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公开(公告)号：CN107275201A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710142173.0
申请日：2017-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/02087 , B08B3/08 , G03B13/32 , G03B17/08 , H01L21/6704 , H01L21/6708 , H01L21/67253 , H01L21/67259 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/304
Abstract: 提供基板处理装置和基板处理装置的处理方法。使得即使在与基板的周缘部相向的位置配置拍摄装置也能够进行良好的拍摄。进行去除基板(W)的周缘部的膜的处理的基板处理装置(16)具备：旋转保持部(210)，其保持所述基板并使所述基板旋转；第一处理液供给部(250A)，其在通过所述旋转保持部而基板正在向第一旋转方向(R1)旋转时，向所述基板的周缘部供给用于去除所述膜的第一处理液；拍摄部(270)，其设置于比所述基板中的第一处理液的到达区域(902)靠所述第一旋转方向上的上游侧的位置来拍摄所述基板的周缘部。
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公开(公告)号：CN103165496B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210535939.9
申请日：2012-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 天野嘉文
CPC classification number: B08B3/04 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置抑制不同的药液混合。基板处理装置（1）具有：基板保持部（21），其用于水平地保持晶圆（W）；旋转驱动部（24），其用于使基板保持部（21）旋转；第1药液喷嘴（73），其用于向晶圆（W）的周缘部上的第1药液供给位置（74a）喷出第1药液；第2药液喷嘴（83），其用于向晶圆W的周缘部上的第2药液供给位置（84a）喷出第2药液。当第1药液喷嘴（73）喷出第1药液时，旋转驱动部（24）使基板保持部（21）向第1旋转方向（R1）旋转，并且，当第2药液喷嘴（83）喷出第2药液时，旋转驱动部（24）使基板保持部（21）向第2旋转方向（R2）旋转。
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公开(公告)号：CN101996914B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010243321.6
申请日：2010-07-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种基板的液体处理装置和液体处理方法。该基板的液体处理装置及液体处理方法在对晶圆的周缘部分进行处理的情况下，能够充分地对基板进行高温处理，并且，能够充分地抑制微粒附着在基板的表面上。基板的液体处理装置(1)包括用于保持基板(W)的保持部(10)、用于使保持部(10)旋转的旋转驱动部(20)以及遮蔽单元(39)。遮蔽单元(39)包括与由保持部(10)保持的基板(W)相对的相对板(32)、用于隔着相对板(32)对基板(W)加热的加热部分(31)以及用于向所保持的基板(W)的表面供给加热后的气体的加热气体供给部分(32a)。
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公开(公告)号：CN102244023A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110125636.5
申请日：2011-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 天野嘉文
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的中心与旋转中心对齐、对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。通过提供如下基板处理装置来解决上述课题：该基板处理装置的特征在于，具有：用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理的基板处理部；用于与上述被处理基板的侧面接触来对上述被处理基板的位置进行定位的定位机构部；用于驱动上述定位机构部的定位驱动部；用于检测上述定位机构部的位置的检测部；用于将上述定位机构部相对于作为上述被处理基板的基准的基准基板的位置作为基准位置信息进行存储的存储部；用于计算上述检测部所检测出的上述定位机构部的位置信息同上述基准位置信息之差、根据上述差计算出上述被处理基板的实测信息的运算部。
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公开(公告)号：CN119833434A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411814602.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种效率良好地加热基板的下表面周缘部的基板处理装置。本公开的基板处理装置具备保持部、加热机构以及圆环状的下方杯。保持部保持基板的下表面中央部。加热机构对基板供给加热后的流体。下方杯配置于加热机构的外侧。加热机构具备主体部、热源、流体导入部、流体喷出部、多个翅片以及多个密封构件。主体部具有圆环形状。多个翅片沿着主体部的外周部的周向形成。热源加热多个翅片。流体导入部向多个翅片导入流体。流体喷出部向基板喷出通过多个翅片而被加热了的流体。多个密封构件分别位于翅片的上方和下方。加热机构与下方杯夹着多个密封构件抵接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885985B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201780019840.4
申请日：2017-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式的基片清洗装置为一种利用刷子清洗基片的基片清洗装置，包括基片保持部、臂和供给部。基片保持部将基片以能够使该基片旋转地方式保持。臂经由轴将刷子以能够使该刷子旋转的方式支承。供给部对基片供给处理液。另外，刷子包括主体部、清洗体和液接收部件。主体部与轴连接。清洗体设置在主体部的下部，能够被按压于基片。液接收部件设置在主体部的外周部，从主体部的外周部突出。
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公开(公告)号：CN112053970A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010475873.3
申请日：2020-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够精度良好地蚀刻基板的周缘部的基板处理装置。本公开的一形态的基板处理装置具备基板旋转部、气液分离部以及排气路径。基板旋转部保持基板并使该基板旋转。气液分离部以包围基板旋转部的外周的方式设置，使气体和液滴分离。排气路径以包围气液分离部的外周的方式设置，对由气液分离部分离后的气体进行排气。
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公开(公告)号：CN105845603B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201610069114.0
申请日：2016-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置。不阻碍在对基板进行液处理时产生的气流而能够良好地对基板进行液处理。在本发明中，具有：基板旋转保持部(1013)，其用于保持基板(1004)并使基板旋转；处理液供给部(1014)，其向由基板旋转保持部保持着的基板的下表面供给处理液，基板旋转保持部具有：底板(1025)，其以与基板隔开间隔地配置在基板的下方；罩体(1026)，其由底板支承，配置于基板的外周外侧；排出口(1043)，其形成于底板和罩体之间，用于将在基板的下方产生的气流排出，底板和罩体之间的支承部分(1037)相对于底板的上表面向外侧突并与罩体连接。
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公开(公告)号：CN106057706A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610214934.4
申请日：2016-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 天野嘉文
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统。该基板处理系统在对正面朝上的基板和背面朝上的基板这两者进行处理的情况下，能够抑制基板的正面和背面的状态管理的复杂化。实施方式所涉及的基板处理系统具备第一处理块、第二处理块以及翻转机构。第一处理块包括：第一处理单元，其在基板的第一面朝上的状态下进行基板的处理；以及第一输送装置，其针对第一处理单元进行基板的搬入和搬出。第二处理块包括：第二处理单元，其在基板的与第一面相反一侧的面即第二面朝上的状态下进行基板的处理；以及第二输送装置，其针对第二处理单元进行基板的搬入和搬出。翻转机构配置在从第一处理块向第二处理块的基板的输送路径的中途，用于使基板翻转。
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公开(公告)号：CN102244023B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110125636.5
申请日：2011-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 天野嘉文
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种能够使基板的中心与旋转中心对齐、对基板进行处理的基板处理装置及基板处理方法。通过提供如下基板处理装置来解决上述课题：该基板处理装置的特征在于，具有：用于向被处理基板供给处理流体来进行基板处理的基板处理部；用于与上述被处理基板的侧面接触来对上述被处理基板的位置进行定位的定位机构部；用于驱动上述定位机构部的定位驱动部；用于检测上述定位机构部的位置的检测部；用于将上述定位机构部相对于作为上述被处理基板的基准的基准基板的位置作为基准位置信息进行存储的存储部；用于计算上述检测部所检测出的上述定位机构部的位置信息同上述基准位置信息之差、根据上述差计算出上述被处理基板的实测信息的运算部。
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