公开(公告)号：CN111788662A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201880089052.7

申请日：2018-12-25

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  砂川健 ,  中杉直

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322

Abstract: 本发明为一种单晶硅晶圆的热处理方法，其为在氮化性气氛下对Nv区域的单晶硅晶圆进行RTA热处理后，进行第二热处理而将BMD密度控制至规定的BMD密度的热处理方法，所述单晶硅晶圆的热处理方法中，预先求出BMD密度与RTA温度的关系的关系式，根据所述关系式，确定用于得到所述规定的BMD密度的RTA温度。由此，提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，其用于制造表面无缺陷且在块体部分具有规定的BMD密度的退火晶圆及外延晶圆。

公开(公告)号：CN105324834A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480034727.X

申请日：2014-06-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫

IPC: H01L21/324 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02

CPC classification number: C30B1/04 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有：将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。

公开(公告)号：CN104620351A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047651.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 曲伟峰 ,  田原史夫 ,  大井裕喜

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06 ,  C30B31/22 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/3226 ,  C30B31/22

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在氧化膜形成工序前，进行对准备好的硅晶圆在氧化性气氛下用1100℃～1250℃的温度实施30分钟～120分钟的热处理的工序，以及对成为该热处理后的硅晶圆的贴合面的表面进行研磨的工序。由此，在SOI晶圆的制造中，能够充分消除接合晶圆的缺陷，制造几乎没有缺陷等不良的SOI晶圆，此外，能够将在离子注入剥离法中作为副产物而生成的剥离晶圆多次再用作接合晶圆。

公开(公告)号：CN1547764A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816567.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  玉塚正郎 ,  名古屋孝俊 ,  曲伟峰

IPC: H01L21/332

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。