公开(公告)号：CN106972114B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201610849761.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岛村明典 ,  林辉幸

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  B41J11/00

Abstract: 本发明提供在对基板上的有机材料膜进行干燥处理时尽量地降低混入到处理容器内的水分的影响的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置（100）包括能够抽成真空的处理容器（1）和用于在处理容器（1）内支承基板（S）的作为基板支承部的基板支承部（3），在干燥处理期间，在处理容器（1）内的压力为大气压～500Pa的范围内，将基板（S）保持在第1高度位置，在处理容器（1）内的压力为3Pa以下时，使基板（S）下降到比第1高度位置低的第2高度位置。通过在将基板（S）保持在第1高度位置的状态下进行减压排气，能够使处理容器（1）内的水分自底壁（11）的排气口（11a）快速地排出。

公开(公告)号：CN106206378A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610591115.1

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  林辉幸 ,  下茂文夫 ,  小泉建次郎

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0026 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742

Abstract: 本发明公开了一种减压干燥装置，其对利用喷墨打印装置形成于基板上的有机材料膜进行减压干燥处理，该减压干燥装置具有：耐压容器，其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换；冷却板，其对容纳于上述耐压容器的内部的上述基板进行冷却；以及多个可动销，其以能够相对于上述冷却板的表面突出或没入的方式设置，用于在冷却上述基板的期间以上述基板与上述冷却板的表面分开的状态支承上述基板。

公开(公告)号：CN104051674A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410097639.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 岛村明典 ,  林辉幸 ,  今田雄 ,  佐田彻也 ,  西山淳 ,  斋藤广美 ,  大田司 ,  田边诚一

IPC: H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种更够高效地且在短时间除去被涂敷在基板上的有机材料膜中的溶剂、并且容易对用于收集溶剂的构件进行更新的干燥装置和干燥处理方法。干燥装置（100）包括能够抽成真空的处理容器（1）、用于在处理容器（1）内支承基板（S）的作为支承构件的载置台（3）、与支承在载置台（3）上的基板（S）相对地设置且用于收集自有机材料膜挥发的溶剂的溶剂收集部（5）、以及控制部（6）。溶剂收集部（5）还包括用于使收集的溶剂脱离的作为溶剂脱离装置的温度调节装置（7）。溶剂收集部（5）包括与载置在载置台（3）上的基板（S）相对且与该基板（S）的表面大致平行地配置的1张或者多张金属板的收集板（50）。在收集板（50）中形成有多个贯通开口（50a）。

公开(公告)号：CN102644051A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035752.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 金子裕是 ,  林辉幸 ,  小野裕司

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/56 ,  C23C14/12 ,  H01L21/67

Abstract: 从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。

公开(公告)号：CN101321572B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200780000518.3

申请日：2007-04-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  林辉幸 ,  田村明威

IPC: B01D46/52 ,  H01L21/02

CPC classification number: B01D46/521 ,  B01D46/0023

Abstract: 本发明提供除去气体中的颗粒的气体净化装置，其特征在于，具有第一过滤层和第二过滤层，构成所述第一过滤层的纤维的直径比构成所述第二过滤层的纤维的直径粗。此外，本发明提供使用所述气体净化装置的半导体制造装置。

公开(公告)号：CN101103262B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200680001995.7

申请日：2006-06-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤美佐子 ,  林辉幸

IPC: G01N1/22 ,  G01N30/00

CPC classification number: G01N30/06 ,  G01N2030/062 ,  G01N2030/128

Abstract: 本发明涉及测定有机物气体浓度的测定装置(2)，从处理系统内的目标空间引出目标氛围气体，测定其中有机物气体的浓度。装置(2)包括具有与目标空间连接的导入口的捕集容器(20)。排气系统(36)与捕集容器(20)连接。在捕集容器(20)内，收容有用于通过吸附有机物气体得到捕集有机物气体的捕集部件(22)。利用包括加热器(24)的温度调整机构，调整捕集部件(22)的温度，控制有机物气体的吸附/解吸。从载气供给系统(32)供给用于搬送从捕集有机物气体中取出的解吸气体的载气。利用浓度测定部(56)测定搬送解吸气体的载气中的有机物气体的浓度。

公开(公告)号：CN101471242A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810189121.X

申请日：2008-12-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田村明威 ,  林辉幸 ,  藤原馨

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明提供一种图案形成方法和半导体制造装置，利用等离子体蚀刻在基板上的膜上形成平行的线状的图案，并且能够实现上述图案的细微化。以在第一层上形成的原始图案作为基点，在第二层上形成的掩模图案上形成薄膜，并利用等离子体进行各向异性蚀刻，在以夹着形成于第一层的膜上的掩模图案的掩模部分的宽度方向中央部的位置对应的区域相对的方式形成的两个掩模部分之间，使在这些掩模部分的侧壁上末端扩宽的堆积部分残留下来，并且使第三层的膜的表面从这些堆积部分之间露出，并且使在上述两个掩模图案以外的互相邻接的掩模部分之间连续的堆积部分残留下来之后，除去上述掩模。然后，以上述堆积部分作为掩模利用等离子体对上述下层的膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101421828A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780012931.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 川村茂 ,  林辉幸

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。该基板处理方法是对在表面上形成有含有氧化硅的无机物与含有碳和氟的有机物的复合生成物的基板进行的基板处理方法，其特征在于，包括：对上述基板的表面照射紫外线，除去上述有机物的一部分的紫外线处理工序；在上述紫外线处理工序之后进行，向上述基板的表面供给氟化氢的蒸气，除去上述无机物的至少一部分的氟化氢处理工序；和在上述紫外线处理工序之后进行，通过对上述基板进行加热，使尚未被除去的上述有机物的一部分收缩的加热处理工序。

公开(公告)号：CN101310041A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200780000117.8

申请日：2007-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 近藤昌树 ,  林辉幸 ,  齐藤美佐子

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67288 ,  Y10S414/139

Abstract: 本发明涉及真空处理装置和真空处理方法。排气机构(24)以一定的排气量或排气速度对真空搬送室(10)内进行真空排气。平常时间排气阀(36)被保持为打开状态，吹扫气体(N2气)由吹扫气体供给源(30)通过MFC(34)和开关阀(36)供给真空搬送室(10)内。主控制部(38)通过对MFC(34)的流量设定值将真空搬送室(10)内的压力控制在规定的范围内，同时通过真空计(40)监控真空搬送室(10)内的压力，压力超过规定的上限值时判断为异常，采取对MFC34的流量设定值的更改、警报的产生、装置运转的停止等处置。

公开(公告)号：CN100356483C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510077852.1

申请日：2002-05-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大成建设株式会社 ,  日立电线株式会社

Inventor： 渡边清 ,  平山直也 ,  伊藤宏幸 ,  小林贞雄 ,  齐藤美佐子 ,  若山惠英 ,  林辉幸

IPC: H01B3/44 ,  C08L27/06 ,  H01B7/02 ,  H01B7/17

CPC classification number: H01B3/443 ,  C08K5/098 ,  C08L27/06

Abstract: 本发明提供了一种聚氯乙烯类树脂组合物铠装电线及铠装电缆，抑制了AMC的产生，这种电线和电缆尤其适合于在以半导体、液晶设备等的制造为目的的洁净室内使用，具有由聚氯乙烯类树脂组合物形成的覆盖层，其中，所述聚氯乙烯类树脂组合物含有聚氯乙烯类树脂、以及从钙皂、锌皂、和水滑石中选出的一种或者两种以上的化合物，并且，不含铅化合物、以及熔点为100℃以下的β-二酮化合物中的任何一种。