公开(公告)号：CN1992168B8

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200610172517.4

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN102149857A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200980135114.4

申请日：2009-09-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  C30B33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供了一种以低成本形成并且具有受控的板形的衬底、通过在衬底上形成外延层而获得的提供有外延层的衬底及其制造方法。根据本发明的制造衬底的方法包括如下步骤：晶锭生长步骤(S110)，其用作制备由氮化镓(GaN)形成的晶锭的步骤；以及切片步骤(S120)，其用作通过对所述晶锭进行切片而获得由氮化镓形成的衬底的步骤。在切片步骤(S120)中，通过所述切片而获得的所述衬底具有在10mm的线上不小于0.05μm且不大于1μm的算术平均粗糙度Ra的主表面。

公开(公告)号：CN102034853A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010232961.7

申请日：2010-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 山口小百合 ,  松本直树 ,  三上英则

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02021 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  Y10T83/04

Abstract: 本发明提供了氮化物半导体衬底、半导体器件及其制造方法。该氮化物半导体衬底具有用作半极性面的主表面并且设置有倒角部分，该倒角部分能够有效防止破裂和碎裂。该氮化物半导体衬底具有：主表面，所述主表面相对于(0001)面向着[1-100]方向以71°或更大并且79°或更小的角度倾斜，或者相对于(000-1)面向着[-1100]方向以71°或更大并且79°或更小的角度倾斜；以及倒角部分，所述倒角部分位于所述主表面的外围的边缘处。所述倒角部分相对于所述主表面和与所述主表面相反的一侧上的背侧表面中相邻的一个以5°或更大并且45°或更小的角度θ1或θ2倾斜。因此，可以有效抑制从氮化物半导体衬底的外围边缘出现破裂和碎裂。

公开(公告)号：CN101350302B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810145427.5

申请日：2005-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B7/228 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。

公开(公告)号：CN101570004A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910138035.0

申请日：2009-05-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  松本直树 ,  入仓正登

IPC: B24B37/04 ,  B24B29/02 ,  C09G1/00 ,  C09G1/02 ,  B24D3/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02013 ,  C30B29/403 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了III族氮化物晶体及其表面处理方法，以及III族氮化物的叠层体和半导体器件及其制造方法。所述III族氮化物晶体的表面处理方法包括如下步骤：使用莫氏硬度高于7的硬磨粒对III族氮化物晶体的表面进行研磨；以及使用不含磨粒的抛光液对所述III族氮化物晶体的经研磨表面进行无磨粒抛光，并且所述不含磨粒的抛光液的pH为1以上且6以下，或者为8.5以上且14以下。相应地，根据所提供的III族氮化物晶体的表面处理方法，能够除去残留在研磨晶体处的硬磨粒以减少晶体表面处的杂质。

公开(公告)号：CN100477089C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610087785.6

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C23C16/34

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN101350302A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810145427.5

申请日：2005-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B7/228 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。

公开(公告)号：CN1906739A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200580001707.3

申请日：2005-12-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: H01L21/02024 ,  B24B7/228 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 在本发明的GaN基板的研磨方法中，首先，一边将含研磨材(23)与润滑剂(25)的研磨液(27)供应至平台(101)，一边利用平台(101)与研磨液(27)研磨GaN基板(第1研磨工序)。其次，一边将润滑剂(31)供应至埋入研磨材(29)的平台(101)上，一边利用埋入研磨材(29)的平台(101)研磨GaN基板(第2研磨工序)。

公开(公告)号：CN1273654C

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN00129013.4

申请日：2000-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  松本直树

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L33/0075

Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。

公开(公告)号：CN1612290A

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN200410087907.2

申请日：2004-10-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 松本直树

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 在通过使用气相沉积在基础杂衬底上生成GaN层，然后除去基础衬底而制备的独立GaN膜中，由于层与基础在热膨胀系数和晶格常数方面的差异，翘曲将会高达±40μm至±100μm。由于有此翘曲，通过光刻法制备器件是有挑战性的，将翘曲降低至+30μm至－20μm是本发明的目标。研磨凹向偏离的表面，以赋予其具有伸展作用的损坏层，使表面变成凸面。通过蚀刻除掉已成为凸面的表面上的损坏层，这降低了翘曲。备选地，研磨在已成为凸面的对侧表面上的凸表面，产生损坏层。由于因损坏层已变成为凸面的凹表面，适宜地蚀刻掉损坏层，使翘曲降低。