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公开(公告)号：CN102315103B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201110308166.6
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02617 , C23C16/303 , C23C16/4405 , C23C16/4488 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN102465342B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110358558.3
申请日：2011-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括准备复合衬底的步骤，所述复合衬底包含支持衬底和布置在所述支持衬底的主表面侧上的单晶膜，在所述支持衬底中主表面的热膨胀系数比GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的1.0倍大且比其1.2倍小，所述单晶膜相对于垂直于所述单晶膜的主表面的轴呈三重对称；以及在所述复合衬底中的所述单晶膜的所述主表面上形成GaN基膜的步骤，所述复合衬底中的所述单晶膜为SiC膜。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大主表面积和较少翘曲的GaN基膜。
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公开(公告)号：CN103124811A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201180046545.0
申请日：2011-05-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B23/025 , C30B25/18 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254
Abstract: 本发明提供在具有从(0001)面以20°～90°角度倾斜的主表面的GaN籽晶衬底上生长具有较少堆垛层错的GaN晶体的GaN晶体生长方法，还提供具有较少堆垛层错的GaN晶体衬底。生长GaN晶体的方法包括：准备GaN籽晶衬底10的步骤，所述GaN籽晶衬底具有从(0001)面10c以20°～90°角度倾斜的主表面10m，和在所述GaN籽晶衬底10上生长GaN晶体20的步骤。所述GaN籽晶衬底10的杂质浓度与所述GaN晶体20的杂质浓度的差为3×1018cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102959677A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180030507.6
申请日：2011-11-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/76256 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。
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公开(公告)号：CN1992168B8
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102137961A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201080002480.5
申请日：2010-06-03
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/045 , C01B21/0632 , C01P2002/90 , C01P2006/12 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。
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公开(公告)号：CN101071794B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710102802.3
申请日：2004-04-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02378 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02538 , H01L21/02642 , H01S5/323 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681
Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。
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公开(公告)号：CN101535533A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780042700.5
申请日：2007-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/045 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , Y10T428/24752
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。
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公开(公告)号：CN1318661C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200480000646.4
申请日：2004-04-01
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/40 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/20 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: H01L21/02378 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02538 , H01L21/02642 , H01S5/323 , Y10T428/12674 , Y10T428/12681
Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。
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公开(公告)号：CN1774821A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480009899.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
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