公开(公告)号：CN110034019B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201811523845.3

申请日：2018-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  竹谷考司 ,  田内启士

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。

公开(公告)号：CN112530800A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010926933.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  宫田一史 ,  浅田泰生

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法和基板处理系统。[课题]适当地进行硅锗层的侧面蚀刻。[解决方案]一种蚀刻方法，其为对交替地层叠有硅层与硅锗层的基板的硅锗层进行侧面蚀刻的方法，所述方法包括如下工序：对前述硅锗层的暴露端面上的附着物供给等离子体化的包含氢的气体，从而对前述附着物的表面进行改性的工序；和，对前述硅锗层供给含氟气体，从而对前述硅锗层进行侧面蚀刻的工序。

公开(公告)号：CN110942985A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910649138.7

申请日：2019-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  浅田泰生

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及存储介质。本发明的课题是提供：在表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板中，能够抑制对Si的损伤而选择性地蚀刻SiGe或Ge的技术。本发明的蚀刻方法具备如下工序：设置表面部分具有SiGe或Ge、以及Si的基板的工序；和，将包含含氟气体和含氢气体的处理气体供给至基板，相对于Si选择性地蚀刻SiGe或Ge的工序。

公开(公告)号：CN110476225A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201880022445.6

申请日：2018-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  浅田泰生 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种在相对于Si层、SiO2层以及SiN层中的至少一种层选择性地对形成于晶圆的SiGe层进行蚀刻时使蚀刻量一致的技术。在交替地层叠的SiGe层(100)和Si层(101)在凹部(103)内露出的晶圆(W)中通过侧向蚀刻对SiGe层(100)进行蚀刻时，向晶圆W同时供给ClF3气体和HF气体。因此，各SiGe层(100)的蚀刻速度变得均匀，能够使各SiGe层(100)的蚀刻量一致。

公开(公告)号：CN110034019A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201811523845.3

申请日：2018-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  竹谷考司 ,  田内启士

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质和含硅膜的蚀刻装置。在对基板上的含硅膜进行蚀刻之际，对该含硅膜的蚀刻量的面内分布恰当地进行控制。在对晶圆(W)上的SiGe膜进行蚀刻之际，向SiGe膜供给含有小于ClF3的分子量的含氟气体的蚀刻气体，通过对蚀刻气体的流速进行控制，来对SiGe膜的中心部和外周部的蚀刻量进行控制。通过将蚀刻气体的流速设为低速，SiGe膜的外周部的蚀刻量比中心部的蚀刻量大。通过将蚀刻气体的流速设为高速，SiGe膜的中心部的蚀刻量比外周部的蚀刻量大。

公开(公告)号：CN105845562B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201610077423.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  松本雅至 ,  萩原彩乃 ,  竹谷考司 ,  松永淳一郞

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

Abstract: 提供在SiGe和Si共存的被处理基板中，能够使用相同的气体体系在同一装置内进行相对于Si选择性蚀刻SiGe、以及相对于SiGe选择性蚀刻Si的蚀刻方法。通过将具有硅和硅锗的被处理基板配置于腔室内，将蚀刻气体的气体体系设为F2气体和NH3气体，并改变F2气体与NH3气体的比率，从而进行相对于硅选择性蚀刻硅锗、以及相对于硅锗选择性蚀刻硅。

公开(公告)号：CN105122432B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201480022312.0

申请日：2014-03-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高桥信博 ,  高桥哲朗 ,  守谷修司 ,  松本雅至 ,  松永淳一郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: 将在表面上具有氮化硅膜且具有与氮化硅膜相邻地设置的多晶硅膜和/或氧化硅膜的被处理基板(W)配置在腔室(40)内，将含F气体和O2气体以至少将O2气体激励后的状态向腔室(40)内供给，由此，相对于多晶硅膜和/或氧化硅膜选择性地对氮化硅膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1867818A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480029726.2

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 及川雅之 ,  安倍胜彦 ,  高桥信博 ,  林辉幸

IPC: G01N1/32 ,  G01N1/28

CPC classification number: H01L21/67303 ,  G01N1/32 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67326

Abstract: 本发明提供一种检测辅助装置(3)，其用于，使半导体处理装置的石英制棒状部件(21)的检测对象部分接触由蚀刻液组成的处理液，然后分析处理液，测定在检测对象部分中含有的金属杂质的检测。棒状部件(21)具有位于夹持检测对象部分的一对凹部(22)。检测辅助装置(3)具有，与一对凹部结合的一对端板(32)、连接一对端板的框架(30)和在一对端板间设置的液体接受部(31)。液体接受部(31)贮留处理液，并具有使检测对象部分与处理液接触的尺寸。