公开(公告)号：CN120076386A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202311597271.5

申请日：2023-11-27

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 宋亮 ,  张森 ,  何乃龙 ,  刘新新

IPC: H10D62/10 ,  H01L21/762 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明涉及一种沟槽衬底引出结构及其制造方法、半导体器件，所述方法包括：在衬底中形成总沟槽；在所述总沟槽侧面的衬底中形成重掺杂区，所述重掺杂区的导电类型与衬底相同；形成金属半导体结构；所述金属半导体结构从所述重掺杂区的顶部延伸至所述总沟槽的靠近所述重掺杂区的一侧的侧面，且继续向所述总沟槽的底部延伸，所述总沟槽的底部的部分位置形成与所述金属半导体结构，或所述总沟槽的底部无所述金属半导体结构；在所述总沟槽中填充第一绝缘材料。本发明具有较大的衬底载流子的收集面积，可以更有效地收集衬底载流子形成的电流，防止latch up发生。

公开(公告)号：CN119947203A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202311428324.0

申请日：2023-10-30

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 李永顺 ,  金华俊 ,  宋亮 ,  张森

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/65 ,  H10D30/01

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件及隔离结构的制造方法，所述半导体器件包括：衬底；第一掺杂区，位于衬底上，掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；结隔离结构，包括第一埋藏区和与第一埋藏区直接接触的第二埋藏区，第一埋藏区位于第一掺杂区上，第二埋藏区位于第一埋藏区上，第二埋藏区的掺杂浓度小于第一埋藏区的掺杂浓度；第二掺杂区，位于第二埋藏区上；器件主体区，位于第二掺杂区中。本发明在第一埋藏区和第二埋藏区的界面形成空穴阻挡层，能够阻止空穴穿过空穴阻挡层渡越到衬底形成衬底漏电，改善器件的闩锁效应。且由于设置了第一掺杂区，利用基区扩展效应，可以使得有效基区的宽度更宽，从而有效降低流入衬底的寄生漏电。

公开(公告)号：CN119153490A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202310715648.6

申请日：2023-06-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 宋亮 ,  安丽琪 ,  李永顺 ,  陈新倩 ,  刘新新 ,  罗琳

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种肖特基二极管，包括：阱区，具有第一导电类型；体区，设于所述阱区的上部，具有第二导电类型；所述体区被沟槽贯穿，所述沟槽的底部延伸至所述阱区中；第一钴硅化物层，形成于所述沟槽的底面和内壁，所述第一钴硅化物层与所述阱区形成肖特基接触；其中，所述阱区作为所述肖特基二极管的阴极，与所述阱区直接接触的所述第一钴硅化物层作为所述肖特基二极管的阳极，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。本发明利用沟槽的底面和内壁，使第一钴硅化物层与阱区形成U型的结构的肖特基接触，可以凭借较小的平面面积获得较大的肖特基接触面积，并且由于肖特基接触为钴硅化物所形成，因此有较强的过电流能力。

公开(公告)号：CN118472028A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202310079802.5

申请日：2023-02-07

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 安丽琪 ,  宋亮 ,  李永顺 ,  王亚南 ,  罗琳 ,  叶帆

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种具有隔离结构的半导体器件，包括：衬底，具有第二导电类型；第一导电埋层，具有第一导电类型，位于所述衬底中；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；第一极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方；第二极掺杂区，具有第一导电类型，位于所述第一导电埋层的上方、所述第一极掺杂区的两侧；隔离结构，包括位于隔离槽侧壁的绝缘层，所述隔离槽从所述第二极掺杂区向下延伸至所述第一导电埋层，所述隔离槽中还设有与所述第一导电埋层电性连接的导电结构。本发明在第二极掺杂区的位置设置向下延伸至第一导电埋层的隔离槽，复用了第二极掺杂区的芯片区域，因此芯片的面积利用率较高。

公开(公告)号：CN118039553A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211424689.1

申请日：2022-11-14

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 王亚南 ,  宋亮 ,  安丽琪 ,  罗琳 ,  李永顺

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明涉及一种沟槽隔离结构及其制造方法、半导体结构，所述沟槽隔离结构的底部位于衬底中，所述沟槽隔离结构包括：设于沟槽内的绝缘材质，以及从所述沟槽的顶部延伸至底部的导电结构；其中，所述导电结构的底部与所述衬底电性连接，所述导电结构用于在工作时接地或连接低于阴极的电位。本发明设有从沟槽的顶部延伸至底部的导电结构，导电结构的底部电连接衬底、顶部引出接地，因此通过该导电结构可以收集空穴电流，阻止电流流向衬底，从而进一步加强沟槽隔离结构的电学隔离效果。

公开(公告)号：CN115566062A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202110745665.5

申请日：2021-07-01

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 金华俊 ,  宋亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种对称场效应晶体管及其制作方法，包括步骤：于衬底上形成栅极结构以及位于栅极结构两侧的两个第一导电类型极区；通过光刻工艺及刻蚀工艺于栅极结构的中部形成沟槽；通过沟槽对进行第二导电类型离子注入，并使第二导电类型离子横向扩散至栅极结构的下方形成第二导电类型沟道阱区，沟道阱区与极区具有间距；通过沟槽对衬底进行第一导电类型离子注入，以在沟槽下方的衬底中形成第一导电类型连接掺杂区。本发明工艺稳定，沟道阱区的位置和尺寸可以精确控制，所制作的沟道阱区的尺寸可以更小从而使器件的导通电阻更低。本发明在栅极结构形成沟槽的区域形成连接掺杂区，可以进一步降低电流流经路径上的电阻。