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公开(公告)号：CN104071745A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410312619.6
申请日：2014-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极，构成了基于硅纳米线的场效应管，由于硅纳米线整体贴在氮化硅薄层上，成品率得到很大提高。所制备的纳米线直径和长度可控，比表面积大，活性强，可作为气体传感器和生化传感器的敏感元件，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106841629A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510882994.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明涉及生物传感技术领域，特别是涉及一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器。本发明采用硅纳米线作为换能器，其比表面积高，对表面电荷密度改变极为敏感，可实现气相条件下气味分子的高灵敏检测，检测灵敏度达到ppb量级；工艺过程简单，可控性强，可与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN106841629B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201510882994.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明涉及生物传感技术领域，特别是涉及一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器。本发明采用硅纳米线作为换能器，其比表面积高，对表面电荷密度改变极为敏感，可实现气相条件下气味分子的高灵敏检测，检测灵敏度达到ppb量级；工艺过程简单，可控性强，可与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN106449417A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611152254.0
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/7624 , H01L29/1075 , H01L29/66045
Abstract: 本发明提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法，所述方法包括：提供(111)型SOI硅片，包括底层硅、氧化层及顶层硅；并在顶层硅表面形成氮化硅掩膜层，而后通过半导体工艺在(111)型SOI硅片上制备出硅纳米线阵列，再将硅纳米线阵列中每条硅纳米线表面的氮化硅掩膜层作为栅介质层，并在其上制作栅极，同时在硅纳米线阵列两端制作源、漏极，并通过隔离沟道将源、漏极进行物理隔离，最终形成硅纳米线阵列场效应管。通过本发明提供的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管的方法及其结构，解决了现有技术中基于硅片制备硅纳米线阵列时无法实现高可控性及高一致性的问题。
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公开(公告)号：CN104071745B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410312619.6
申请日：2014-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极，构成了基于硅纳米线的场效应管，由于硅纳米线整体贴在氮化硅薄层上，成品率得到很大提高。所制备的纳米线直径和长度可控，比表面积大，活性强，可作为气体传感器和生化传感器的敏感元件，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN206282823U
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201621370548.6
申请日：2016-12-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L21/762
Abstract: 本实用新型提供一种圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，包括：一(111)型SOI硅片，所述(111)型SOI硅片包括底层硅、氧化层及顶层硅；位于所述顶层硅上表面及氧化层上方的氮化硅掩膜层，其中，所述氮化硅掩膜层表面形成有暴露所述氧化层的六边形腐蚀槽阵列；位于所述氮化硅掩膜层下表面的硅纳米线阵列；位于所述氮化硅掩膜层上表面且与所述硅纳米线阵列位置对应的栅极；以及位于所述氮化硅掩膜层上表面的源极和漏极，其中，所述源极和漏极之间设置有至少一条暴露所述氧化层的隔离沟道。通过本实用新型提供的圆片级制备硅纳米线阵列场效应管，解决了现有技术中基于硅片制备硅纳米线阵列时无法实现高可控性及高一致性的问题。
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