公开(公告)号：CN1363118A

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN01800252.8

申请日：2001-03-26

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  小林德弘 ,  玉塚正郎 ,  名古屋孝俊

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/3225 ,  Y10S438/906

Abstract: 一种退火圆片的制造方法,在氩气气氛下以露出清洗后的圆片表面的状态下进行退火时能降低所发生的硼污染、并抑制由退火后的圆片表面附近的硼浓度的增加引起的电阻变化,另外即使用硼浓度比较低(1×106原子/cm3以下)的硅片的退火圆片,也能使其表层部与内部的硼浓度的差实质上没有问题地制造退火圆片。该制造方法是清洗硅片后,投入到热处理炉,在氩气气氛下进行热处理,并且使用含氟酸的水溶液作为所述清洗的最后的清洗液。