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公开(公告)号：CN111693133B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010584391.1
申请日：2020-06-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01H9/00
Abstract: 本申请涉及一种光纤水听器光程差测试装置、方法、计算机设备以及存储介质。光纤水听器光程差测试装置包括：信号发生模块，用于提供调制信号；激光源模块，连接信号发生模块，用于根据调制信号生成向待测水听器发射的载波调制激光；转换模块，用于接收待测水听器射出的干涉光信号，且将干涉光信号转换为干涉信号；三倍频相位生成载波解调模块，连接信号发生模块以及转换模块，用于根据三倍频相位生成载波解调算法处理调制信号以及干涉信号，实时解调相位调制深度，并根据相位调制深度获取待测水听器的光程差。本申请实现了光纤水听器光程差高精度在线监测。
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公开(公告)号：CN112540247A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011215483.9
申请日：2020-11-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微光探测器性能表征技术领域，公开了一种预先老化方法。对电子器件提供驱动条件使其处于正常工作状态，通过调节所述电子器件的增益电压以及对所述电子器件的输入光信号的光照强度进行调节，使所述电子器件连续工作在倍增寄存器接近饱和的状态，实现器件增益的快速老化，最终使所述电子器件达至增益稳定状态。对刚生产出来的所述电子器件进行预先老化，使其达至增益稳定状态后再投入实际生产使用。克服了所述电子器件在早期应用中增益稳定性不佳且测试结果偏差较大的问题，便于在连续信号采集应用中获得稳定成像效果。可为所述电子器件的研制生产和性能参数检测提供良好的技术支撑，使其具有良好的工程应用价值。
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公开(公告)号：CN120043631A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510255666.X
申请日：2025-03-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种单光子探测器性能测试方法和装置。所述方法包括：根据待测探测器的待测性能的性能类型，从候选性能测试系统中选择待测性能对应的目标性能测试系统；其中，待测探测器为单光子探测器；将待测探测器置于目标性能测试系统中，以构建针对待测探测器的测试环境；根据待测性能的性能测试要求，对置于测试环境中的待测探测器施加预设光信号，并获取待测探测器对预设光信号进行检测的过程中生成的脉冲探测信息；根据脉冲探测信息，确定待测探测器的待测性能的测试结果。采用本方法能够降低单光子探测器性能测试过程中的测试成本，并保证测试过程的稳定性和测试结果的准确性。
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公开(公告)号：CN120043630A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510247669.9
申请日：2025-03-04
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种单光子探测器性能评估方法、装置、计算机设备和介质。所述方法包括：将待测探测器接入性能测试电路中，以搭建性能测试环境；根据待测探测器的预设工作电压范围，对性能测试环境中的待测探测器施加电压，以使待测探测器处于工作状态，并采用待测探测器的各性能退化参数对应的采样频率，分别对待测探测器的电量参数进行采样，得到各性能退化参数对应的电量时间序列；各性能退化参数至少包括暗电流参数、击穿电压参数和噪声参数；根据各性能退化参数对应的电量时间序列，确定各性能退化参数对应的评估指标值；根据各性能退化参数对应的评估指标值，对待测探测器的性能退化情况进行评估。采用本方法能够准确对探测器的性能进行评估。
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公开(公告)号：CN119667452B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510200107.9
申请日：2025-02-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28 , G01M11/00 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的硅基光互连芯片动态评估系统，涉及芯片评估技术领域，该系统公开了基本性能分析模块、光学器件筛查模块、光学器件评估模块、动态评估模块，设置光学器件筛查模块、光学器件评估模块以及动态评估模块，在开启光学器件筛查工作后，通过构建一个硅基光互连芯片的模拟模型，可以模拟硅基光互连芯片在当前性能参数下各光学器件可能的性能表现，综合分析每个光学器件的测试评估需求，根据测试评估需求的动态筛选以及排序光学器件的测试评估顺序，不再需要对每个光学器件进行测试评估，可以快速确定硅基光互连芯片中的异常光学器件，提高光学器件的测试评估精度与效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116298603B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310075262.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质，提供电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点；将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；将待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在所测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。本申请中，进行一次电迁移试验，可得到大量待测样品的焊点处的实际工作温度和在测试电流下的失效时间，可以快速且精确得到激活能和电流影响指数。
