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公开(公告)号：CN116184028A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310122061.4
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种贴片电极及片内热阻测试方法，本发明实施方式公开的一种贴片电极，利用该高热导率材料，能够显著降低贴片式电极对测试结果带来的影响，简化3ω测试的工艺准备流程，推动3ω方法的推广应用。本发明提供的的贴片式电极，能够克服传统半导体工艺方案工艺难度大、无法对芯片成品进行测试的缺陷，同时采用金刚石基底材料及金属焊接结合工艺，能够最大程度减小贴片电极对测试效果的影响，实现被测材料热特性的的快速、准确测试。本发明片内热阻测试方法实施方式，能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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公开(公告)号：CN111983411B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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公开(公告)号：CN115200720A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210633543.1
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种基于双区域检测的热反射热成像自动重聚焦方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的第一区域和第二区域，计算两个区域的清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算两个区域的清晰度；当前测量图像仍包含上述两个区域；若被测件的温度、三轴纳米位移台的位移、第二区域清晰度满足预设温度阈值条件、第二预设位移阈值条件和第二预设清晰度条件，并满足第一预设位移阈值条件和第一预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的光热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN110310272B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910585005.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于微电子器件温度检测技术领域，提供了一种图像配准方法及终端设备，该方法包括：获取不同材料构成的被测件的参考图像和对比图像；根据参考图像和对比图像上的预设特征点，获取被测件相对探测器的位置改变量；根据位置改变量反复调整热反射成像测温装置上的纳米位移台的位置，并获取每次纳米位移台位置调整后的被测件的新图像；根据新图像与参考图像，确定新图像中与参考图像误差最小的新图像为有效图像，从而可以修正被测件在由于震动、被测件热膨胀等造成的热反射成像测温过程中发生在二维方向的位置改变，实现较高的测温准确度。
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公开(公告)号：CN109596963B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201811548650.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于检测结温的脉冲调制装置，用于检测半导体器件的结温，脉冲调制装置分别与CCD相机和电流发生装置相连，电流发生装置与半导体器件相连，CCD相机与监测控制装置相连；脉冲调制装置发出第一脉冲信号传输至CCD相机，脉冲调制装置发出第二脉冲信号传输至电流发生装置，脉冲调制装置检测半导体的电流，电流发生装置输出电流至半导体器件，光源发射装置发出入射光至半导体器件，CCD相机采集半导体器件的反射光生成对应的电信号，检测控制装置对电信号进行处理并计算得到半导体器件的结温。本发明提高了测结温过程的信噪比，保证了测量结温的准确性，只需要CCD相机采集两次反射光信号即可计算出结温。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983411A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010663553.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备，该方法包括：获取多指栅型晶体管各个栅指的第一温升，并根据各个栅指的第一温升确定各个栅指对应的温度权值；其中，多指栅型晶体管各个栅指的第一温升由显微红外热像仪测量得到；获取多指栅型晶体管的平均温升；其中，多指栅型晶体管的平均温升是基于电学参数法对多指栅型晶体管进行结温测量得到的；根据多指栅型晶体管的平均温升以及各个栅指对应的温度权值确定多指栅型晶体管各个栅指的第二温升；基于各个栅指的第二温升确定多指栅型晶体管各个栅指的热阻。本发明提供的多指栅型晶体管热阻测试方法、装置及终端设备能够提高多指栅型晶体管热阻测试的准确性。
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公开(公告)号：CN116087620A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310123457.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域，尤其涉及一种片内热阻测试方法、装置、终端及存储介质，本发明方法首先根据多个电流以及与所述多个电流相对应的多个电极温升，构建电极的温升曲线；然后，根据热波的穿透特性以及所述温升曲线，确定目标电流，其中，所述目标电流产生的热波穿透所述功能层以及所述衬底层并抵达所述衬底层与所述粘结层的边界；最后，根据目标温升确定所述芯片的片内热阻，其中，所述目标温升根据所述目标电流以及所述温升曲线确定。本发明方法能够实现芯片本身热阻测准确测试，从而评估芯片散热性能，指导芯片热设计工作开展。
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公开(公告)号：CN115436422A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210960719.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01N25/20 , H01L23/544
Abstract: 本申请适用于半导体材料热物性测试技术领域，提供了一种贴片式电极及制备方法和材料导热率测试方法，上述贴片式电极包括：金属条带，所述金属条带呈Π字形；加电焊盘和测试采样焊盘，设置于所述金属条带上；其中，将所述贴片式电极与待测材料贴合后，通过加电设备向所述加电焊盘施加频率为ω的交流电流，通过采集设备与所述测试采样焊盘连接以采集频率为3ω的谐波电压。上述贴片式电极应用于通过3ω测试方法对芯片进行导热率测试的工作场景，提升了对芯片使用3ω方法进行导热率测试的便捷性和泛用性。
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公开(公告)号：CN114993505A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210635536.5
申请日：2022-06-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
Abstract: 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的矩形区域，计算矩形区域清晰度；参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像；基于被测件温度变化和矩形区域清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算矩形区域清晰度；当前测量图像仍包含矩形区域；通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN114295954A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111678778.4
申请日：2021-12-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请适用于半导体器件热阻参数测试技术领域，提供了二极管脉冲电流热阻测量方法、装置及终端设备，该二极管脉冲电流热阻测量方法包括：在二极管所处的环境温度为预设温度的情况下，向二极管施加脉冲电流，并获取二极管温度参数，二极管温度参数包括被测器件温度值、被测器件温度敏感参数；根据二极管温度参数建立校温曲线，并对校温曲线进行修正；基于修正后的校温曲线对二极管温度参数进行修正，根据修正后的二极管温度参数确定器件热阻值。本申请消除了二极管串联电阻对二极管脉冲电流热阻测量方法的影响。
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