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公开(公告)号：CN118494031A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410824303.9
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种胶体量子点高通量喷墨打印装置、打印方法及用途，该喷墨打印装置包括：供液单元，包括气压泵（1）和多个储液瓶（2），多个储液瓶（2）中盛装的胶体量子点墨水不同，气压泵（1）用于控制胶体量子点墨水通过进液管（3）进入喷墨打印头；高通量喷墨打印头，包含多个独立的微流通道（4）和喷嘴（5），每个微流通道（4）与相应的进液管（3）联通，微流通道（4）从进口端到出口端的截面积逐渐减小；喷嘴（5）为中空针型尖端，尖端朝向待打印的基板，不同的胶体量子点墨水通过喷嘴（5）滴落至基板的不同位置。本公开的打印装置可以同时打印多种不同的胶体量子点墨水，提高了打印效率，且墨水材料均一性、稳定性较好。
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公开(公告)号：CN118062804A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211496658.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种纸芯片及其制备方法，可应用于微流控芯片技术领域。其制备方法包括：S1、将预先设计的亲疏水图案进行加工，得到具有所述亲疏水图案的图案化的夹具模板；S2、将聚合物倒入所述图案化的夹具模板中，分别得到上层图案化夹具和下层图案化夹具；S3、将滤纸固定在所述上层图案化夹具和所述下层图案化夹具之间，得到夹有所述滤纸的装配体；S4、将所述夹有所述滤纸的装配体进行蒸镀；以及S5、取出所述装配体，得到具有所述亲疏水图案的纸芯片。该制备方法具有操作简单，低成本、安全无毒，环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN117894811A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410051949.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器及其制备方法，涉及射线探测器技术领域。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器包括：衬底；阳极氧化铝模板，设于衬底上，阳极氧化铝模板上分布有纳米孔洞，纳米孔洞内填充有钙钛矿纳米晶材料，其中，钙钛矿纳米晶材料的带隙朝着远离衬底的方向逐渐减小。该基于卤化物钙钛矿纳米晶的射线图像传感器，引入了带隙梯度变化的无机钙钛矿纳米晶构成的纳米线结构，纳米线带隙由底层到顶层逐渐降低，确保上层产生的光不被下层的钙钛矿纳米晶吸收，从而解决了自吸收问题。
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公开(公告)号：CN117238345A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311199361.9
申请日：2023-09-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供一种用于忆阻器阵列的训练装置及方法，涉及存储技术领域。该装置包括：忆阻器阵列，包括多行多列忆阻器单元，每个忆阻器单元包括晶体管和忆阻器；脉冲发生器，产生幅度以及脉宽可变的脉冲信号；选通模块，在忆阻器阵列中选通目标忆阻器单元，并向目标忆阻器单元输入脉冲信号；检测模块，包括采样电阻，采样电阻的第一端与忆阻器阵列串联，第二端接地，检测模块被配置为：基于采样电阻两端的电压以及脉冲信号检测目标忆阻器单元的忆阻器电阻，若忆阻器电阻未达到预设电阻值，则控制选通模块向目标忆阻器单元输入不同幅度和脉宽的脉冲信号以调节目标忆阻器单元中的忆阻器电阻，直至忆阻器电阻达到预设电阻值。
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公开(公告)号：CN115165782A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210640679.5
申请日：2022-06-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种高灵敏红外光谱传感器及其制作方法，其中，所述高灵敏红外光谱传感器包括：集成的阵列排布的多个红外光传感器单元和阵列排布的多个红外滤光膜单片；其中，每个所述红外光传感器单元的表面覆盖有一个所述红外滤光膜单片，所述多个红外滤光膜单片的红外透射谱不同。本发明的高灵敏红外光谱传感器无分光系统，可以实现微型化、低成本、便携式的红外光谱仪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111142186B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201911424036.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种波导结构的神经突触，包括：脊形波导层(1)、狭缝结构(2)、相变材料(3)以及平板波导层(4)；狭缝结构(2)设置于脊形波导层(1)之间，且与脊形波导层(1)接触，狭缝结构(2)与脊形波导层(1)之间形成凹槽结构(5)；相变材料(3)填充凹槽结构(5)，相变材料(3)还设置于脊形波导层(1)以及填充后的凹槽结构(5)的表面；脊形波导层(1)以及狭缝结构(2)设置于平板波导层(4)的上方，脊形波导层(1)、狭缝结构(2)以及平板波导层(4)形成的结构能够实现波导的单模传输。本发明提供的波导结构的神经突触至少用于解决神经突触中权重动态范围低以及动态功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN110068894B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201810062158.X
申请日：2018-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种三维光电集成光栅耦合器及其制备方法，所述三维光电集成光栅耦合器包括自下而上沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，所述通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层光栅耦合器；第二光电器件层用于制备与所述第一光电器件层进行光互连的上层光栅耦合器。本发明可实现光栅耦合器与CMOS集成电路单片集成，并实现三维光互连，降低层间光互连的传输损耗，最大化层间耦合效率。本发明与CMOS工艺兼容，易于制备，可用于三维光电集成，实现高密度光电子器件与微电子电路集成。
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公开(公告)号：CN109461817A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811104242.X
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在卤化物钙钛矿薄膜表面制作金属微纳结构的方法，包括步骤：制备卤化物钙钛矿薄膜；在卤化物钙钛矿薄膜表面制作一层派瑞林薄膜；在派瑞林薄膜表面制作一层光刻胶薄膜；利用光刻工艺将光刻胶薄膜制作成带微纳结构的掩膜；刻蚀派瑞林薄膜，将掩膜上的微纳结构图形转移到派瑞林薄膜上；将金属薄膜沉积到卤化物钙钛矿薄膜和光刻胶薄膜表面；将光刻胶及其表面的金属薄膜剥离得到金属微纳结构。本发明能够避免卤化物钙钛矿与水的接触，在卤化物钙钛矿表面利用半导体工艺制作金属微纳结构，应用于卤化物钙钛矿光电器件芯片的制备中，可以提高卤化物钙钛矿光电器件芯片的性能。
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公开(公告)号：CN108793137A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810999694.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法，包括以下步骤：将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面，作为固态碳源；将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置，其中固态碳源放在低温区，洁净铜箔放在高温区；反应装置抽真空后，将高温区升温至设置温度，通保护气和还原气体；将低温区升温至设置温度，反应结束后降温；关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本，加快单层石墨烯制备技术的提升，提高单层石墨烯产业化的潜力。
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公开(公告)号：CN103811568A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410060091.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L31/028 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。
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