公开(公告)号：CN102754189A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009092.4

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02543 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的第一晶体层、覆盖第一晶体层的第二个晶体层、与第二晶体层相接合形成的第三晶体层；第一晶体层具有：面方向与衬底基板中与第一晶体层相接触面相同的第一晶体面，以及具有与第一晶体面不同的面方向的第二晶体面；第二晶体层具有：面方向与第一晶体面相同的第三晶体面，以及面方向与第二晶体面相同的第四晶体面；第三晶体层分别与第三晶体面及第四晶体面的至少一部分相接合；第二晶体层与第二晶体面相接触区域的厚度相对于第二晶体层与第一晶体面相接触区域的厚度的比值大于第三晶体层与第四晶体面相接触区域的厚度相对于第三晶体层与第三晶体面相接触区域的厚度的比值。

公开(公告)号：CN102668029A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN101896999B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN102171792A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138964.X

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及一种具有用于形成半导体器件的器件用薄膜、包围器件用薄膜且阻挡器件用薄膜的前体结晶生长的阻挡部、通过前体牺牲生长为结晶而形成的牺牲生长部的半导体器件用基板，其具备在器件用薄膜的周边被阻挡部隔开而设置的牺牲生长部和覆盖牺牲生长部的上部且露出器件用薄膜的上部的保护膜。保护膜可以是聚酰亚胺。

公开(公告)号：CN101897000A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119998.X

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价而且散热性优良的Si基板，获得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供具有Si基板；在基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；以及在Ge层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN101897000B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200880119998.X

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价而且散热性优良的Si基板，获得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供具有Si基板；在基板上结晶生长，且形成为孤立的岛状的Ge层；以及在Ge层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN102460740A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026000.9

申请日：2010-06-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  佐泽洋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/28 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L27/15 ,  B41J2/45 ,  H01L27/156

Abstract: 本发明提供一种发光装置，具备包含硅的基底基板、与基底基板接触而形成的多个种晶体、与分别对应的种晶体晶格匹配或者准晶格匹配的多个3-5族化合物半导体，其中，在多个3-5族化合物半导体中的至少一个中形成有根据供给的电流来发光的发光元件，在形成了多个3-5族化合物半导体中的发光元件的3-5族化合物半导体以外的至少一个的3-5族化合物半导体中形成有限制供给至所述发光元件的电流的电流限制元件。

公开(公告)号：CN102439696A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201080022049.7

申请日：2010-05-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  秦雅彦 ,  福原升

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8248 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737 ,  H01L31/10 ,  H01L33/34

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体基板及其制造方法、电子器件及其制造方法。该半导体基板具备：具有向硅导入了杂质原子的杂质区域的基底基板；与杂质区域相接地设置的多个晶种体；以及与多个晶种体的每一个相接地设置且与多个晶种体分别晶格匹配或准晶格匹配的多个化合物半导体。该半导体基板还可以进一步具备阻碍体，该阻碍体被设置于基底基板上且设有使杂质区域的至少一部分露出的多个开口。

公开(公告)号：CN101449398B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200780018302.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，而是具有大体由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，I(θ)在θ＝90°下表示接近于零的单递减函数。在构成发光元件的芯片的结构体之中，涉及对于从发光层发出的光为透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具有有着光散射功能的结构。

公开(公告)号：CN101897004A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880119996.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L21/338 ,  H01L29/26 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/02516 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明利用廉价且散热特性优良的Si基板来得到高质量的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：单晶Si的基板；绝缘层，其形成在基板之上，并具有开口区域；Ge层，其外延生长在开口区域的基板上；以及GaAs层，其外延生长在Ge层上，其中，Ge层是通过将基板导入能够处于超高真空的减压状态的CVD反应室内，以能够热分解原料气体的第一温度来实施第一外延生长，以高于第一温度的第二温度来实施第二外延生长，以未达到Ge熔点的第三温度来对实施了第一和第二外延生长的外延层实施第一退火，以低于第三温度的第四温度来实施第二退火而形成的。