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公开(公告)号：CN103101876B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310028147.7
申请日：2013-01-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在（111）型硅片上制作硅锥体结构的方法，先在硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形；然后将刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度；进行各向异性湿法腐蚀使3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部组成的沙漏结构；进行热氧化，使所述连接部完全氧化，且使所述下锥部表面氧化以于所述下锥部内部形成硅锥体结构；去除所述连接部的氧化硅以使所述上锥部和下锥部分离，同时去除所述下锥部表面的氧化硅，形成硅锥体结构。本发明只需要常规的MEMS工艺，通过ICP干法刻蚀、各向异性湿法腐蚀和氧化工艺即可制作出顶端直径为10~100纳米，集成度高，可规模化生产的硅锥体结构，其成本低廉，制作方便，在纳米探针领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN104370270A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410667606.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种精确定位制备氧化硅纳米岛阵列的方法，其特征在于所述的方法是利用牺牲层腐蚀技术，使用接触式曝光光刻和湿法腐蚀工艺，即通过三次光刻工艺和进行三次BOE腐蚀工艺制备。本发明在传统“自上而下”方法的基础上，结合独特的设计，不借助于电子束或聚焦离子束直写，仅用接触式曝光技术结合精确控制地牺牲层腐蚀技术，实现了氧化硅纳米岛阵列的精确定位加工制造。方法设计精巧，工艺简单，制作成本低，易于批量制造。
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公开(公告)号：CN102879608B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201210418835.X
申请日：2012-10-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C1/00
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00341 , B81C1/00531 , G01P2015/0871 , G01P2015/0882
Abstract: 本发明提供一种弯折形弹性梁的电容式加速度传感器及制备方法。该传感器至少包括：第一电极结构层、中间结构层及第二电极结构层；其中，第一电极结构层与第二电极结构层分别设置有电极引出通孔；所述中间结构层包括：基于具有双器件层的含氧硅基片所形成的边框、双面对称的质量块、及一边连接边框、另一边连接质量块的弯折形弹性梁，其中，在两质量块的两面对称地设有防过载凸点及阻尼调节槽，且处于不同平面的弯折形弹性梁交错分布、在空间上不重叠。由于弯折形弹性梁的弯折次数、梁总长、梁总宽可基于需要来确定，故本发明能制备不同灵敏度的电容式加速度传感器，灵活性大。
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公开(公告)号：CN104122223A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410386280.4
申请日：2014-08-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明涉及一种双光程多气体红外气体传感器，主要包括双光程多气体检测腔、红外光源10、多元探测器2、防水透气膜3、信号放大模块15、模数转换模块16、信号处理模块17、通讯显示模块18。所述双光程多气体检测腔包括环形腔14和盖板4。红外光源10发出红外光的下半部分经平面反光镜8反射后到达多元探测器2下半部分，构成第1短光程；红外光源10发出红外光的上半部分经环形腔14内表面多次反射后到达多元探测器2上半部分，构成第2长光程，在单腔室内实现了长、短两种光程。本发明可以满足红外吸收率不同气体同时检测的要求，同时还可以满足同种气体不同检测精度的需求，方便实现多气体检测及识别，可广泛应用于多种场合下气体的实时监测。
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公开(公告)号：CN104084249A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410332258.1
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明提供一种基于声子晶体的微流控结构、微流控器件及其制作方法，其中，所述基于声子晶体的微流控结构至少包括：声子晶体；所述声子晶体至少包括：固体基板，以及设于所述固体基板上的声学波散射结构和声学波控制区域；所述声学波控制区域适于通过设置所述声学波散射结构的形态和分布，来控制所述声学波在所述固体基板表面的传输和分布，以使所述微流体在所述声学波控制区域受到所述声学波的操控。本发明通过在微流控结构中引入声子晶体，能够有效控制声学波的传输和分布；采用该微流控结构的微流控器件，大大提高了声学波的控制效率，同时增加了声学波控制方式的多样性，能够形成独特的声场结构，实现了对微流体进行移动、离心、分离、检测等操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104071745A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410312619.6
申请日：2014-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极，构成了基于硅纳米线的场效应管，由于硅纳米线整体贴在氮化硅薄层上，成品率得到很大提高。所制备的纳米线直径和长度可控，比表面积大，活性强，可作为气体传感器和生化传感器的敏感元件，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN104022046A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410264998.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L21/50 , B81B1/002 , B81C1/00047 , H01L23/16
Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN103922274A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410182370.1
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维红外光源及其制作方法，提供一硅片；在该硅片的正反面形成氧化硅薄膜；在正面定义阵列窗口并沿阵列窗口刻蚀氧化硅至暴露出硅表面为止；沿阵列窗口刻蚀硅表面形成硅凹槽阵列；去除硅片正面非刻蚀区域的氧化硅并形成复合膜；形成覆盖硅凹槽阵列的电阻丝，在电阻丝表面形成钝化层；在该硅片背面定义包围硅凹槽阵列的窗口；沿窗口刻蚀硅片背面的氧化硅至暴露出硅表面为止；沿窗口继续腐蚀硅表面直到硅被完全腐蚀为止从而制备出三维红外光源结构。本发明采用电阻丝位于凹槽阵列中，减少了发热丝通过衬底的热传导，减少空气热对流引起的热耗散，实现了能量聚集的作用，降低功耗的同时，提高了能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103901085A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410165319.X
申请日：2014-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及制作方法，包括制作具有三角形截面的硅纳米线沟道的硅纳米线隧穿场效应晶体管的步骤、于所述硅纳米线沟道表面进行试剂修饰形成活性薄膜以及于所述活性薄膜表面形成捕获探针的步骤。本发明工艺过程简单，可控性强，与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产；器件具有双极特性，对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性，特别适合生化分子检测的应用。另外，本发明的硅纳米线传感器中纳米线为三角形截面，该结构与其他纳米线结构（如圆柱，梯形截面）相比，比表面积更大，调制效率更高，且硅纳米线暴露的两（111）面更易形成致密的定向单分子生物敏感膜，对于生化传感有利。
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公开(公告)号：CN102662305B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210169407.8
申请日：2012-05-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微透镜模具结构及制作方法，包括以下步骤：在抛光的硅衬底正面和背面沉积氧化硅作为腐蚀掩膜材料，在硅衬底背面制作出腐蚀窗口图形；从所述硅衬底背面腐蚀硅衬底，形成腐蚀腔体，同时形成悬浮硅薄膜；将具有悬浮硅薄膜结构的结构衬底和支撑衬底键合形成密封腔体；将步骤（3）中获得的结构送入800°C～1200°C的高温环境中，悬浮硅薄膜发生塑性形变形成微透镜形貌腔体结构。由于直接选取抛光材料，微透镜形貌腔体具有较好的表面平整度，从而保证了微透镜腔的光学特性。本发明可以通过调节温度、压力、力载荷、薄膜厚度等方式对悬浮薄膜的塑性形变量和形貌进行控制，从而调节微透镜的形貌，增加微透镜设计的自由度。
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