉及一种电致发光矩阵器件的制备方法，使用第二电极隔离柱技术制备第二电极：其步骤，制备第一电极及有机层并在有机层上制备一层光刻保护层；之后在保护层上制备一层绝缘光刻胶，厚度大于等于1微米；按照欲制备的第二电极的条纹宽度及条纹间隔距离要求，使用光刻法对光刻胶层进行刻蚀；清洗烘干后形成与第一电极条纹垂直的第二电极隔离柱，在隔离柱间制备第二电极。在有机层制备完成后使用光刻法制备第二电极隔离柱来隔离第二电极条纹，省略了掩膜工序，从而解决了掩膜法分辨率底，线条粗糙、对板困难、易对有机层造成物理损伤等问题。
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公开(公告)号：CN101231258B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810100897.X
申请日：2008-02-26
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： G01N27/00
摘要： 本发明公开了一种有机气敏传感器，涉及一种气敏传感器。它是在具有多孔透明或半透明阳极的有机电致发光器件的阳极(5)和有机/无机发光功能层(3)之间插入有机气敏传感层(4)，该有机气体敏感层调制注入有机/无机发光功能层的空穴数目，从而改变发光层的颜色、亮度及整个器件的工作电流，实现对特定气体的传感。所述有机气体敏感层(4)由酞菁铜或其他的酞菁类衍生物、稀土配合物小分子有机半导体组成，或由并五苯及其衍生物或在并五苯中掺杂入气体敏感材料组成。所述的有机气体敏感层(4)的厚度为1纳米至200纳米。该传感器便于携带，自发光便于观察且能量消耗低，使用者无须专业培训，尤其适用于采矿业井下危险气体检测。
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公开(公告)号：CN101101972A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710118280.6
申请日：2007-07-04
申请人： 北京交通大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及基于并五苯的垂直构型有机场效应光电晶体管及其制备方法，即在p型硅衬底的一面上蒸镀导电电极形成欧姆接触，并与硅衬底一起作为栅极，然后将无机介电绝缘材料蒸镀到p型硅衬底的另一面上，再将导电源极蒸镀到无机介电绝缘层上，再蒸镀并五苯有机功能层，最后蒸镀透明导电漏极从而完成场效应光电晶体管器件的制备。该有机场效应光电晶体管由于使用了垂直结构，制作工艺简单，无需光刻等复杂工艺。沟道长度可以作得很薄因而可大大提高场效应光电晶体管器件的“开/关”电流比。有机材料选用并五苯，有利于光的吸收，易得到高性能的场效应光电晶体管。
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