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公开(公告)号：CN115036390B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202210434537.3
申请日：2022-04-24
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明提供了一种焊点柱的制备方法，其包括如下步骤：在具有焊盘的基板上涂覆第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的第一光刻胶层，露出焊盘；在基板上沉积覆盖第一光刻胶层与焊盘的打底金属层；在基板上涂覆第二光刻胶层，第二光刻胶层的厚度比第一光刻胶层厚，对第二光刻胶层进行曝光显影，去除焊盘上方的部分第二光刻胶层；在焊盘上的打底金属层上电镀焊点金属；去除第一光刻胶层与第二光刻胶层，使第二光刻胶层上的焊点金属随第二光刻胶层脱落，焊盘上的焊点金属形成焊点柱。该制备方法通过各步骤的彼此搭配，实现了通过电镀的方式在焊盘表面制备焊点柱，能够有效减少金属源的消耗量。
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公开(公告)号：CN116298603A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310075262.3
申请日：2023-02-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及一种电迁移测试参数获取方法、系统、计算机设备和存储介质，提供电迁移测试结构，电迁移测试结构包括多个待测样品，各待测样品均具有焊点；将各待测样品的焊点分别连接不同的分布式光纤传感器；将待测样品置于恒温箱内，向各待测样品均通入测试电流，并使用分布式光纤传感器实时监测各待测样品的焊点处的实际工作温度，且记录各待测样品在测试电流下的失效时间；基于各待测样品的焊点处的实际工作温度和各待测样品在所测试电流下的失效时间，得到电迁移测试结构的激活能和电流影响指数。本申请中，进行一次电迁移试验，可得到大量待测样品的焊点处的实际工作温度和在测试电流下的失效时间，可以快速且精确得到激活能和电流影响指数。
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公开(公告)号：CN112461844B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202011312737.9
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/88 , G01N25/72 , G01N23/2255
Abstract: 本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，公开了一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过第一成像技术对瑕疵点所在区域进行成像，获取电子元器件的第二瑕疵图像；根据第二瑕疵图像获取瑕疵点与标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对标志点进行成像，获取标志点的位置信息；根据相对位置信息以及标志点的位置信息确定瑕疵点的位置信息；根据瑕疵点的位置信息，通过第二成像技术对瑕疵点进行刻蚀，获取电子元器件的瑕疵点剖面形貌。本发明可以实现对表面具有明显损伤或表面无损伤形貌的电子元器件内部的瑕疵进行定位，且定位精度高。
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公开(公告)号：CN112461844A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011312737.9
申请日：2020-11-20
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N21/88 , G01N25/72 , G01N23/2255
Abstract: 本发明涉及电子元器件失效分析技术领域，公开了一种电子元器件瑕疵定位方法及存储介质，包括通过第一成像技术获取电子元器件的第一瑕疵图像；根据第一瑕疵图像在瑕疵点所在区域刻蚀出标志点；通过第一成像技术对瑕疵点所在区域进行成像，获取电子元器件的第二瑕疵图像；根据第二瑕疵图像获取瑕疵点与标志点间的相对位置信息；通过第二成像技术对标志点进行成像，获取标志点的位置信息；根据相对位置信息以及标志点的位置信息确定瑕疵点的位置信息；根据瑕疵点的位置信息，通过第二成像技术对瑕疵点进行刻蚀，获取电子元器件的瑕疵点剖面形貌。本发明可以实现对表面具有明显损伤或表面无损伤形貌的电子元器件内部的瑕疵进行定位，且定位精度高。
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