公开(公告)号：CN105493232A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480047111.6

申请日：2014-08-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其对接合晶圆的表面，离子注入至少一种气体离子而形成离子注入层，将接合晶圆的已注入离子的表面与基底晶圆的表面贴合之后，施加热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离，由此来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆，所述贴合晶圆的制造方法的特征在于：在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前，测量接合晶圆与基底晶圆的厚度，选择两片晶圆的厚度的差值在5μm以上的接合晶圆与基底晶圆所成的组合，然后，以400℃以下的温度来进行热处理，并在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离。由此，能够抑制通过离子注入剥离法来制作贴合晶圆时在薄膜产生的大理石花纹的膜厚不均，并能够制造出一种薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。

公开(公告)号：CN104620384A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380047666.6

申请日：2013-10-11

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  石塚徹

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/31111

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，在由半导体单晶基板构成的接合晶圆上形成氧化膜，通过该氧化膜将氢气及稀有气体中至少一种气体离子进行离子注入，在所述接合晶圆上形成离子注入层，在将该接合晶圆进行了离子注入的表面与基底晶圆表面通过所述氧化膜进行贴合后，在所述离子注入层剥离所述接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其中，将形成在所述接合晶圆上的氧化膜设为贴合面的背面的氧化膜厚于贴合面的氧化膜。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其能够抑制在通过离子注入剥离法剥离的情况下产生的由于SOI晶圆与剥离后的接合晶圆的翘曲形状而导致产生的擦痕或SOI膜厚异常。

公开(公告)号：CN103988284A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280061446.4

申请日：2012-11-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  小林德弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明是一种SOI晶片的制造方法，该方法具有通过对于SOI晶片实施牺牲氧化处理而对上述SOI晶片的SOI层进行减厚调整的工序，其中，上述牺牲氧化处理是对SOI层表面进行热氧化并去除所形成的热氧化膜的处理，上述SOI晶片的制造方法其特征在于，通过使用分批式热处理炉至少在升温中、以及降温中的一方进行上述牺牲氧化处理中的热氧化，而在上述SOI层的表面形成大致同心圆形状的氧化膜厚分布。由此，通过进行形成大致同心圆形状的氧化膜并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，提供一种能够以高生产率制造改进了面内膜厚分布的SOI晶片的SOI晶片的制造方法。

公开(公告)号：CN1465104A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802464.8

申请日：2002-07-09

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  富泽进一 ,  三谷清

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/977

Abstract: 本发明涉及一种贴合晶片的制造方法，通过离子注入剥离法制造贴合晶片，该离子注入剥离法至少具有下列工序，即，将具有通过气体离子注入形成了微小气泡层的结合晶片与作为支持基板的基晶片进行接合的工序、及以上述微小气泡层为界剥离结合晶片从而在基晶片上形成薄膜的工序；其特征是：在剥离前述结合晶片后的贴合晶片上，在惰性气体、氢气、或这些气体的混合气体环境下施行热处理，然后对该贴合晶片施行热氧化，在前述薄膜表面形成热氧化膜，且除去该热氧化膜，由此减少前述薄膜的厚度。由此提供一种贴合晶片的制造方法，能在维持利用离子注入剥离法制造的贴合晶片的薄膜的膜厚均一性的同时，确实除去表面的损伤或缺陷，且能充分适用于量产技术。

公开(公告)号：CN110785830B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880038871.9

申请日：2018-05-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有对SOI晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热氧化，由此以抵消SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在SOI层的表面形成具有单侧流动形状的膜厚分布的热氧化膜，去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其通过对具有单侧流动形状的SOI层膜厚分布的SOI晶圆实施牺牲氧化处理，使SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层。

公开(公告)号：CN110785830A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880038871.9

申请日：2018-05-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有对SOI晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热氧化，由此以抵消SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在SOI层的表面形成具有单侧流动形状的膜厚分布的热氧化膜，去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其通过对具有单侧流动形状的SOI层膜厚分布的SOI晶圆实施牺牲氧化处理，使SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层。

公开(公告)号：CN106415784B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201580027234.8

申请日：2015-04-13

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/84 ,  H01L22/26 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法，包含(a)在氧化性气体氛围下进行热处理，于SOI层表面形成热氧化膜；(b)测定热氧化膜形成后SOI的膜厚度；(c)对该SOI层进行批次式洗净，借由因应于步骤(b)测定SOI层的膜厚度而将经该批次式洗净后SOI层的膜厚度调整成比目标值较厚；(d)测定经批次洗净后SOI层的膜厚度；以及(e)对SOI层进行单片式洗净，借由因应于步骤(d)测定SOI层的膜厚度而将经单片式洗净后SOI层的膜厚度调整成目标值；其中，于步骤(a)之后且于步骤(b)之前，或于步骤(b)之后且于步骤(c)之前，去除在步骤(a)所形成的热氧化膜。借此制造有良好均一性SOI层膜厚度的SOI晶圆。

公开(公告)号：CN104956464B

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201380071248.0

申请日：2013-12-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 小林德弘 ,  横川功 ,  阿贺浩司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L29/34

Abstract: 本发明涉及一种制作SOI晶圆的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对接合晶圆的贴合面和基底晶圆的贴合面中至少一个表面实施等离子处理后，通过氧化膜进行贴合，在剥离热处理中，通过进行第一步骤，即以250℃以下的温度进行2小时以上的热处理，以及第二步骤，即以400℃以上450℃以下的温度进行30分钟以上的热处理，由此在离子注入层剥离接合晶圆。由此，能够提供一种SOI层膜厚范围小，SOI层表面的表面粗糙度小，平台部形状平滑，并且SOI层没有空隙、泡等缺陷的SOI晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN106663597A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580047351.0

申请日：2015-08-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 阿贺浩司 ,  桑原登

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/76254 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L27/12

Abstract: 一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理步骤。该SOI晶圆的制造方法包含：(A1)测定步骤，将形成有SOI层的SOI晶圆在薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定；(A2)旋转步骤，基于借由在(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在薄膜化处理的平面内加工量分布，而决定出在进行薄膜化处理时的SOI晶圆的旋转位置，使SOI晶圆绕中心轴旋转而达到旋转位置；以及(A3)薄膜化步骤，将经(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。

公开(公告)号：CN105531821A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201480049853.2

申请日：2014-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 横川功 ,  阿贺浩司 ,  藤沢宏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明是一种贴合晶圆的制造方法，其具有通过离子注入剥离法来制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆的工序、以及实施薄膜的减厚加工的工序；所述贴合晶圆的制造方法的特征在于，实施薄膜的减厚加工的工序包含通过牺牲氧化处理或气相蚀刻来实施薄膜的减厚加工的阶段，并且，在将要实施薄膜的减厚加工的工序前，具有清洗剥离面露出于表面的贴合晶圆的清洗工序，所述清洗工序包含将贴合晶圆依序浸渍于多个清洗槽中来实施清洗的进行湿式清洗的阶段，并且，在该湿式清洗的全部的清洗槽均在不施加超声波的情况下，实施清洗。由此，能够提供一种贴合晶圆的制造方法，该方法可依据管理等级严格的清洗线来清洗贴合晶圆，该贴合晶圆露出的剥离面上残留有离子注入所造成的损伤。