公开(公告)号：CN1363118A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01800252.8

申请日：2001-03-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  小林德弘 ,  玉塚正郎 ,  名古屋孝俊

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/3225 ,  Y10S438/906

Abstract: 一种退火圆片的制造方法,在氩气气氛下以露出清洗后的圆片表面的状态下进行退火时能降低所发生的硼污染、并抑制由退火后的圆片表面附近的硼浓度的增加引起的电阻变化,另外即使用硼浓度比较低(1×106原子/cm3以下)的硅片的退火圆片,也能使其表层部与内部的硼浓度的差实质上没有问题地制造退火圆片。该制造方法是清洗硅片后,投入到热处理炉,在氩气气氛下进行热处理,并且使用含氟酸的水溶液作为所述清洗的最后的清洗液。

公开(公告)号：CN100343961C

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN02816567.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  玉正郎 ,  名古屋孝俊 ,  曲伟峰

IPC: H01L21/322

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。

公开(公告)号：CN1547764A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN02816567.5

申请日：2002-08-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  玉塚正郎 ,  名古屋孝俊 ,  曲伟峰

IPC: H01L21/332

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种退火晶片的制造方法，在氩气、氢气、或上述气体的混合气体环境下，以1100至1350℃的温度对以拉晶(CZ)法制作出的单晶硅晶片，进行10至600分钟的高温退火的退火晶片，其特征在于：在进行退火时，通过支持机构对上述单晶硅晶片仅支持距离晶片外周端不小于5mm的晶片中心侧的区域，且在进行上述高温退火之前，以未满上述高温退火的温度进行预退火，使氧析出物生长。由此，可提供一种即使为不小于300mm的大口径单晶硅晶片，也可抑制在进行高温退火时所产生的滑动位错的退火晶片的制造方法以及退火晶片。