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公开(公告)号：CN100595534C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200510026743.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种室温F-P红外探测器阵列及制作方法，其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔，可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成F-P腔。其制作特征在于采用普通硅片，首先通过腐蚀硅确定F-P腔的长度，通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长度，在牺牲层上淀积氮化硅、铝或金薄膜，光刻并刻蚀出微镜图案，随后去掉牺牲层材料，释放可动微镜，最后在真空中作硅-玻璃键合，形成F-P腔。本发明的优点在于：采用体硅与表面牺牲层技术相结合的工艺，可方便的制作出符合要求的红外谐振腔和F-P腔，提高了器件的红外探测性能，同时在工艺过程即实现了红外探测器阵列的真空封装，不需要专门的真空封装，简化了工艺，保证了器件的性能。
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公开(公告)号：CN101271124A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810037511.5
申请日：2008-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种L梁压阻式微型加速度计及其制作方法，包括支撑主框架体、弹性梁、质量块、盖板等，其特征在于所述的汤型梁呈L形，L形弹性梁的长臂与支撑主框架体的边框相连，质量块通过L形弹性梁支撑悬于支撑边框体的中间，L形弹性梁的短臂与质量块上表面的顶角相连；支撑主框架体的上、下两面粘合有盖板；L形梁的长臂的根部和顶端各设置有压敏电阻，每根L形梁上的两个阻值相等的压敏电阻组成惠斯顿电桥的单边应变的电桥。采用微电子机械加工技术作为关键制作技术。解决现有压阻式微加速度计不能同时满足灵敏度高、体积小、成本低、交叉干扰小、易于加工的问题。
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公开(公告)号：CN101226850A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810032861.2
申请日：2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及硅微机械压力开关、制作方法及其应用。其特征在于所述的压力开关包括上下两个电极，两电极间有二氧化硅作为绝缘层进行隔离，上电极包括空气腔，硅弹性薄膜，节流孔，框架；下电极包括导流孔。其特征在于湿法腐蚀硅可同时形成空气腔和硅弹性薄膜；所有结构都由硅材料构成，便于实现和制动电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成节流孔和框架，能精确控制节流孔的尺寸。将所述的压力开关安装在每一个轮胎中，当轮胎爆胎后，该开关能迅速闭合，从而接通轮胎制动装置电路，使轮胎快速制动。
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公开(公告)号：CN1173220C
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN02136625.X
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光调制热成像系统的芯片及制作方法，属于微电子机械系统领域。该芯片由滤光片、半透镜和微镜阵列组成，其特征在于微镜的反射面和半透镜的反射面构成F-P腔的两个反射面，其之间的距离为入射红外辐射波长的四分之一。其制作特征是选择合适厚度的硅膜、二氧化硅膜的SOI硅片，首先光刻微镜阵列图案，腐蚀硅膜、二氧化硅膜，重新热氧化硅、蒸上铝膜，使得这二层膜的总厚度等于原来SOI硅片中二氧化硅的厚度，而后光刻并刻蚀出微镜图案，随后作一次硅-玻璃键合，把F-P腔的两个面键合在一起。本发明不但保证了F-P腔的两个反射面之间的距离满足要求，同时较为方便地制作出了符合要求的双层镜面。
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公开(公告)号：CN1529137A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03151461.8
申请日：2003-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01J5/12
Abstract: 本发明涉及一种微机械热电堆红外探测器及其制造方法。其特征在于封闭膜结构是在硅基体上由各向异性腐蚀剂腐蚀后，留下侧壁为(111)慢腐蚀面的腔体，在腔的顶部留下一层复合介质膜，在该膜上有热堆的热结区，位于红外吸收区附近，冷结区在硅基体上；悬梁支撑膜腔基本结构与此相同，仅悬梁一端固支，与硅基体相连；另外一端仅有两点与基体相连。制造工艺关键是通过采用键合技术与与硅腐蚀减薄技术相结合制作Si/SiO2/Si3N4/Si结构，形成膜/腔结构。本发明摒弃了以往正反两面对准光刻技术，简化了工艺而且使制造出器件间距可适当减少，提高器件占空比和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086083B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN201910513756.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G10K11/172 , G10K11/168
Abstract: 本发明提供一种声子晶体晶胞结构、声子晶体器件及其制备方法，声子晶体晶胞结构包括：基板，基板包括基板第一表面及相对设置的基板第二表面，基板包括自所述基板第一表面向基板第二表面延伸且贯穿基板的沟槽，以在基板中构成弹簧部件，且弹簧部件自基板内侧向基板外侧延伸，弹簧部件的自由端位于基板内侧；共振体，共振体位于基板第一表面上，且共振体与弹簧部件的自由端相接触。本发明设计了一种基于弹簧振子的声子晶体晶胞结构，可简化成一个弹簧‑重物系统，利用弹簧部件的振动可增强声子晶体晶胞结构的共振体的谐振能力，可有效调节、改变声子晶体晶胞结构的禁带频率和宽度，从而可扩大声子晶体器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN106486593B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201510532111.1
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双通孔结构的微型热电能量采集器及其制备方法，所述采集器的制作过程中采用双通孔结构，即：环形沟槽和通孔。再在双通孔结构中分别填充第一热电层和第二热电层，形成热电偶对，并通过顶部电连接层实现热电偶对之间的串联，得到热电偶阵列，即微型热电能量采集器。本发明的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其双通孔结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比垂直结构分立的热电偶臂阵列，这种双通孔结构可以进一步提高器件的集成度。
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公开(公告)号：CN102322961B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201110213982.9
申请日：2011-07-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种高占空比非致冷热电堆红外探测器的结构及制作方法，其特征在于在采用了L形折叠型热电偶臂设计，摈弃了传统热电堆结构笔直的结构设计，将热电偶臂进行了折叠处理，折叠部分的热电偶臂相互垂直。热电堆结构冷结区(21)固定在硅基体(13)上，热电堆结构热结区端(20)固定在红外吸收区(15)上，热电堆结构下方的硅衬底(16)通过硅腐蚀技术去除，而热电堆传感器的热电偶臂(14和12)则通过折叠的方式分布在吸收区四周。本发明微机械热电堆结构可广泛应用于红外探测器、气体传感器和真空传感器等微机电传感器。
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公开(公告)号：CN105390603A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510791242.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双凸台结构的热电能量采集器及其制作方法，所述热电能量采集器中，所述双凸台结构与多晶硅块通过第一导电块及第二导电块相互交替依次相连，其中，所述双凸台结构作为第一类型掺杂热电偶臂，所述多晶硅块作为第二类型掺杂热电偶臂，形成相互串联的热电偶阵列，得到微型热电能量采集器。本发明中，垂直的双凸台结构使热电偶臂与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率，并具有一定的机械强度；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器，所述双凸台结构与多晶硅块部分重叠，从而提高了单位面积的利用率，具有较高的集成度，并且所述双凸台结构的倾斜侧壁更有利于多晶硅块的沉积。
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公开(公告)号：CN102923644B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210473419.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的上面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，通过对腐蚀开口和刻蚀时间的控制，可以获得较小的微加热器到衬底的垂直距离，有利于提高热传导真空计的压强测量上限，同时避免了结构层与衬底黏连的问题，提高了器件的成品率；增加了硅盖板，增强了气体的热传导，有利于提高热传导真空计在较高气体压强端的灵敏度。此外，本发明中所采用的半导体衬底、热电堆和微加热器的材料、以及采用的制备工艺都是半导体工艺中常用的，可以很容易与现有CMOS工艺相兼容。
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