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公开(公告)号：CN105390603B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201510791242.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双凸台结构的热电能量采集器及其制作方法，所述热电能量采集器中，所述双凸台结构与多晶硅块通过第一导电块及第二导电块相互交替依次相连，其中，所述双凸台结构作为第一类型掺杂热电偶臂，所述多晶硅块作为第二类型掺杂热电偶臂，形成相互串联的热电偶阵列，得到微型热电能量采集器。本发明中，垂直的双凸台结构使热电偶臂与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率，并具有一定的机械强度；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器，所述双凸台结构与多晶硅块部分重叠，从而提高了单位面积的利用率，具有较高的集成度，并且所述双凸台结构的倾斜侧壁更有利于多晶硅块的沉积。
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公开(公告)号：CN105355773A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510766680.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电能量采集器及其制作方法，该方法包括以下步骤：S1：制作第一器件片；S2：制作第二器件片；S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个第一、第二热电偶臂通过第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。本发明与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器的制备方法，本发明与CMOS工艺兼容，可以实现低成本的批量化生产。
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公开(公告)号：CN105390603A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510791242.1
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双凸台结构的热电能量采集器及其制作方法，所述热电能量采集器中，所述双凸台结构与多晶硅块通过第一导电块及第二导电块相互交替依次相连，其中，所述双凸台结构作为第一类型掺杂热电偶臂，所述多晶硅块作为第二类型掺杂热电偶臂，形成相互串联的热电偶阵列，得到微型热电能量采集器。本发明中，垂直的双凸台结构使热电偶臂与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率，并具有一定的机械强度；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器，所述双凸台结构与多晶硅块部分重叠，从而提高了单位面积的利用率，具有较高的集成度，并且所述双凸台结构的倾斜侧壁更有利于多晶硅块的沉积。
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公开(公告)号：CN105355773B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510766680.2
申请日：2015-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电能量采集器及其制作方法，该方法包括以下步骤：S1：制作第一器件片；S2：制作第二器件片；S3：将所述第一器件片与第二器件片键合，使各个第一、第二热电偶臂通过第一电连接块与第二电连接块相互交替依次相连，其中，各个所述第一热电偶臂通过其顶端的第一键合层与相应的第二电连接块键合，各个所述第二热电偶臂通过其顶端的第二键合层与相应的第一电连接块键合。本发明与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比传统垂直结构热电能量采集器的制备方法，本发明与CMOS工艺兼容，可以实现低成本的批量化生产。
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